栅压自举采样电路制造技术

本申请实施例提供了一种栅压自举采样电路，包括采样电路、自举电路、输出开关电路和数字开关电路。采样电路包括NMOS管M5和PMOS管M14，NMOS管M5的源极与PMOS管M14的源极连接，NMOS管M5的漏极与PMOS管M14的漏极连接，NMOS管M5的源极与信号源连接，PMOS管M14的栅极输入第一时钟信号；自举电路，用于根据数字开关电路和输出开关电路获取信号源，根据信号源输出自举电压到采样电路；输出开关电路，用于控制自举电容的充电以及自举电容的正极和采样电路之间的通断；数字开关电路，用于控制自举电容的负极和采样电路之间的通断。本申请实施例提供了一种栅压自举采样电路，提高了线性度。

【技术实现步骤摘要】
栅压自举采样电路
本申请涉及集成电路
，尤其涉及一种栅压自举采样电路。
技术介绍
模数转换器在数字领域和模拟领域搭起了一座桥梁，是计算机和所有终端设备同自然界交互不可或缺的一部分。采样电路是模拟信号进入SARADC(successiveapproximationregisterAnalog-to-DigitalConverter，逐次逼近式模拟数字转换器)量化前经过的第一个模块，其精度对SARADC的整体精度产生直接的影响。相关技术中，采样电路可为栅压自举采样电路。图1示出了一种栅压自举采样电路，其工作过程如下：(1)图中CLKSB为CLKS的反信号，当CLKS为低电平，CLKSB为高电平时，NMOS管M9、M10导通，采样管M8的栅极经NMOS管M9、M10被放电到地，采样管M8关断，电路处于保持状态。NMOS管M11、M12、电容C1、C2构成的时钟倍压电路使NMOS管M2的栅极电位升高到2VDD，NMOS管M1、M2导通，电源VDD通过NMOS管M1和M2对自举电容Cb充电，使自举电容Cb两端的电压变为VDD本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种栅压自举采样电路，其特征在于，包括：/n采样电路，包括NMOS管M5和PMOS管M14，所述NMOS管M5的源极与PMOS管M14的源极连接，所述NMOS管M5的漏极与PMOS管M14的漏极连接，所述NMOS管M5的源极与信号源连接，所述PMOS管M14的栅极输入第一时钟信号；/n自举电路，包括自举电容，用于根据数字开关电路和输出开关电路获取信号源，根据所述信号源输出自举电压到所述采样电路；/n输出开关电路，分别与自举电路和采样电路连接，用于根据第一时钟信号和第二时钟信号控制自举电容的充电以及自举电容的正极和采样电路之间的通断；/n数字开关电路，分别与自举电路和采样电路连接，用于根据第...

【技术特征摘要】
1.一种栅压自举采样电路，其特征在于，包括：
采样电路，包括NMOS管M5和PMOS管M14，所述NMOS管M5的源极与PMOS管M14的源极连接，所述NMOS管M5的漏极与PMOS管M14的漏极连接，所述NMOS管M5的源极与信号源连接，所述PMOS管M14的栅极输入第一时钟信号；
自举电路，包括自举电容，用于根据数字开关电路和输出开关电路获取信号源，根据所述信号源输出自举电压到所述采样电路；
输出开关电路，分别与自举电路和采样电路连接，用于根据第一时钟信号和第二时钟信号控制自举电容的充电以及自举电容的正极和采样电路之间的通断；
数字开关电路，分别与自举电路和采样电路连接，用于根据第一时钟信号和第二时钟信号控制自举电容的负极和采样电路之间的通断。


2.根据权利要求1所述的栅压自举采样电路，其特征在于，所述数字开关电路包括：
第一传输门，包括PMOS管M12和NMOS管M13，所述PMOS管M12的源极和NMOS管M13的漏极连接，所述PMOS管M12的漏极和NMOS管M13的源极连接；
第二传输门，包括PMOS管M11和NMOS管M10，所述PMOS管M11的源极和NMOS管M10的漏极连接，所述PMOS管M11的漏极和NMOS管M10的源极连接，所述NMOS管M10的源极与信号源连接；
所述PMOS管M12的漏极与PMOS管M11的漏极连接，所述PMOS管M12的栅极、PMOS管M11的栅极均输入所述第一时钟信号，所述NMOS管M13的栅极、NMOS管M10的栅极均输入第二时钟信号。


3.根据权利要求1所述的栅压自举采样电路，其特征在于，所述自举电路还包括PMOS管M2和NMOS管M1，其中，
所述PMOS管M2的源极与电源连接，所述PMOS管M2的栅极与输出开关电路连接，所述PMOS管M2的漏极还与所述自举电容的正极...

【专利技术属性】
技术研发人员：成凯，戴澜，陈勇，
申请(专利权)人：北方工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11