一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及LED驱动芯片技术领域，具体公开了一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、放大器AMP、开关管、比较器COMP、或非门N1、或非门N2和非门M1；比较器COMP的同相输入端与电阻R2的另一端连接；比较器COMP的反相输入端用于输入CLK信号；或非门N1的第一输入端与RESET引脚连接；或非门N1的第二输入端与或非门N2的输出端连接；或非门N1的输出端与或非门N2的第一输入端连接；或非门N2的第二输入端与比较器COMP的输出端连接；或非门N2的输出端还与非门的输入端连接，非门的输出端用于输出过压保护电压值至SW引脚。本实用新型专利技术的技术方案电路简单且成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路
本技术涉及LED驱动芯片
，特别涉及一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路。
技术介绍
目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，其需要由专用的驱动芯片来进行驱动，因此市面上便出现了各式各样的驱动芯片，包括开关升压型LED驱动芯片。开关升压型LED驱动芯片中通常需要对输出LED开路状态进行保护。如图1所示，当LED发生开路时，驱动芯片的FB引脚通过电阻RSET对地短路，驱动芯片会以最大占空比工作，Vout会不断升高。当SW的电压大于内部开关管的源漏击穿电压时，SW引脚会被击穿，导致驱动芯片的损坏。目前常见的输出开路保护方法有如下两种方法：1、如图2所示，增加一个OVP引脚来检测VOUT电压，当VOUT电压等于SW引脚的击穿电压减去肖特基二极管时，驱动芯片停止工作，从而达到保护SW引脚的目的；2、驱动芯片内部采样SW引脚的电压的高电平电压，并将采样结果和一参考电压相比较，当采样电压高于参考电压时关掉驱动芯片，以保护SW引脚不会损坏。上述实现方法中，方法1的缺点是驱动芯片会额外增加一个OVP引脚，从而增加成本；方法2的缺点是采样电路的实现较复杂。为此，需要一种电路简单且成本低的输出开路保护电路。
技术实现思路
本技术提供了一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路，电路简单且成本低。为了解决上述技术问题，本申请提供如下技术方案：一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、放大器AMP、开关管、比较器COMP、或非门N1、或非门N2和非门M1；电阻R1的一端用于接入输入SW引脚前的电压信号VSW，电阻R1的另一端与放大器AMP的同相输入端连接；放大器AMP的输出端与开关管的G极连接，开关管的D极用于输入内部电压VDD；开关管的S极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端接地；放大器AMP的反相输入端与电阻R2的另一端连接；比较器COMP的同相输入端与电阻R2的另一端连接；比较器COMP的反相输入端用于输入CLK信号；或非门N1的第一输入端与RESET引脚连接；或非门N1的第二输入端与或非门N2的输出端连接；或非门N1的输出端与或非门N2的第一输入端连接；或非门N2的第二输入端与比较器COMP的输出端连接；或非门N2的输出端还与非门的输入端连接，非门的输出端用于输出过压保护电压值至SW引脚。基础方案原理及有益效果如下：由于将输入SW引脚的电压信号VSW进行滤波后再采样并进行比较，从而不会出现误采样或误触发等问题。过压保护电压值由SW引脚输入后，便于后续进行驱动芯片的关断，不再需要额外设置OVP引脚。综上，本方案电路简单且成本低。进一步，还包括电容C2、电阻R4、CMOS反向器E1和CMOS反向器E2；CMOS反向器E1的输入端用于输入CLK信号，COMS反向器E1的输出端与CMOS反向器E2的输入端连接，CMOS反向器E2的输出端与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与比较器COMP的反相输入端连接；电容C2的一端与电阻R4的另一端连接，电容C2的另一端接地。开路保护时的SW引脚波形和内部时钟信号二者的占空比相同；当工艺变化，电源电压或者温度变化时，CLK的占空比会随之变化，而SW的占空比也会变化。当CLK占空比变化时，比较器COMP同相输入端和反相输入端的电压也会随着同步变化，以消除CLK占空比变化对过压保护电压值的影响，从而得到一个不随温度，工艺及工作电压变化的过压保护电压值。进一步，还包括电容C1，电容C1的一端与放大器AMP的同相输入端连接，电容C1的另一端接地。通过设置电容C1，可以起到抗干扰的作用。进一步，所述开关管采用MOS管。附图说明图1为现有LED驱动电路的电路图；图2为现有输出开路保护电路的电路图；图3为实施例中输出开路保护电路的电路图；图4为实施例中SW和CLK的时序图。