一种非易失性存储器的读取方法、装置及系统制造方法及图纸

一种非易失性存储器的读取方法、装置及系统，该方法包括使用初始读取条件对数据页中的数据进行读取，得到初始读取结果，初始读取条件为预设的多个读取条件中的一个；判断初始读取结果是否满足预设要求，预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量；若不满足预设要求，执行预设步骤，直至各个读取条件得到的读取结果均不满足预设要求，或者直至某个读取条件得到的读取结果满足预设要求；对满足预设要求的读取结果进行纠错，并将纠错后的数据发送至上位机；预设步骤包括：从预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件并进行读取，得到读取结果；判断读取结果是否满足预设要求。本发明专利技术可以提升读取准确率和速度，并降低系统的硬件开销。

【技术实现步骤摘要】
一种非易失性存储器的读取方法、装置及系统
本专利技术涉及非易失性存储器
，特别涉及一种非易失性存储器的读取方法、装置及系统。
技术介绍
在非易失性存储器的芯片中，通常需要加入错误编码纠正(ErrorCorrectingCode，ECC)模块，以提高芯片读取数据的可靠性。现有的非易失性存储器的读取流程是先从非易失性存储器的存储阵列中读取数据，然后交给ECC模块去纠错，最后将纠错后的数据输出给外界。但是由于非易失性存储器的易错性，以及外界环境的影响，可能会出现ECC纠错资源不够用的情况，即错误比特数目超过了ECC可以纠正的错误上限，导致输出数据产生错误。而如果把ECC纠错能力设计的非常强的话，带来的硬件成本开销会显著增加，并且完成纠错的时间较长。同时由于ECC纠错机制本身的机理，在超出纠错能力上限后，输出数据的错误数可能会远远大于原始数据的错误数，使得纠错机制出现问题带来的影响可能会更加严重。因此，如何提高读取准确率和速度，并降低系统的硬件开销，成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种非易失性存储器的读取方法、装置及系统，以提高读取准确率和速度，并降低系统的硬件开销。为实现上述目的，本专利技术实施例提供一种非易失性存储器的读取方法，包括：使用初始读取条件对非易失性存储器的数据页中的数据进行读取，得到初始读取结果，所述初始读取条件为预设的多个读取条件中的一个；判断所述初始读取结果是否满足预设要求，所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量；若所述初始读取结果不满足预设要求，执行预设步骤，直至使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求，或者直至使用所述多个读取条件中的某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求；当使用所述某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求时，对满足所述预设要求的所述读取结果进行纠错，并将纠错后的数据发送至上位机；其中，所述预设步骤包括：从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件；基于所述未使用的读取条件对所述数据页中的数据进行读取，得到读取结果；判断所述读取结果是否满足所述预设要求。在本专利技术的一实施例中，当使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求时，将未经纠错的读取结果以及纠错提示信息发送至所述上位机。在本专利技术的一实施例中，所述读取条件中包括多个参数，所述多个参数包括读取电压、电流阈值以及读取时长。在本专利技术的一实施例中，在从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件时，根据外部影响因素的变化情况选取相对应的读取条件，所述外部影响因素包括电源电压、外界温度以及噪声。在本专利技术的一实施例中，所述非易失性存储器包括：阻变存储器、相变存储器以及磁存储器。本专利技术实施例还提供一种非易失性存储器的读取装置，包括：第一读取单元，用于使用初始读取条件对非易失性存储器的数据页中的数据进行读取，得到初始读取结果，所述初始读取条件为预设的多个读取条件中的一个；第一判断单元，用于判断所述初始读取结果是否满足预设要求，所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量；循环迭代单元，用于若所述初始读取结果不满足预设要求，执行预设步骤，直至使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的各个读取结果均不满足所述预设要求，或者直至使用所述多个读取条件中的某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求；数据纠错单元，用于在使用所述多个读取条件中的某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求的情况下，对所述读取结果进行纠错，并将纠错后的数据发送至上位机；其中，所述循环迭代单元包括：读取条件选取子单元，用于从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件；第二读取子单元，用于基于所述未使用的读取条件对所述数据页中的数据进行读取，得到读取结果；第一判断子单元，用于判断所述读取结果是否满足所述预设要求。本专利技术实施例还提供一种非易失性存储器的读取系统，包括：非易失性存储器，所述非易失性存储器包括存储阵列与错误编码纠正模块；与所述非易失性存储器相连的控制模块；与所述控制模块相连的上位机；其中，所述存储阵列用于存储数据页；所述错误编码纠正模块用于接收所述控制模块发来的读取结果，判断所述读取结果是否满足预设要求，以及对满足所述预设要求的读取结果进行纠错，所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量；所述控制模块用于从预设的多个读取条件中选择读取条件，并利用选择的读取条件对所述数据页中的数据进行读取，将读取结果输入所述错误编码纠正模块，当所述初始读取结果不满足所述预设要求时，从预设的多个读取条件中选取其他读取条件进行读取，直至各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求，或者直至某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求；所述控制模块还用于将纠错后的数据发送至上位机。