【技术实现步骤摘要】
上电复位电路及芯片
本专利技术涉及芯片领域，具体地涉及一种上电复位电路及芯片。
技术介绍
芯片在电源上电或掉电重启时，需要一个复位信号来初始化寄存器及锁存器等存储单元，然后才能正常进入工作状态。因此复位电路对电路能否正常的启动工作至关重要。相关技术中，可以采用图1所示的上电复位电路，电源上电后，NMOS管M11对电容C11充电。因为电容两端电压不能突变，会使输出电压相对于电源电压VDD产生一定的滞后，使得反相器INV11的输出端Vout首先输出高电平的复位信号，芯片进入复位状态，随着电容两端的电压逐渐升高，反相器的输出端Vout输出的复位信号的电平值发生翻转，芯片退出复位状态。该电路结构简单，但是当上电较为缓慢时，与电源的相对延时减少，就会在反相器的输出端Vout产生一个低矮的复位信号(即，输出信号幅值较低)，无法使系统正常复位。图2所示的上电复位电路为充电箝位上电复位电路，只有当电源电压VDD升高到高于左侧的NMOS管M21、M22和M23的开启电压之和时，右侧的NMOS管M20才能够给电容C21充...
【技术保护点】
1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括电容模块、开关模块和波形整形模块，/n所述电容模块的一端与电源相连接，所述电容模块的另一端接地，所述电源用于对所述电容模块进行充电，所述电容模块用于将充电电流转换为第一电压输出，/n所述开关模块的一端与所述电源耦合，所述开关模块的另一端接地，其中，在电源电压上升阶段，所述开关模块用于在所述电源电压大于第一预设值的情况下接通，其中在所述开关模块未接通的情况下，所述第一电压处于上升状态，在所述开关模块接通的情况下，所述第一电压处于下降状态，/n所述波形整形模块，用于对所述第一电压进行整形并将整形后的电压作为复位信号输出。/n
【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括电容模块、开关模块和波形整形模块，
所述电容模块的一端与电源相连接，所述电容模块的另一端接地，所述电源用于对所述电容模块进行充电，所述电容模块用于将充电电流转换为第一电压输出，
所述开关模块的一端与所述电源耦合，所述开关模块的另一端接地，其中，在电源电压上升阶段，所述开关模块用于在所述电源电压大于第一预设值的情况下接通，其中在所述开关模块未接通的情况下，所述第一电压处于上升状态，在所述开关模块接通的情况下，所述第一电压处于下降状态，
所述波形整形模块，用于对所述第一电压进行整形并将整形后的电压作为复位信号输出。
2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述电容模块包括：第一电阻、第一NMOS管和第二NMOS管，
其中所述第一电阻的一端与所述电源相连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一电阻的另一端相连接，所述第一NMOS管的漏极和源极接地，所述第二NMOS管的栅极与所述第一电阻的另一端相连接，所述第二NMOS管的漏极和源极接地。
3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述开关模块包括第三NMOS管和第四NMOS管，其中所述第三NMOS管的栅极与所述电源相连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第一电阻的另一端相连接，所述第四NMOS管的栅极和漏极均与所述第三NMOS管的源极相连接，所述第四NMOS管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一预设值为所述第三NMOS管的开启电压和所述第四NMOS管的开启电压之和。
5.根据权利要求3或4所述的上电复位电路，其特征在于，所述波形整形模...
【专利技术属性】
技术研发人员：李德建，王小曼，杨立新，杨小坤，万培元，白涛，白志华，陈志杰，沈冲飞，华斌，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，国网信息通信产业集团有限公司，国网上海市电力公司，国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。