一种离线Low-E镀膜玻璃制造技术

本发明专利技术涉及节能玻璃领域，尤其涉及一种离线Low‑E镀膜玻璃，利用ITO膜层在一定厚度范围内低电阻率的特性，制作出具有较高导电率的镀膜结构，从而达到或者超过现有传统离线Low‑E性能的产品，本发明专利技术中的镀膜玻璃使用了ITO膜层没有氧化的问题可以长时间单片保存，后续加工简单，不会造成氧化失效，也不易出现划伤磨损等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种离线Low-E镀膜玻璃
本专利技术涉及节能玻璃领域，尤其涉及一种离线Low-E镀膜玻璃。
技术介绍
使用银作为导电层的离线LOW-E膜在空气中易氧化，加工过程容易损坏，称为“软膜”。致使单片LOW-E玻璃存放时间有限，极易造成报废浪费。并且玻璃后期加工复杂，成品率低。同时，为保护银层加入的保护膜层使镀膜膜层结构复杂，生产线很长，设备投入巨大，生产难度也极大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术中存在的不足，提供一种离线Low-E镀膜玻璃。本专利技术是通过以下技术方案予以实现：一种离线Low-E镀膜玻璃，其特征在于，包括：玻璃及设于玻璃上的镀膜层，所述镀膜层自下而上包括底膜层、ITO膜层、金属膜层及保护膜层，所述ITO膜层厚度大于70nm。优选的，所述ITO膜层电阻值为10Ω以下。优选的，所述保护膜层为四氮化三硅保护膜层。优选的，所述金属膜层为镍金属膜层或铬金属膜层。优选的，所述底膜层、ITO膜层、金属膜层及保护膜层依次通过磁控溅射法在玻璃上形成薄膜。本专利技术的有益效果是：利用ITO膜层在一定厚度范围内低电阻率的特性，制作出具有较高导电率的镀膜结构，从而达到或者超过现有传统离线Low-E性能的产品，本专利技术中的镀膜玻璃使用了ITO膜层没有氧化的问题可以长时间单片保存，后续加工简单，不会造成氧化失效，也不易出现划伤磨损等问题。附图说明图1是本专利技术的主视结构示意图。图中：1.玻璃，2.底膜层，3.ITO膜层，4.金属膜层，5.保护膜层。具体实施方式为了使本
的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和最佳实施例对本专利技术作进一步的详细说明。如图所示，本专利技术包括：玻璃1及设于玻璃上的镀膜层，所述镀膜层自下而上包括底膜层2、ITO膜层3、金属膜层4及保护膜层5，所述ITO膜层厚度大于70nm，一般膜的厚度在＞70nm时越厚，透过率越小，因为ITO结构是体心立方结构，厚度增加，晶粒度逐渐增大，晶化程度也逐渐提高，薄膜的密度变得非常致密，晶面的取向行变的更加随机，所以透过率和电阻率也是逐渐变小的。优选的，所述ITO膜层电阻值为10Ω以下，性能已达到甚至超过现有传统离线Low-E产品。优选的，所述保护膜层为四氮化三硅保护膜层。优选的，所述金属膜层为镍金属膜层或铬金属膜层。优选的，所述底膜层、ITO膜层、金属膜层及保护膜层依次通过磁控溅射法在玻璃上形成薄膜，磁控溅射法是利用惰性气体离子轰击靶材，本实施例中ITO膜层制备过程中使用的是高密度的铟锡氧化物靶材，轰击下来的原子沉积到玻璃上形成薄膜。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离线Low-E镀膜玻璃，其特征在于，包括：玻璃及设于玻璃上的镀膜层，所述镀膜层自下而上包括底膜层、ITO膜层、金属膜层及保护膜层，所述ITO膜层厚度大于70nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种离线Low-E镀膜玻璃，其特征在于，包括：玻璃及设于玻璃上的镀膜层，所述镀膜层自下而上包括底膜层、ITO膜层、金属膜层及保护膜层，所述ITO膜层厚度大于70nm。


2.根据权利要求1所述的一种离线Low-E镀膜玻璃，其特征在于，所述ITO膜层电阻值为10Ω以下。


3.根据权利要求1所述的一种离线Low-...

【专利技术属性】
技术研发人员：张根方，唐华明，赵岩，
申请(专利权)人：苏州华东镀膜玻璃有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32