采用正电荷有机分子在玻璃基制品中蚀刻孔的方法技术

公开了通过激光破坏和蚀刻工艺在玻璃基制品中形成孔的方法，该激光破坏和蚀刻工艺包括具有正电荷有机分子的蚀刻溶液。在一些实施方式中，在玻璃基制品中形成孔的方法包括形成穿过玻璃基制品本体的破坏迹线，该破坏迹线从玻璃基制品的第一表面延伸至玻璃基制品的第二表面，以及将蚀刻溶液应用于玻璃基制品从而形成孔。蚀刻溶液包括至少一种酸和正电荷有机分子。在第一表面和第二表面处的蚀刻速率低于在破坏迹线处的蚀刻速率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】采用正电荷有机分子在玻璃基制品中蚀刻孔的方法本申请要求2017年12月19日提交的系列号为62/607,638的美国临时申请的优先权权益，本文以该申请的内容为基础并通过引用将其全部结合入本文。
技术介绍

本说明书一般涉及用于在玻璃基制品中形成孔(via)的方法，并且更具体地，涉及通过采用蚀刻溶液中的正电荷有机分子在玻璃基制品中形成具有增加的腰部直径的孔的方法。技术背景具有孔的玻璃基制品可以用于宽范围的多种应用。由于其电性质，例如低介电常数和低耗散因数，玻璃材料可能特别希望被用于电子应用。在高频应用(例如无线通信应用)中可能希望此类电性质。例如，具有孔的玻璃基制品可以用作再分布层或中介层。可以通过激光破坏和蚀刻工艺在玻璃基制品中形成孔，其中，由脉冲激光束形成穿过玻璃基制品本体的破坏迹线。然后使用蚀刻溶液对具有破坏迹线的玻璃基制品进行蚀刻。破坏迹线中的材料的蚀刻速率高于未被激光束破坏的材料本体的蚀刻速率。因此，可以形成穿过玻璃基制品的孔。然而，激光破坏和蚀刻工艺所产生的孔可能具有明显小于在玻璃基制品的第一表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在玻璃基制品中形成孔的方法，方法包含：/n形成穿过玻璃基制品本体的破坏迹线，该破坏迹线从玻璃基制品的第一表面延伸至玻璃基制品的第二表面，以及/n将蚀刻溶液应用于玻璃基制品从而形成孔，其中：/n蚀刻溶液包含至少一种酸和正电荷有机分子；以及/n在第一表面和第二表面处的蚀刻速率低于在破坏迹线处的蚀刻速率。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171219 US 62/607,6381.一种在玻璃基制品中形成孔的方法，方法包含：
形成穿过玻璃基制品本体的破坏迹线，该破坏迹线从玻璃基制品的第一表面延伸至玻璃基制品的第二表面，以及
将蚀刻溶液应用于玻璃基制品从而形成孔，其中：
蚀刻溶液包含至少一种酸和正电荷有机分子；以及
在第一表面和第二表面处的蚀刻速率低于在破坏迹线处的蚀刻速率。


2.如权利要求1所述的方法，其中，正电荷有机分子包括包含正电荷的亲水部分和疏水部分。


3.如权利要求1所述的方法，其中，正电荷有机分子包含至少一种表面活性剂和至少一种聚电解质中的一种或多种。


4.如权利要求1所述的方法，其中，正电荷有机分子包含CTAB。


5.如权利要求1所述的方法，其中，正电荷有机分子包含PDADMAC。


6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，正电荷有机分子的浓度在0.0035重量％至10重量％范围内，包含端点。


7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一种酸包含氢氟酸。


8.如权利要求7所述的方法，其中，氢氟酸的浓度在1重量％至20重量％范围内，包含端点。


9.如权利要求7所述的方法，其中，所述至少一种酸进一步包含无机酸。


10.如权利要求9所述的方法，其中，无机酸的浓度小于或等于40重量％。


11.如权利要求9所述的方法，其中，无机酸为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、醋酸和酒石酸中的一种或多种。


12.如权利要求11所述的方法，其中，蚀刻溶液进一步包含含氟化合物。


13.如权利要求12所述的方法，其中，含氟化合物包含氟化铵、氟化钾、氟化钠、二氟化铵、二氟化钾和二氟化钠中的一种或多种。


14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，玻璃基制品包含铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、熔凝二氧化硅、钠钙玻璃或玻璃陶瓷。


15.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中：
玻璃基制品在蚀刻后具有在200m至700m范围内的厚度，包括端点；以及
孔具有小于在第一表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡红梅，黄甜，金宇辉，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US