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一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路制造技术

技术编号:25502429 阅读:44 留言:0更新日期:2020-09-01 23:27
本实用新型专利技术涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路。所述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接,输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接,分频器的输出端与温度传感器的输入端连接,温度传感器的输出端与非易失性存储器模块的输入端连接,非易失性存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接,第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接,第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本实用新型专利技术通过非易失性存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移,提高了频率稳定度。

【技术实现步骤摘要】
一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路
本技术涉及集成电路
,具体涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路。
技术介绍
在现代电子系统中,几乎每个系统都需要用到时钟源,它为系统提供稳定、精确的时钟频率。传统的时钟源采用的是石英晶体振荡器。它由于具有出色的频率精度、随温度变化的低频率漂移、低噪声等优点,成为便携式时钟应用的行业标准。然而,集成电路的元件密度虽然如摩尔定律推测的呈指数级增长,但石英晶体的物理尺寸却没有得到相应的减小。在一些独立的小型无线模块中,石英晶体的面积甚至可以与集成后的电路相媲美。对于小型无线系统,大面积的石英晶体振荡器已经不符合它的系统要求,它需要具有面积较小的石英替代品,还希望这种石英替代品能够具有与商业CMOS工艺集成的可能性。由MEMS工艺制作FBAR(FilmBulkAcousticResonator)谐振器,它与石英谐振器相比,具有体积小、工作频率高等优点,而且由于制造FBAR谐振器的MEMS工艺与CMOS工艺相兼容,使得制造系统集成芯片成为可能。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路,其特征在于,包括Pierce振荡电路、第一开关电容阵列、第二开关电容阵列、用于为Pierce振荡电路提供偏置电压信号的偏置电路、输出缓冲电路、分频器、温度传感器、非易失性存储器模块;所述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接,输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接,分频器的输出端与温度传感器的输入端连接,温度传感器的输出端与非易失性存储器模块的输入端连接,非易失性存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列的开关控制信号端、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接,第一开关电容阵列的其中一端、第二开关电容阵列的其中一端分...

【技术特征摘要】
1.一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路,其特征在于,包括Pierce振荡电路、第一开关电容阵列、第二开关电容阵列、用于为Pierce振荡电路提供偏置电压信号的偏置电路、输出缓冲电路、分频器、温度传感器、非易失性存储器模块;所述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接,输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接,分频器的输出端与温度传感器的输入端连接,温度传感器的输出端与非易失性存储器模块的输入端连接,非易失性存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列的开关控制信号端、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接,第一开关电容阵列的其中一端、第二开关电容阵列的其中一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、Pierce振荡电路的第二负载电容输入端连接,第一开关电容阵列的另一端、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。


2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路,其特征在于,所述Pierce振荡电路包括FBAR谐振器、第一开关管、第二开关管、电阻、第一固定电容、第二固定电容,第一开关管的源极连接至电源端,第一开关管的漏极与FBAR谐振器的一端、电阻的一端、第二开关管的漏极、第一固...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄继伟王科平张祥陈星
申请(专利权)人:福州大学
类型:新型
国别省市:福建;35

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