【技术实现步骤摘要】
一种硅基铒掺杂镓酸锌薄膜电致发光器件及其制备方法
本专利技术涉及硅基光电子
，具体涉及一种新型硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
众所周知，CMOS工艺在摩尔定律的指导下，通过尺寸微缩一步步提高单位晶圆面积上晶体管的数量，但基于电互连技术的晶体管内部、各晶体管之间面临的问题越来越多，如串扰、量子效应瓶颈等，这些问题已经成为微电子技术进一步发展的瓶颈。上世纪九十年代，基于相互间串扰极低的光子的光互连技术应运而生。经过几十年的发展，硅基光互连所需的产品如硅基光波导，硅基光探测器，硅基光调制解调器等都已成熟，唯独缺少合适的硅基光源。稀土铒离子(Er3+)其第一激发态(4I13/2)到基态(4I15/2)的辐射跃迁(～0.803eV，～1540nm)恰好落于硅波导--石英光纤的最小损耗窗口。对于意欲结合CMOS工艺的大尺寸硅晶圆的片上集成，需实现Er3+的电致发光。近年来，对Er3+掺杂的宽禁带半导体材料的电致发光如Er3+掺杂的ZnO，TiO2，GaN的电致发光研究较为热门。如杨...
【技术保护点】
1.一种硅基铒掺杂ZnGa
【技术特征摘要】
1.一种硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件，包括硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，其特征在于，所述硅衬底表面具有热氧化形成的氧化硅层，所述发光层为铒掺杂的ZnGa2O4薄膜。
2.如权利要求1所述的硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件，其特征在于，所述硅衬底表面具有厚度为10-15nm的热氧化SiOx层，其中x≤2。
3.如权利要求1所述的硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件，其特征在于，所述硅衬底采用重掺n+型<100>硅片，电阻率为0.001-0.005Ω·cm。
4.如权利要求1所述的硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为80-120nm。
5.如权利要求1或4所述的硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件，其特征在于，以原子百分比计，发光层中稀土铒离子的掺杂量为1％-5％。
6.如权利要求5所述的硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件，其特征在于，作为优选，以原子百分比计，发光层中铒的掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：马向阳，陈金鑫，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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