一种基于MOS自锁的短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了电路保护技术领域的一种基于MOS自锁的短路保护电路，包括一电源输入正极、一电源输入负极、一电源输出正极、一电源输出负极、一MOS管Q1、一MOS管Q2、一电容C1、一电阻R1、一电阻R2以及一电阻R3；所述MOS管Q1的漏极分别与MOS管Q2的漏极、电阻R1、电容C1以及电源输入正极连接，源极分别与所述电阻R1、电阻R3、电源输出正极、电源输入负极以及电源输出负极连接，栅极分别与所述电阻R2以及MOS管Q2的源极连接；所述MOS管Q2的栅极分别与电容C1以及电阻R3连接。本实用新型专利技术的优点在于：极大的降低了短路保护电路的成本，提高了可靠性，并具备故障消除后的自恢复。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS自锁的短路保护电路
本技术涉及电路保护
，特别指一种基于MOS自锁的短路保护电路。
技术介绍
电子产品需要直流电源设备对其进行供电，直流电源设备的安全性直接关乎人们使用电子产品的安全性，因此需要加强直流电源设备的保护措施。所以在直流电源设备的设计过程中，会增加过压、过流以及过热等保护电路，但是在极端情况下，还是会发生负载短路、错误搭接等情况，导致电源的正负极发生短路。针对电源的正负极发生短路的情况，需要设计短路保护电路。但是传统上的短路保护电路存在如下缺点：1、由于通过采用有源器件(芯片)来提供短路保护，需要额外的电源进行供电，导致短路保护电路结构复杂、成本高；2、由于总的开关器件为三极管，为通过电流控制，驱动条件高、功耗高于MOS管，使得可靠性低于通过电压控制的MOS管；3、未设置故障消除后自动恢复的机制，使得故障消除后需要先断电再上电才能恢复初始状态。因此，如何提供一种基于MOS自锁的短路保护电路，实现降低短路保护电路的成本，提高可靠性，并具备故障消除后的自恢复，成为一个亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种基于MOS自锁的短路保护电路，实现降低短路保护电路的成本，提高可靠性，并具备故障消除后的自恢复。本技术是这样实现的：一种基于MOS自锁的短路保护电路，包括一电源输入正极、一电源输入负极、一电源输出正极以及一电源输出负极，还包括一MOS管Q1、一MOS管Q2、一电容C1、一电阻R1、一电阻R2以及一电阻R3；所述MOS管Q1的漏极分别与MOS管Q2的漏极、电阻R1、电容C1以及电源输入正极连接，源极分别与所述电阻R1、电阻R3、电源输出正极、电源输入负极以及电源输出负极连接，栅极分别与所述电阻R2以及MOS管Q2的源极连接；所述MOS管Q2的栅极分别与电容C1以及电阻R3连接。进一步地，所述MOS管Q1以及MOS管Q2均为增强型P沟道MOS管。本技术的优点在于：1、通过设置所述MOS管Q1、MOS管Q2、电容C1、电阻R1、电阻R2以及电阻R3均为无源器件，不需要额外的电源进行供电，且未采用芯片来提供短路保护，使得所述短路保护电路结构简单、相对于传统上极大的降低了所述短路保护电路的成本。2、通过设置所述MOS管Q1、MOS管Q2，代替传统的三极管，只需通过电压即可进行控制，且功耗低于三极管，极大的提升了所述短路保护电路的可靠性。3、通过在所述MOS管Q1的漏极和源极两端并联电阻R1，当故障消除后，输入电压从电源输入正极依次经过所述电阻R1以及电阻R3，拉高所述MOS管Q2栅极的电压，使得所述MOS管Q2截止，进而导通所述MOS管Q1，即使得所述短路保护电路具备故障消除后的自恢复。附图说明下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。图1是本技术一种基于MOS自锁的短路保护电路的电路图。具体实施方式请参照图1所示，本技术一种基于MOS自锁的短路保护电路的较佳实施例，包括一电源输入正极(IN+)、一电源输入负极(IN-)、一电源输出正极(OUT+)以及一电源输出负极(OUT-)，还包括一MOS管Q1、一MOS管Q2、一电容C1、一电阻R1、一电阻R2以及一电阻R3；所述电源输入正极以及电源输入负极用于给短路保护电路供电；所述电源输出正极以及电源输出负极用于给电子产品供电，且所述电源输出负极为接地端；所述MOS管Q1用于短路保护电路上电后输出电压；所述MOS管Q2用于短路故障发生后，拉低所述MOS管Q1栅极的电压(使得所述MOS管Q1的栅极接地)，从而断开所述MOS管Q1的电压输出；所述电容C1用于在短路保护电路上电后使得MOS管Q2截止导通；所述电阻R1用于短路故障消除后，所述短路保护电路自动恢复至正常输出状态；所述电阻R2用于为MOS管Q1的栅极限流；所述电阻R3用于为MOS管Q2的栅极限流。