称重传感器制造技术

技术编号:2546266 阅读:134 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种称重传感器,尤其是涉及具有非线性补偿的称重传感器。该称重传感器包括有弹性体(1)、粘贴在该弹性体(1)外表面的应变片(2)、具有桥路(31)的全桥测量电路(3),在全桥测量电路(3)的输入回路中还串联有半导体电阻R↓[L],且该半导体电阻R↓[L]也粘贴在弹性体(1)的外表面。它能对传感器测量电路进行非线性补偿,且非线性补偿精度高,可以成批生产。(*该技术在2009年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种称重传感器,尤其涉及到一种柱式传感器的性能改进。由于柱式传感器的截面积A随加载而增大,而轴向应变εx=F/AE,于是轴向应变8x与传感器承受的力F不成线性关系,从而使应变片感受的应变相对减小,导致传感器的输出相对减少,使柱式传感器产生固有的非线性,使精度降低。也有部分柱式传感器通过对弹性体结构改进来改善性能,而没有对传感器的测量电路结构采用非线性补偿。虽然近来也出现了采取批补补偿方式的传感器,但补偿精度不高,难以成批生产高精度的传感器。本技术的目的是提供一种能对传感器测量电路进行非线性补偿,且补偿精度高的称重传感器。实现本技术的目的的技术方案是一种称重传感器,包括有弹性体、粘贴在该弹性体外表面的应变片、具有桥路的全桥测量电路,在全桥测量电路的输入回路中串联有半导体电阻R1,且该半导体电阻RL也粘贴在弹性体的外表面。所述半导体电阻RL可以仅由一个半导体电阻RL1构成,即RL1=RL。所述半导体电阻RL1的两端还可以并联有精密电阻R1。所述半导体电阻RL也可以由两个半导体电阻RL2和RL3构成,且RL2=RL3=RL/2,在全桥测量电路输入回路的电源正极和桥路之间串接半导体电阻RL2,在全桥测量电路输入回路的电源负极和桥路之间串接半导体电阻RL3。所述半导体电阻RL2的两端还可以并联有精密电阻R2,在半导体电阻RL3的两端还可以并联有精密电阻R3。本技术的积极效果是1、由于传感器测量电路的输入回路中串联的半导体电阻也感受应力,作用力增大,半导体电阻压缩,阻值变小,两端压降减小,使传感器测量电路的供桥电压增大,输出增大,补偿了柱式传感器的非线性。2、用半导体电阻进行非线性补偿,有时阻值难以确定,由于在半导体电阻两端并联有精密电阻,可以方便地调整阻值,将每个传感器的非线性调得很小,从而可以成批生产高精度的传感器。3、当全桥测量电路完全对称时,还能进一步提高传感器的装秤性能和互换性。附图图面说明。附图说明图1是本技术的构造示意图。图2是本技术的电路原理图。图3是本技术的第一种实施例的电路结构图。图4是本技术的第二种实施例的电路结构图。图5是本技术的第三种实施例的电路结构图。图6是本技术的第四种实施例的电路结构图。以下结合附图和实施例对本技术作进一步详细说明。如图1、2所示,本技术包括有弹性体1、粘贴在弹性体1外表面的应变片2、具有桥路31的全桥测量电路3、全桥测量电路3的输入回路中串联有半导体电阻RL,且该半导体电阻RL也粘贴在弹性体1的外表面,它是测量电路3的非线性补偿电阻。当有外力F施加于弹性体1上时,对柱式传感器而言,由于弹性体1的截面积A变大,全桥测量电路的输出与外力F呈非线性关系,且相对减小。半导体片RL受压力后阻值变小,测量电路输入回路的输入电压恒定,所以RL的两端压降减小,使供桥电压增大,桥路输出随之增大,增大的输出弥补了弹性体1的非线性引起的桥路输出的下降部分,即补偿了柱式传感器固有的非线性,提高了补偿精度。如图3所示,为本技术的第一种实施例的电路结构图。图中全桥测量电路3的输入回路中串联有半导体电阻RL1,RL1=RL,半导体电阻RL1采用半导体应变片,它和应变片2均贴在弹性体1表面,同时感受弹性体1的应变。