离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的装置，包括从上游往下游依次连接的中和反应池(1)、沉淀池(2)、超滤单元(3)和泥水分离器(4)。与现有技术相比，本实用新型专利技术不改变现有一次盐水精制工艺，不影响现有的生产，仅在现有的一次盐水精制工序的最后增加深度精制单元，技改容易实施，且加入的精制剂量少且不会在精制盐水中残留，同时又可以可将硅铝杂质同时去除，操作的宽容度大。

【技术实现步骤摘要】
离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的装置
本技术涉及烧碱生产领域，尤其是涉及一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的装置。
技术介绍
采用氯化钠饱和盐水生产烧碱是一种成熟的技术，自上世界八十年代中期离子膜制碱技术在中国氯碱行业成功应用以来，中国的氯碱行业无论是技术和设备均进步神速，产能更是高居全球第一。随着技术的不断进步，获得高品质盐水、降低电耗、延长离子膜寿命也就成了氯碱行业各生产厂家研究的课题。离子膜烧碱对进电解槽的盐水有着严格的要求，除了钙镁离子、悬浮物等指标以外，对盐水中的硅、铝指标也有严格的限制，如：SiO2≤5mg/L，Al3+≤0.1mg/L等。鉴于目前氯碱生产采用了诸多的混凝土设施，如卤水池、散装盐库、化盐池等，使得混凝土被腐蚀，硅、铝溶出进入盐水中，再加上一次盐水精制主要是除钙镁离子和悬浮物，整个精制过程是在碱性条件下进行(氢氧化钠过碱量：0.1-0.3g/L，碳酸钠过碱量：0.3-0.5g/L)，而硅作为两性非金属、铝作为两性金属，均在碱性条件下有较高的溶解度。另外，现有的一次盐水精制无法去除的硅、铝，也本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的装置，其特征在于，包括从上游往下游依次连接的中和反应池（1）、沉淀池（2）、超滤单元（3）和泥水分离器（4）；所述的超滤单元（3）中超滤膜孔径为0.03-0.08 μm，其结构形式为柱式、浸没式或平板式；所述的超滤采用错流过滤，压力为0.1-0.5 MPa；所述的超滤单元（3）的截留液出口与泥水分离器（4）连接，超滤单元（3）的渗透液出口与后续工段连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的装置，其特征在于，包括从上游往下游依次连接的中和反应池（1）、沉淀池（2）、超滤单元（3）和泥水分离器（4）；所述的超滤单元（3）中超滤膜孔径为0.03-0.08μm，其结构形式为柱式、浸没式或平板式；所述的超滤采用错流过滤，压力为0.1-0.5MPa；所述的超滤单元（3）的截留液出口与泥水分离器（4）连接，超滤单元（3）的渗透液出口与后续工段连接。


2.根据权利要求1所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的装置，其特征在于，所述的沉淀池（2）和超滤单元（3）之间还设有中间槽。


3.根据权利要求2所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的装置，其特征在于，所述的泥水分离器（4）的出液口与中间槽的进液口连接。


4.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：程雄，
申请(专利权)人：南京纳亿工程技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32