所述MOS管Q1的漏极分别与MOS管Q2的漏极(D极)、电阻R1、电容C1以及电源输入正极连接，源极(S极)分别与所述电阻R1、电阻R3、电源输出正极、电源输入负极以及电源输出负极连接，栅极(G极)分别与所述电阻R2以及MOS管Q2的源极连接；所述MOS管Q2的栅极分别与电容C1以及电阻R3连接。所述MOS管Q1以及MOS管Q2均为增强型P沟道MOS管。本技术工作原理：正常工作状态：所述电源输入正极初始上电的瞬间，由于电压从零上升至稳态具有交流电特性，使得所述电容C1导通从而拉高MOS管Q2的栅极电压(所述电容C1具备通交流隔直流的特性)，使得MOS管Q2栅极的电压不小于漏极的电压，进而使得增强型P沟道MOS管不满足导通条件而可靠截止MOS管Q2；由于所述MOS管Q1的栅极通过电阻R2与电源输出负极连接，即接地，使得所述MOS管Q1栅极的电压小于漏极的电压，进而使得增强型P沟道MOS管满足导通条件而导通MOS管Q1，即使所述短路保护电路进入正常工作状态，通过电源输出正极以及电源输出负极向电子产品供电。故障发生状态：发生短路故障时，所述电源输出正极的电压被拉低，从而导致所述MOS管Q2栅极的电压被拉低，使得所述MOS管Q2栅极的电压小于漏极的电压，进而使得增强型P沟道MOS管满足导通条件而导通MOS管Q2；由于所述MOS管Q2的导通，使得所述MOS管Q1栅极的电压拉高，使得MOS管Q1栅极的电压不小于漏极的电压，进而使得增强型P沟道MOS管不满足导通条件而可靠截止MOS管Q1，进而对电路进行保护。故障消除状态：当短路故障消除时，输入电压从电源输入正极依次经过所述电阻R1以及电阻R3，拉高所述MOS管Q2栅极的电压，使得MOS管Q2栅极的电压不小于漏极的电压，进而使得增强型P沟道MOS管不满足导通条件而可靠截止MOS管Q2；由于所述MOS管Q2的可靠截止，使得所述MOS管Q1栅极的电压小于漏极的电压，进而使得增强型P沟道MOS管满足导通条件而导通MOS管Q1，即使得所述短路保护电路恢复到正常工作状态。综上所述，本技术的优点在于：1、通过设置所述MOS管Q1、MOS管Q2、电容C1、电阻R1、电阻R2以及电阻R3均为无源器件，不需要额外的电源进行供电，且未采用芯片来提供短路保护，使得所述短路保护电路结构简单、相对于传统上极大的降低了所述短路保护电路的成本。2、通过设置所述MOS管Q1、MOS管Q2，代替传统的三极管，只需通过电压即可进行控制，且功耗低于三极管，极大的提升了所述短路保护电路的可靠性。3、通过在所述MOS管Q1的漏极和源极两端并联电阻R1，当故障消除后，输入电压从电源输入正极依次经过所述电阻R1以及电阻R3，拉高所述MOS管Q2栅极的电压，使得所述MOS管Q2截止，进而导通所述MOS管Q1，即使得所述短路保护电路具备故障消除后的自恢复。虽然以上描述了本技术的具体实施方式，但是熟悉本技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MOS自锁的短路保护电路，包括一电源输入正极、一电源输入负极、一电源输出正极以及一电源输出负极，其特征在于：还包括一MOS管Q1、一MOS管Q2、一电容C1、一电阻R1、一电阻R2以及一电阻R3；/n所述MOS管Q1的漏极分别与MOS管Q2的漏极、电阻R1、电容C1以及电源输入正极连接，源极分别与所述电阻R1、电阻R3、电源输出正极、电源输入负极以及电源输出负极连接，栅极分别与所述电阻R2以及MOS管Q2的源极连接；所述MOS管Q2的栅极分别与电容C1以及电阻R3连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS自锁的短路保护电路，包括一电源输入正极、一电源输入负极、一电源输出正极以及一电源输出负极，其特征在于：还包括一MOS管Q1、一MOS管Q2、一电容C1、一电阻R1、一电阻R2以及一电阻R3；
所述MOS管Q1的漏极分别与MOS管Q2的漏极、电阻R1、电容C1以及电源输入正极连接，源极分别与所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤平，孔腾，纪龙治，邓秉杰，王伟平，
申请(专利权)人：福建星云电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35