【技术实现步骤摘要】
一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。
技术介绍
现有的柔性AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode,有源矩阵有机发光二极管)产品为实现更大的屏占比，将前置摄像头或红外扫描装置设置在显示区域内部已经成为一种流行的趋势，此时，需要在显示区域形成通孔，然后将前置摄像头或红外扫描装置安装在该通孔对应的位置，由于通孔的完成是在模组工艺阶段进行的，通孔形成后，其边缘位置蒸镀的有机材料会被裸露出来，从而会形成水氧侵蚀路径，使显示区域中的有效显示区产生黑点不良的问题。目前，为防止这种不良现象的出现，会在通孔周边设计隔离装置来实现有机材料的隔离，通常的隔离装置包括形成在层间质层上的SD隔离柱(即形成源漏极的金属)，如图1所示，SD隔离柱是由形成在层间介质层1上的底层2的Ti、中间层3的Al和顶层4的Ti构成的，顶层4的Ti与中间层3的Al会形成底切结构，从而来实现对有机材料的隔离。但是，当...
【技术保护点】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底基板；所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域包括通孔区和围绕所述通孔区的隔离区；/n在所述衬底基板上的所述隔离区形成隔离结构；所述隔离结构包括设置在所述衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层上的层间介质层；/n在所述隔离结构上形成钝化层；/n对所述隔离结构进行刻蚀，以使所述隔离结构的第一表面在所述衬底基板的正投影位于所述钝化层的第二表面在所述衬底基板的正投影之内；所述第一表面为所述隔离结构远离所述衬底基板的表面，所述第二表面为所述钝化层靠近所述衬底基板的表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域包括通孔区和围绕所述通孔区的隔离区；
在所述衬底基板上的所述隔离区形成隔离结构；所述隔离结构包括设置在所述衬底基板上的栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层上的层间介质层；
在所述隔离结构上形成钝化层；
对所述隔离结构进行刻蚀，以使所述隔离结构的第一表面在所述衬底基板的正投影位于所述钝化层的第二表面在所述衬底基板的正投影之内；所述第一表面为所述隔离结构远离所述衬底基板的表面，所述第二表面为所述钝化层靠近所述衬底基板的表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层的材料为非晶硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层和所述层间介质层的材料为氮化硅、氧化硅或氮化硅与氧化硅的组合物。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺对所述隔离结构进行刻蚀；
其中，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为氢氟酸刻蚀液或缓冲氧化物刻蚀液。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为氢氟酸刻蚀液时，所述氢氟酸刻蚀液中氢氟酸的浓度为2％～2.5％；
当所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为缓冲氧化物刻蚀液时，所述缓冲氧化物刻蚀液包括氢氟酸和氟化铵，所述缓冲氧化物刻蚀液中的所述氢氟酸的浓度为15％～20％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示区域还包括有效显示区；所述在所述衬底基板上的所述隔离区形成隔离结构的步骤，包括：
在所述衬底基板上的所述有效显示区形成有源层；
形成覆盖所述有源层和所述衬底基板的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层位于所述有效显示区和所述隔离区；
在所述有效显示区内的所述栅极绝缘层上形成栅极；
形成覆盖所述栅极和所述栅极绝缘层的层间介质层；所述层间介质层位于所述有效显示区和所述隔离区；
对所述栅极绝缘层和所述层间介质层进行刻蚀，以在所述隔离区形成所述隔离结构，并在所述有效显示区形成贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第一过孔和第二过孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述在所述隔离结构上形成钝化层的步骤之前，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文涛，史大为，王培，杨璐，段岑鸿，赵天龙，吴广鑫，王玲玲，赵东升，司晓文，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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