一种V波段CMOS功率放大器制造技术

本发明专利技术属于毫米波通信技术领域，具体提供一种V波段CMOS功率放大器，用以解决现有技术电路结构复杂、芯片面积大以及放大器匹配电路设计难度大等问题。本发明专利技术包括依次连接的输入匹配电路、第一级放大电路、级间匹配电路、第二级放大电路与输出匹配电路，两级放大电路分别采用堆叠晶体管M1(或M3)和M2(或M4)构成；本发明专利技术晶体管堆叠的方式结构简单，能够有效降低晶体管的击穿风险，并获得最佳的功放饱和输出功率；同时，晶体管堆叠结构能够大大提高毫米波功率放大电路的稳定性；另外，接地共面波导形式的输入、输出匹配电路，在毫米波频段实现堆叠晶体管的良好输入和输出匹配的同时能够进一步提升毫米波放大器的增益和输出功率。

【技术实现步骤摘要】
一种V波段CMOS功率放大器
本专利技术属于毫米波通信
，具体提供一种基于CMOS工艺的V波段功率放大器。
技术介绍
随着移动互联网对无线通信速率需求的巨大增长，高速毫米波无线通信成为通信领域的研究热点；与传统低频段通信系统相比，毫米波通信系统具有极宽的工作频带，因而系统的传输速度可以轻易达到Gbps量级。毫米波功率放大器是毫米波通信系统中的核心器件之一，目前，大多使用成本较高的III-V化合物半导体工艺制造。近年来，随着硅CMOS工艺的不断发展和成熟，其特征尺寸不断缩小，NCMOS晶体管截止频率已经超过200GHz，已具备实现毫米波功率放大器的能力。相比III-V族工艺，硅CMOS工艺具有高集成度、低成本的优势，引发了国内外学术界和产业界的研究热潮。硅CMOS放大器的原理是利用栅极的跨导实现信号的放大，但由于硅基工艺低击穿电压的缺点，限制了单管放大器的输出功率。为了提升放大器输出功率，通常采用多管并联合成的方式，如文献“J.N.ChangandY.S.Lin,“60GHzCMOSpoweramplifierwithPsatof1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种V波段CMOS功率放大器，包括依次连接的输入匹配电路、第一级放大电路、级间匹配电路、第二级放大电路与输出匹配电路；其特征在于：/n所述第一级放大电路由共源晶体管M1和共栅晶体管M2构成；所述共源晶体管M1的源极接地，栅极与栅极偏置电路连接、并通过隔直电容C2与输入匹配电路连接，漏极与共栅晶体管M2的源极连接；所述共栅晶体管M2的栅极与栅极偏置电路连接、并通过电容C3接地，漏极与级间匹配电路连接；/n所述第二级放大电路由共源晶体管M3和共栅晶体管M4构成；所述共源晶体管M3的源极接地，栅极与栅极偏置电路连接、并通过隔直电容C4与级间匹配电路连接，漏极与共栅晶体管M4的源极连接；所述共栅晶...

【技术特征摘要】
1.一种V波段CMOS功率放大器，包括依次连接的输入匹配电路、第一级放大电路、级间匹配电路、第二级放大电路与输出匹配电路；其特征在于：
所述第一级放大电路由共源晶体管M1和共栅晶体管M2构成；所述共源晶体管M1的源极接地，栅极与栅极偏置电路连接、并通过隔直电容C2与输入匹配电路连接，漏极与共栅晶体管M2的源极连接；所述共栅晶体管M2的栅极与栅极偏置电路连接、并通过电容C3接地，漏极与级间匹配电路连接；
所述第二级放大电路由共源晶体管M3和共栅晶体管M4构成；所述共源晶体管M3的源极接地，栅极与栅极偏置电路连接、并通过隔直电容C4与级间匹配电路连接，漏极与共栅晶体管M4的源极连接；所述共栅晶体管M4的栅极与栅极偏置电路连接、并通过电容C6接地，漏极与输出匹配电路连接。


2.按权利要求1所述V波段CMOS功率放大器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨自强，行苗，杨涛，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51