一种光信号发射器件制造技术

技术编号:25578921 阅读:36 留言:0更新日期:2020-09-08 20:17
本发明专利技术公开了激光二极管领域的一种光信号发射器件,光信号发射器件包括驱动芯片组件、激光器TEC组件和壳体,驱动芯片组件和激光器TEC组件封装于所述壳体中,激光器TEC组件中的激光器热沉基板包括用于安装激光二极管芯片的第一部分和用于安装棱镜的第二部分,第一部分上具有用于安装半导体激光器LD的镀层,激光器热沉基板上还有用于定位所述棱镜的定位结构。本发明专利技术的有益效果在于,避免了驱动芯片和半导体激光器之间长的走线,降低了长的走线带来的寄生电感和寄生电容,解决了寄生电感、寄生电容以及阻抗不匹配等带来的影响高频信号质量的问题,提高了光发射器件的使用带宽,使得光信号发射器件更适合应用于高速率光通信设备。

【技术实现步骤摘要】
一种光信号发射器件
本专利技术涉及激光二极管领域,具体涉及一种光信号发射器件。
技术介绍
目前用于高速光纤通信的光收发模块中常用的光信号发射器件(TOSA)、半导体激光器(LD)的驱动芯片(Driver)均是布置在光收发模块的主板上。驱动芯片(Driver)通过柔性电路板(FPC)连接光发射器件(TOSA),并驱动光发射器件(TOSA)中的半导体激光器(LD)。驱动芯片(Driver)主要作用是对半导体激光器(LD)的直流偏置电流与高频的调制电流进行耦合,为半导体激光器(LD)提供已调制的驱动电流。同时驱动芯片(Driver)还可对输入信号进行放大,并对直流偏置电流和高频调制电流进行控制,使激光器处于最佳的工作状态。现有技术方案中,半导体激光器(LD)和驱动芯片(Driver)分别位于光模块主板和光发射器件(TOSA)内,激光器(LD)和驱动芯片(Driver)之间有柔性电路板(FPC)连接,半导体激光器(LD)和驱动芯片(Driver)间走线很长。随着光通信速率越来越高,长的高频信号走线容易产生寄生电感,寄生电容以及阻抗不匹配本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光信号发射器件,包括驱动芯片组件(114)、激光器TEC组件(113)和壳体(11),所述驱动芯片组件(114)和所述激光器TEC组件(113)相邻放置,封装于所述壳体中,其特征在于,/n所述激光器TEC组件(113)包括激光器热沉基板(1131)和半导体激光器LD(1132),/n所述激光器热沉基板(1131)包括用于安装激光二极管芯片的第一部分和用于安装棱镜的第二部分,第一部分上具有用于安装半导体激光器LD(1132)的镀层,所述激光器热沉基板(1131)上还有用于定位所述棱镜的定位结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种光信号发射器件,包括驱动芯片组件(114)、激光器TEC组件(113)和壳体(11),所述驱动芯片组件(114)和所述激光器TEC组件(113)相邻放置,封装于所述壳体中,其特征在于,
所述激光器TEC组件(113)包括激光器热沉基板(1131)和半导体激光器LD(1132),
所述激光器热沉基板(1131)包括用于安装激光二极管芯片的第一部分和用于安装棱镜的第二部分,第一部分上具有用于安装半导体激光器LD(1132)的镀层,所述激光器热沉基板(1131)上还有用于定位所述棱镜的定位结构。


2.如权利要求1所述的一种光信号发射器件,其特征在于,用于定位所述棱镜的定位结构包括所述第一部分和所述第二部分构成的台阶。


3.如权利要求1所述的一种光信号发射器件,其特征在于,所述壳体(11)上有用于所述壳体(11)内外信号传输的贯穿针,所述驱动芯片组件(114)根据所述贯穿针传输的信号驱动所述激光器TEC组件(113)上的半导体激光器LD(1132)发光。


4.如权利要求3所述的一种光信号发射器件,其特征在于,所述壳体(11)包括集管头(111)和壳盖(112),所述集管头(111)和所述壳盖(112)组合构成所述壳体(11)内部的密封空间;
所述集管头(111)用于嵌入多个所述贯穿针,所述集管头(111)还用于在其内侧上表面固定所述驱动芯片组件(114)和所述激光器TEC组件(113);
所述壳盖(112)上嵌入光学透镜(1122),所述光学透镜(1122)用于汇集壳盖内的光线,并作为所述光线的向外传输的出口。


5.如权利要求4所述的一种光信号发射器件,其特征在于,所述激光器TEC组件(113)包括半导体制冷器(1133),所述半导体制冷器(1133)粘贴在所述集管头(111)上,所述激光器热沉基板(1131)粘贴在所述半导体制冷器(1133)上,所述半导体制冷器(1133)通过其中两个所述贯穿针获取外部的制冷控制信号,并根据所述制冷控制信号为所述半导体激光器LD(1132)制冷。


6.如权利要求5所述的一种光信号发射器件,...

【专利技术属性】
技术研发人员:维卡斯·马南赖人铭
申请(专利权)人:成都英思嘉半导体技术有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1