一种供电控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种供电控制装置，包括电源和GaN功率放大器，还包括MCU、与所述MCU连接的控制器、漏极电源开关以及电源转换电路，所述控制器与所述漏极电源开关连接用于打开或关闭漏极电源开关，所述控制器与所述GaN功率放大器的栅极连接用于向GaN功率放大器的栅极输出负电压以使GaN功率放大器正确偏置其栅极的负压，所述电源分别与所述漏极电源开关、电源转换电路连接，所述漏极电源开关与所述GaN功率放大器的漏极连接，所述电源转换电路与所述控制器的负电源连接，所述电源用于给所述GaN功率放大器的漏极、所述控制器的负电源供电。本发明专利技术可满足GaN功率放大器的上电时序。

【技术实现步骤摘要】
一种供电控制装置
本专利技术涉及射频
，尤其是涉及一种GaN(氮化镓)功率放大器的供电控制装置。
技术介绍
5G时代需要用到大量的GaN(氮化镓)功率放大器。GaN功率放大器在上电时必须先偏置其栅极的负压，待栅极的负压稳定后才能偏置其漏极的正压。基于这种特殊的上电时序，为GaN功率放大器设计合理的供电控制电路至关重要，稳定可靠的供电控制电路是保证GaN器件正常偏置与正常工作的前提。因此，亟需提供一种可满足GaN功率放大器上电时序的供电控制装置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述技术的不足，提供一种可满足GaN功率放大器上电时序的供电控制装置。本专利技术提供的一种供电控制装置，包括电源和GaN功率放大器，还包括MCU、与所述MCU连接的控制器、漏极电源开关以及电源转换电路，所述控制器与所述漏极电源开关连接用于打开或关闭漏极电源开关，所述控制器与所述GaN功率放大器的栅极连接用于向GaN功率放大器的栅极输出负电压以使GaN功率放大器正确偏置其栅极的负压，所述电源分别与所述漏极电源开关、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种供电控制装置，包括电源和GaN功率放大器，其特征在于：还包括MCU、与所述MCU连接的控制器、漏极电源开关以及电源转换电路，所述控制器与所述漏极电源开关连接用于打开或关闭漏极电源开关，所述控制器与所述GaN功率放大器的栅极连接用于向GaN功率放大器的栅极输出负电压以使GaN功率放大器正确偏置其栅极的负压，所述电源分别与所述漏极电源开关、电源转换电路连接，所述漏极电源开关与所述GaN功率放大器的漏极连接，所述电源转换电路与所述控制器的负电源连接，所述电源用于给所述GaN功率放大器的漏极、所述控制器的负电源供电。/n

【技术特征摘要】
1.一种供电控制装置，包括电源和GaN功率放大器，其特征在于：还包括MCU、与所述MCU连接的控制器、漏极电源开关以及电源转换电路，所述控制器与所述漏极电源开关连接用于打开或关闭漏极电源开关，所述控制器与所述GaN功率放大器的栅极连接用于向GaN功率放大器的栅极输出负电压以使GaN功率放大器正确偏置其栅极的负压，所述电源分别与所述漏极电源开关、电源转换电路连接，所述漏极电源开关与所述GaN功率放大器的漏极连接，所述电源转换电路与所述控制器的负电源连接，所述电源用于给所述GaN功率放大器的漏极、所述控制器的负电源供电。


2.根据权利要求1所述的供电控制装置，其特征在于：所述控制器还用于在供电控制装置上电时关闭所述漏极电源开关，从而使得所述电源不能给所述GaN功率放大器的漏极供电；所述控制器还用于在向所述GaN功率放大器的栅极输出负电压后检测其输出的是否是正确的负电压，若检测其输出的是正确的电压，则将检测结果反馈给所述MCU，所述MCU根据所述控制器反馈的检测结果向控制器输出打开指令，以通过控制器打开所述漏极电源开关。


3.根据权利要求1所述的供电控制装置，其特征在于：还包括串接在所述GaN功率放大器的漏极和漏极电源开关之间的漏极电流检测模块，所述漏极电流检测模块与所述控制器连接用于将经所述漏极电源开关输入的电流转换为电压信号并将电压信号输出到所述控制器。


4.根据权利要求3所述的供电控制装置，其特征在于：所述MCU用于读取所述漏极电流检测模块输出到所述控制器的电压信号、将读取到电压信号转换为电流值以及将转换后的电流值与预设的门限电流值进行比较以判断所述GaN功率放大器是否正常工作，若检测结果大于预设的门限电流值，则向所述控制器输出关闭指令以通过控制器关闭所述漏极电源开关，从而可保护GaN功率放大器不损坏。


5.根据权利要求1所述的供电控制装置，其特征在于：还包括与所述控制器连接的温度检测模块，所述温度检测模块用于检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，李勇军，周金龙，
申请(专利权)人：深圳国人无线通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44