一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置。其中，体声波谐振装置包括：第一无源部，第一无源部包括第一基底及第一散热层，第一散热层位于第一基底上方；第一有源部，第一有源部包括第一压电层、第一电极层及第二电极层，其中，第一压电层位于第一无源部上方，第一压电层包括第一侧及第一侧相对的第二侧，第一无源部位于第一侧，第一电极层位于第一侧，第一电极层位于第一无源部和第一压电层之间，第二电极层位于第二侧；以及第一空腔，位于第一侧，位于第一无源部和第一压电层之间，第一电极层的至少一部分位于第一空腔上或第一空腔内。第一散热层可以提升体声波谐振装置的散热性能，或者可以灵活地调整体声波谐振装置的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言，本专利技术涉及一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置。
技术介绍
无线通信设备的射频(RadioFrequency，RF)前端芯片包括功率放大器、低噪声放大器、天线开关、射频滤波器、多工器等。其中，射频滤波器包括压电声表面(SurfaceAcousticWave，SAW)滤波器、压电体声波(BulkAcousticWave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)滤波器、集成无源装置(IntegratedPassiveDevices，IPD)滤波器等。SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz至2.7GHz，B本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：/n第一无源部，所述第一无源部包括第一基底及第一散热层，所述第一散热层位于所述第一基底上方；/n第一有源部，所述第一有源部包括第一压电层、第一电极层及第二电极层，其中，所述第一压电层位于所述第一无源部上方，所述第一压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述第一无源部位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第二电极层位于所述第二侧；以及/n第一空腔，位于所述第一侧，位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第一电极层的至少一部分位于所述第一空腔上或所述第一空腔内。/n

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：
第一无源部，所述第一无源部包括第一基底及第一散热层，所述第一散热层位于所述第一基底上方；
第一有源部，所述第一有源部包括第一压电层、第一电极层及第二电极层，其中，所述第一压电层位于所述第一无源部上方，所述第一压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述第一无源部位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第二电极层位于所述第二侧；以及
第一空腔，位于所述第一侧，位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第一电极层的至少一部分位于所述第一空腔上或所述第一空腔内。


2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一散热层的材料包括以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。


3.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一散热层的厚度包括：0.1微米至5微米。


4.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一基底和所述第一压电层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。


5.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一散热层和所述第一压电层之间，所述第一散热层还位于所述第一空腔两侧。


6.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一空腔内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。


7.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一散热层包括第一凹槽；所述第一电极层包括第一端及所述第一端相对的第二端，所述第一端位于所述第一空腔内，所述第二端位于所述第一凹槽内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。


8.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一基底和所述第一电极层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。


9.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一散热层和所述第一电极层之间，所述第一散热层还位于所述第一空腔两侧。


10.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一空腔上，所述第一压电层覆盖所述第一电极层。


11.如权利要求10所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一压电层包括第一突起部，位于所述第一电极层上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第二突起部，位于所述第一突起部上方。


12.如权利要求11所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形；所述第二突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形。


13.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔位于所述第一散热层和所述第一压电层之间，所述第一空腔位于所述第一散热层上。


14.如权利要求13所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一散热层上，所述第一电极层包括第三突...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞成城，曹艳杰，王伟，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44