具体实施方式下面通过具体实施方式进一步详细说明：实施例本实施例的一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路，如图3所示，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、放大器AMP、开关管、比较器COMP、或非门N1、或非门N2、非门M1、CMOS反向器E1和CMOS反向器E2。本实施例中，开关管采用MOS管Q1。电阻R1的一端用于接入输入SW引脚前的电压信号VSW，电阻R1的另一端与放大器AMP的同相输入端连接；电容C1的一端与放大器AMP的同相输入端连接，电容C1的另一端接地。放大器AMP的输出端与MOS管Q1的G极连接，MOS管Q1的D极用于输入内部电压VDD；MOS管Q1的S极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端接地。放大器AMP的反相输入端与电阻R2的另一端连接；比较器COMP的同相输入端与电阻R2的另一端连接；或非门N1的第一输入端与RESET引脚连接；或非门N1的第二输入端与或非门N2的输出端连接；或非门N1的输出端与或非门N2的第一输入端连接；或非门N2的第二输入端与比较器COMP的输出端连接；或非门N2的输出端还与非门的输入端连接；非门的输出端与驱动芯片的SW引脚连接，用于输出过压保护电压值至SW引脚。CMOS反向器E1的输入端用于输入CLK信号，COMS反向器E1的输出端与CMOS反向器E2的输入端连接，CMOS反向器E2的输出端与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与比较器COMP的反相输入端连接。电容C2的一端与电阻R4的另一端连接，电容C2的另一端接地。本实施例中，开路保护时的SW引脚波形和内部时钟信号如图4所示，二者占空比相同；当工艺变化，电源电压或者温度变化时，CLK的占空比会随之变化，而SW的占空比也会变化。当CLK占空比变化时，VREF_OVP和VSENSE也会随着同步变化，以消除CLK占空比变化对过压保护电压值得影响。从而得到一个不随温度，工艺及工作电压变化的过压保护电压值。由于将输入SW引脚的电压信号VSW进行滤波后再采样并进行比较，从而不会出现误采样或误触发等问题。过压保护电压值由SW引脚输入后，便于后续进行驱动芯片的关断，不再需要额外设置OVP引脚。驱动芯片包括SW引脚和RESET引脚属于现有技术，这里不再赘述。以上的仅是本技术的实施例，该技术不限于此实施案例涉及的领域，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述，所属领域普通技术人员知晓申请日或者优先权日之前技术所属
所有的普通技术知识，能够获知该领域中所有的现有技术，并且具有应用该日期之前常规实验手段的能力，所属领域普通技术人员可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路，其特征在于，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、放大器AMP、开关管、比较器COMP、或非门N1、或非门N2和非门M1；/n电阻R1的一端用于接入输入SW引脚前的电压信号VSW，电阻R1的另一端与放大器AMP的同相输入端连接；/n放大器AMP的输出端与开关管的G极连接，开关管的D极用于输入内部电压VDD；开关管的S极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端接地；/n放大器AMP的反相输入端与电阻R2的另一端连接；比较器COMP的同相输入端与电阻R2的另一端连接；比较器COMP的反相输入端用于输入CLK信号；/n或非门N1的第一输入端与RESET引脚连接；或非门N1的第二输入端与或非门N2的输出端连接；/n或非门N1的输出端与或非门N2的第一输入端连接；或非门N2的第二输入端与比较器COMP的输出端连接；或非门N2的输出端还与非门的输入端连接，非门的输出端用于输出过压保护电压值至SW引脚。/n

【技术特征摘要】
1.一种开关升压型LED驱动芯片中的输出开路保护电路，其特征在于，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、放大器AMP、开关管、比较器COMP、或非门N1、或非门N2和非门M1；
电阻R1的一端用于接入输入SW引脚前的电压信号VSW，电阻R1的另一端与放大器AMP的同相输入端连接；
放大器AMP的输出端与开关管的G极连接，开关管的D极用于输入内部电压VDD；开关管的S极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端接地；
放大器AMP的反相输入端与电阻R2的另一端连接；比较器COMP的同相输入端与电阻R2的另一端连接；比较器COMP的反相输入端用于输入CLK信号；
或非门N1的第一输入端与RESET引脚连接；或非门N1的第二输入端与或非门N2的输出端连接；
或非门N1的输出端与或非门N2的第一输入端连接；或非门N2的第二输入端与比较器COMP的输出端连接；或非门N2的输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：马先林，陈国辉，郎宁，杨发顺，
申请(专利权)人：贵州道森集成电路科技有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州;52