应变片2由4个电阻应变片构成,两两对称地分布在弹性体1的两个侧面(见图1),它们构成全桥测量电路3的桥路31。弹性体1采用等截面体。具体工作原理见上述对图2所示电路原理图的分析。如图4所示,为本技术的第二种实施例的电路结构图。图中,将实施例1中的半导体应变片RL1用两个等值半导体应变片RL2和RL3替代,且半导体应变片RL2=RL3=RL1/2,一个半导体应变片RL2串接在全桥测量电路3输入回路的电源正极和桥路31之间,另一个半导体应变片RL3串接在全桥测量电路3输入回路的电源负极和桥路31之间,使全桥测量电路3对称,提高了传感器的装秤性能和互换性。具体工作原理见实施例1。如图5所示,为本技术的第三种实施例的电路结构图。电路结构是在实施例1的电路结构基础上,还在半导体应变片RL1两端并联有精密电阻R1,它和RL1一起构成测量电路的非线性补偿电阻,由于每个传感器的非线性不一样,仅用半导体应变片进行补偿,有时阻值难以确定,因此在半导体应变片RL1两端并联有精密电阻R1,可以方便地调节全桥测量电路补偿电阻的大小,不仅可以更好地减小非线性,还可以成批地生产高精度的传感器,具体工作原理见实施例1。如图6所示,为本技术的第四种实施例的电路结构图。电路结构是在实施例2的电路结构基础上,还在半导体应变片RL2两端并联有精密电阻R2,在半导体应变片RL3两端并联有精密电阻R3,RL2和RL3相等,均为RL1/2,R2=R3,且为实施例3中精密电阻R1的一半,可以使全桥测量电路对称,提高了传感器的装秤性能和互换性,具体工作原理见实施例1。权利要求1.一种称重传感器,包括有弹性体(1)、粘贴在该弹性体(1)外表面的应变片(2)、具有桥路(31)的全桥测量电路(3),其特征是在全桥测量电路(3)的输入回路中串联有半导体电阻RL,且该半导体电阻RL也粘贴在弹性体(1)的外表面。2.根据权利要求1所述的称重传感器,其特征是半导体电阻RL仅由一个半导体电阻RL1构成,即RL1=RL。3.根据权利要求2所述的称重传感器,其特征是在半导体电阻RL1的两端还并联有精密电阻R1。4.根据权利要求1所述的称重传感器,其特征是半导体电阻RL由两个半导体电阻RL2和RL3构成,且RL2=RL3=RL/2,在全桥测量电路(3)输入回路的电源正极和桥路(31)之间串接半导体电阻RL2,在全桥测量电路(3)输入回路的电源负极和桥路(31)之间串接半导体电阻RL3。5.根据权利要求4所述的称重传感器,其特征是在半导体电阻RL2的两端还并联有精密电阻R2,在半导体电阻RL3的两端还并联有精密电阻R3。专利摘要本技术公开了一种称重传感器,尤其是涉及具有非线性补偿的称重传感器。该称重传感器包括有弹性体(1)、粘贴在该弹性体(1)外表面的应变片(2)、具有桥路(31)的全桥测量电路(3),在全桥测量电路(3)的输入回路中还串联有半导体电阻R文档编号G01G21/00GK2386427SQ99229140公开日2000年7月5日 申请日期1999年8月13日 优先权日1999年8月13日专利技术者朱子健, 窦金东 申请人:梅特勒-托利多常州衡器有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种称重传感器,包括有弹性体(1)、粘贴在该弹性体(1)外表面的应变片(2)、具有桥路(31)的全桥测量电路(3),其特征是在全桥测量电路(3)的输入回路中串联有半导体电阻R↓[L],且该半导体电阻R↓[L]也粘贴在弹性体(1)的外表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱子健窦金东
申请(专利权)人:梅特勒托利多常州衡器有限公司
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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