在本专利技术的一实施例中，所述控制模块还用于在使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求的情况下，将未经纠错的读取结果以及纠错提示信息发送至所述上位机。在本专利技术的一实施例中，所述上位机还用于在接收到所述控制模块发来的未经纠错的读取结果以及纠错提示信息后，运行指定纠错软件对所述未经纠错的读取结果进行纠错。本专利技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述指令被执行时实现上述所述读取方法的步骤。由以上本专利技术实施例提供的技术方案可以看出，本专利技术通过将读取结果输入错误编码纠正模块，计算出错误比特数量是否大于预定数量，只要超过预设数量，就更换读取条件，再次进行读取操作，避免了利用同一读取条件进行多次读取所导致的时延，同时通过改变读取条件可以抵消外界环境变化导致的数据错误，提高读取的准确率，此外，还可以有效降低错误编码纠正模块的纠错能力上限，从而减小系统的硬件开销。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种非易失性存储器的读取方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的一种非易失性存储器的读取装置的模块结构图；图3是本专利技术实施例提供的一种非易失性存储器的读取系统的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图和具体实施方式，对本专利技术的技术方案作详细说明，应理解这些实施方式仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落入本专利技术所附权利要求所限定的范围内。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的读取方法，其特征在于，包括：/n使用初始读取条件对非易失性存储器的数据页中的数据进行读取，得到初始读取结果，所述初始读取条件为预设的多个读取条件中的一个；/n判断所述初始读取结果是否满足预设要求，所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量；/n若所述初始读取结果不满足预设要求，执行预设步骤，直至使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求，或者直至使用所述多个读取条件中的某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求；/n当使用所述某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求时，对满足所述预设要求的所述读取结果进行纠错，并将纠错后的数据发送至上位机；/n其中，所述预设步骤包括：/n从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件；/n基于所述未使用的读取条件对所述数据页中的数据进行读取，得到读取结果；/n判断所述读取结果是否满足所述预设要求。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的读取方法，其特征在于，包括：
使用初始读取条件对非易失性存储器的数据页中的数据进行读取，得到初始读取结果，所述初始读取条件为预设的多个读取条件中的一个；
判断所述初始读取结果是否满足预设要求，所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量；
若所述初始读取结果不满足预设要求，执行预设步骤，直至使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求，或者直至使用所述多个读取条件中的某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求；
当使用所述某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求时，对满足所述预设要求的所述读取结果进行纠错，并将纠错后的数据发送至上位机；
其中，所述预设步骤包括：
从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件；
基于所述未使用的读取条件对所述数据页中的数据进行读取，得到读取结果；
判断所述读取结果是否满足所述预设要求。


2.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，还包括：
当使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求时，将未经纠错的读取结果以及纠错提示信息发送至所述上位机。


3.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述读取条件中包括多个参数，所述多个参数包括读取电压、电流阈值以及读取时长。


4.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，在从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件时，根据外部影响因素的变化情况选取相对应的读取条件，所述外部影响因素包括电源电压、外界温度以及噪声。


5.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括：阻变存储器、相变存储器以及磁存储器。


6.一种非易失性存储器的读取装置，其特征在于，包括：
第一读取单元，用于使用初始读取条件对非易失性存储器的数据页中的数据进行读取，得到初始读取结果，所述初始读取条件为预设的多个读取条件中的一个；
第一判断单元，用于判断所述初始读取结果是否满足预设要求，所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量；
循环迭代单元，用于在所述初始读取结果不满足预设要求的情况下，执行预设步骤，直至使用所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君宇，刘璟，谢元禄，霍长兴，张坤，呼红阳，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11