硅片绒面结构、具有该绒面结构的硅片及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种硅片绒面结构，包括V型槽与正置金字塔和/或倒置金字塔结构的组合。本发明专利技术还提供一种具有本发明专利技术的硅片绒面结构的硅片。同时，本发明专利技术还提供本发明专利技术的硅片在太阳能电池中的应用。本发明专利技术的硅片绒面结构具有如下优点：比现有技术的正置金字塔或倒置金字塔绒面结构具有更加优异的全向性能，同时比现有技术正置金字塔绒面结构具有更加优越的垂直反射率。本发明专利技术的硅片绒面结构不仅能够在标准测试条件下具有更好的电学性能，还可以在实际应用中，与现有太阳能电池组件技术相比，一天内可以获得更多的发电量，从而降低降低太阳能组件发电成本。

【技术实现步骤摘要】
硅片绒面结构、具有该绒面结构的硅片及其应用
本专利技术属于半导体光伏领域。具体地，本专利技术涉及一种硅片绒面结构、具有该绒面结构的硅片及其应用。
技术介绍
光滑的硅表面会使约30％的太阳光能量反射回大气中，这严重地制约了太阳光的利用程度，以至于限制太阳能电池效率的提高。为了提高太阳光的利用程度，表面制备微结构和镀减反射膜这两种方法被广泛地应用于硅基太阳能电池上。目前，利用碱的各向异性刻蚀原理，在硅表面上制备出随机的正置金字塔结构在工业中被广泛地应用。另外，利用铜金属催化刻蚀等技术制备出的倒置金字塔结构常在实验室中被用于高效太阳能电池的制备。这两种结构结合氮化硅的镀膜，可以制备出较低反射率的太阳能电池片，但是不管是正置金字塔还是倒置金字塔的反射率，随着入射角度的增加，反射率逐渐升高。理论计算下，在波长为1000nm时，正置金字塔入射角为0°时，反射率为10.37％；当入射角为60°时，反射率为19.78％；当入射角为80°时，上升到惊人的23.76％。而对于倒置金字塔结构，入射角为0°时，反射率为7.75％；当入射角为60°时，反射率为2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片绒面结构，包括V型槽与正置金字塔和/或倒置金字塔结构的组合。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片绒面结构，包括V型槽与正置金字塔和/或倒置金字塔结构的组合。


2.根据权利要求1所述的硅片绒面结构，其中，以硅片绒面结构总面积为基准，所述V型槽所占比例为10％到小于100％。


3.根据权利要求1所述的硅片绒面结构，其中，所述V型槽的侧壁夹角β满足：70°≤β≤90°。


4.根据权利要求3所述的硅片绒面结构，其中，当所述V型槽的侧壁夹角为70°≤β＜75°时，以硅片绒面结构总面积为基准，所述V型槽所占比例为10％到小于90％。


5.根据权利要求3所述的硅片绒面结构，其中，当所述V型槽的侧壁夹角为75°≤β＜80°时，以硅片绒面结构总面积为基准，所述V型槽所占比例为10％到80％。


6.根据权利要求3所述的硅片绒面结构，其中，当所述V型槽的侧壁夹角为80°≤β＜...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈全胜，赵燕，刘尧平，吴俊桃，唐旱波，林珊，杜小龙，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11