【技术实现步骤摘要】
一种存储器及其控制方法与存储系统
本专利技术涉及存储
，特别涉及一种存储器及其控制方法与存储系统。
技术介绍
固态硬盘(SolidStateDisk，SSD)是一种基于永久性存储器，如闪存，或非永久性存储器，同步动态随机存取存储器的计算机外部存储设备。其具有读写速度快，低功耗，无噪音，抗震动，低热量，体积小，工作范围大，广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等、导航设备等领域。固态硬盘中包括有许多作为存储介质的flash颗粒，这些flash颗粒中包括有物理闪存块(PhsicalEraseBlock)，所谓的物理闪存块是指数据可以被擦除的存储块，但是由于物理闪存块有寿命限制，即最大擦除次数是有限的，为了提高其整体使用寿命，必须要对其进行磨损均衡，而且磨损均衡策略的选择非常重要，如果磨损均衡策略不好，还可能带来写放大，降低其使用寿命的问题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种存储器及其控制方法与存储系统，该存储器可以实现降低写放大的同时，
【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n闪存阵列，包括多个闪存块，用于存储数据；/n擦除次数记录表，用于记录所述多个闪存块的擦除次数；/n控制单元，连接所述闪存阵列，所述控制单元内设置有第一阈值，第二阈值，第一方差值和第二方差值，所述第一阈值小于所述第二阈值，所述第一方差值大于所述第二方差值；/n其中，当所述擦除次数记录表中的最大值小于所述第一阈值时，所述控制单元则进行第一磨损步骤；/n当所述擦除次数记录表中的最大值大于所述第一阈值且小于所述第二阈值时，所述控制单元则根据所述擦除次数记录表中的数据，形成第三方差值，当所述第三方差值大于所述第一方差值时，所述控制单元则进行第二磨损步骤。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
闪存阵列，包括多个闪存块，用于存储数据；
擦除次数记录表，用于记录所述多个闪存块的擦除次数；
控制单元，连接所述闪存阵列，所述控制单元内设置有第一阈值，第二阈值，第一方差值和第二方差值，所述第一阈值小于所述第二阈值，所述第一方差值大于所述第二方差值；
其中，当所述擦除次数记录表中的最大值小于所述第一阈值时，所述控制单元则进行第一磨损步骤；
当所述擦除次数记录表中的最大值大于所述第一阈值且小于所述第二阈值时，所述控制单元则根据所述擦除次数记录表中的数据，形成第三方差值，当所述第三方差值大于所述第一方差值时，所述控制单元则进行第二磨损步骤。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述擦除次数记录表中的最大值大于所述第二阈值时，所述控制单元则根据所述擦除次数记录表中的数据，形成第四方差值，当所述第四方差值大于所述第二方差值时，所述控制单元则进行第三磨损步骤。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述控制单元进行所述第一磨损步骤时，所述控制单元根据所述擦除次数记录表中的最小值，并将数据存储在所述最小值对应的所述闪存块中。
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述第三方差值小于所述第一方差值时，所述控制单元则增加所述第一阈值的值。
5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，还包括有效页记录表，有效块记录表，所述有效页记录表用于记录每一所述闪存块内的有效页的数量，所述有效块记录表用于记录每一所述闪存块的状态，所述闪存块的状态包括第一状态和第二状态。
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第二磨损步骤包括：
根据所述擦除次数记录表中的数值大小及所述有效块记录表，所述控制单元选择所述擦除次数记录表中的较小值对应的所述闪存块，且所述闪存块处于所述第一状态；
根据所述有效页记录表的数值大小，所述控制单元在处于所述第一状态的所述闪存块中选择所述有效页记录表中最大值对应的所述闪存块；
根据所述擦除次数记录表中的数值大小及所述有效块记录表，所述控制单元选择所述擦除次数记录表中最大值对应的所述闪存块，且所述闪存块处于所述第二状态；
所述控制单元将所述有效页记录表中的最大值对应的所述闪存块中的数据转移至所述擦除次数记录表中最大值对应的所述闪存块中。
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述第四方差值小于所述第二方差值，所述控制单元则增加所述第二阈值。
技术研发人员：马帅，苏忠益，
申请(专利权)人：合肥康芯威存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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