【技术实现步骤摘要】
非易失性SRAM数据加密装置
本专利技术涉及电数字数据处理
，具体的是一种非易失性SRAM数据加密装置。
技术介绍
SRAM静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)是随机存取存储器的一种。其特征是，这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatilememory)。SRAM芯片使用时，一是接入外接电源，二是将电源和SRAM芯片一同封装于壳体当中。其弊端在于，窃密者在窃密时，只需要在保持不破坏电源供电的情况下，打开壳体，即可通过芯片的针脚，读出芯片内的数据，其保密性差。
技术实现思路
基于SRAM断电后数据消失这一特性，结合物理机构，本专利技术提供一种数据加密装置。本专利技术的技术方案是：非易失性SRAM数据加密装置，包括壳体、SRAM、供电导线和第一电源，所述SRAM、供电导线和第一电源设置于壳体内部，第一电源通过供电导线为SRAM供电，所述壳体包括基座和上...
【技术保护点】
1.非易失性SRAM数据加密装置，包括壳体、SRAM、供电导线和第一电源，所述SRAM、供电导线和第一电源设置于壳体内部，第一电源通过供电导线为SRAM供电，其特征在于：所述壳体包括基座和上盖，所述上盖处设有第二电源，所述第二电源包括分别与第二电源正极和负极相连的第一端子和第二端子，所述供电导线包括与SRAM相连的芯片段和与第一电源相连的电源段，上盖与基座闭合时，第一端子和第二端子与芯片段相连通，所述电源段的熔断电流与芯片段的熔断电流之比为2:3-14。/n
【技术特征摘要】
1.非易失性SRAM数据加密装置，包括壳体、SRAM、供电导线和第一电源，所述SRAM、供电导线和第一电源设置于壳体内部，第一电源通过供电导线为SRAM供电，其特征在于：所述壳体包括基座和上盖，所述上盖处设有第二电源，所述第二电源包括分别与第二电源正极和负极相连的第一端子和第二端子，所述供电导线包括与SRAM相连的芯片段和与第一电源相连的电源段，上盖与基座闭合时，第一端...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈权海，原宗庆，庄宇，马力，丛琦，宋红涛，
申请(专利权)人：威海银创微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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