一种同步整流MOSFET驱动控制电路制造技术

本发明专利技术提供了一种同步整流MOSFET驱动控制电路，包括控制单元和MOS管Q2，所述控制单元包括信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、驱动电路，所述信号采集及放大电路的输出端与所述阻容分压滤波电路的输入端连接，所述阻容分压滤波电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接，所述驱动电路的输出端与所述MOS管Q2的栅极连接。本发明专利技术的有益效果是：提高了MOSFET的导通与关断速度、减小导通延迟时间；提高MOSFET驱动电压，降低了导通损耗，提高了电路效率。

【技术实现步骤摘要】
一种同步整流MOSFET驱动控制电路
本专利技术涉及驱动控制电路，尤其涉及一种同步整流MOSFET驱动控制电路。
技术介绍
现有MOSFET驱动控制电路驱动MOSFET的导通与关断速度较慢。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种同步整流MOSFET驱动控制电路。本专利技术提供了一种同步整流MOSFET驱动控制电路，包括控制单元和MOS管Q2，所述控制单元包括信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、驱动电路，所述信号采集及放大电路的输出端与所述阻容分压滤波电路的输入端连接，所述阻容分压滤波电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接，所述驱动电路的输出端与所述MOS管Q2的栅极连接。作为本专利技术的进一步改进，所述驱动电路包括MOSFET驱动集成芯片U1、电阻R4、电阻R5、电阻R6，所述MOSFET驱动集成芯片U1的OUTH引脚与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述MOSFET驱动集成芯片U1的OUTL引脚与所述电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述电阻R6的一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述电阻R6的另一端与所述MOS管Q2的源极连接，所述MOS管Q2的源极接内部电压V_IN，所述MOS管Q2的漏极接外部电压V_OUT。作为本专利技术的进一步改进，所述信号采集及放大电路包括二极管D1A、二极管D1B、三极管Q1A、三极管Q1B，所述三极管Q1A的集电极接电阻R4后接供电电压VCC，所述三极管Q1A的基极与所述三极管Q1B的基极连接，所述三极管Q1A的发射极与所述二极管D1A的阳极连接，所述二极管D1A的阴极接外部电压V_OUT，所述三极管Q1B的集电极接供电电压VCC，所述三极管Q1B的发射极与所述二极管D1B的阳极连接，所述二极管D1B的阴极接内部电压V_IN。作为本专利技术的进一步改进，所述二极管D1A、二极管D1B的参数一致，所述三极管Q1A、三极管Q1B的参数一致。作为本专利技术的进一步改进，所述阻容分压滤波电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和电容C1，所述电阻R1的一端接供电电压VCC，所述电阻R1的另一端接所述三极管Q1B的集电极，所述电阻R2的一端连接于所述电阻R1、三极管Q1B的集电极之间，所述电阻R2的另一端分别与所述电阻R3的一端、电容C1的一端、MOSFET驱动集成芯片U1的IN引脚连接，所述电阻R3的另一端接内部电压V_IN，所述电容C1的另一端接内部电压V_IN。本专利技术的有益效果是：通过上述方案，提高了MOSFET的导通与关断速度、减小导通延迟时间；提高MOSFET驱动电压，降低了导通损耗，提高了电路效率。附图说明图1是本专利技术一种同步整流MOSFET驱动控制电路的电路图。具体实施方式下面结合附图说明及具体实施方式对本专利技术作进一步说明。如图1所示，一种同步整流MOSFET驱动控制电路，包括控制单元和MOS（MOSFET）管Q2，所述控制单元包括信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、驱动电路，所述信号采集及放大电路的输出端与所述阻容分压滤波电路的输入端连接，所述阻容分压滤波电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接，所述驱动电路的输出端与所述MOS管Q2的栅极连接。如图1所示，所述驱动电路包括MOSFET驱动集成芯片U1、电阻R4、电阻R5、电阻R6，所述MOSFET驱动集成芯片U1的OUTH引脚与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述MOSFET驱动集成芯片U1的OUTL引脚与所述电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述电阻R6的一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述电阻R6的另一端与所述MOS管Q2的源极连接，所述MOS管Q2的源极接内部电压V_IN，所述MOS管Q2的漏极接外部电压V_OUT。如图1所示，所述信号采集及放大电路包括二极管D1A、二极管D1B、三极管Q1A、三极管Q1B，所述三极管Q1A的集电极接电阻R4后接供电电压VCC，所述三极管Q1A的基极与所述三极管Q1B的基极连接，所述三极管Q1A的发射极与所述二极管D1A的阳极连接，所述二极管D1A的阴极接外部电压V_OUT，所述三极管Q1B的集电极接供电电压VCC，所述三极管Q1B的发射极与所述二极管D1B的阳极连接，所述二极管D1B的阴极接内部电压V_IN。如图1所示，所述二极管D1A、二极管D1B的参数一致，选择两个二极管集成在一起的器件D1，所述三极管Q1A、三极管Q1B的参数一致，选择两个三极管集成在一起的器件Q1。如图1所示，所述阻容分压滤波电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和电容C1，所述电阻R1的一端接供电电压VCC，所述电阻R1的另一端接所述三极管Q1B的集电极，所述电阻R2的一端连接于所述电阻R1、三极管Q1B的集电极之间，所述电阻R2的另一端分别与所述电阻R3的一端、电容C1的一端、MOSFET驱动集成芯片U1的IN引脚连接，所述电阻R3的另一端接内部电压V_IN，所述电容C1的另一端接内部电压V_IN。本专利技术提供的一种同步整流MOSFET驱动控制电路，其工作原理如下：MOSFET应用在同步整流电路中，其D、S两端电压为交流信号。当MOS管Q2的D、S两极电压差Vds为负值（V_IN>V_OUT），电源的输出电流正向经过MOSFET的体二极管，输出电流逐渐增大时，三极管Q1A逐渐导通（由截止、线性导通、最后到饱和导通），Q1B逐渐截止（由饱和导通、线性导通、最后到截止），Va和Vb的电压逐渐升高，当Vb的电压大于驱动芯片输入引脚的导通阈值电压时，MOSFET驱动集成芯片U1输出高电平，MOS管Q2导通；当MOS管Q2的D、S两极电压差Vds≥0(V_IN≤V_OUT)时，三极管Q1A逐渐截止（由饱和导通、线性导通、最后到截止），三极管Q1B逐渐导通（由截止、线性导通、最后到饱和导通），Va和Vb电压的逐渐下降，当Vb的电压小于驱动芯片输入引脚的关断阈值电压时，MOSFET驱动集成芯片U1输出低电平，MOS管Q2关断。本专利技术通过信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、MOSFET驱动集成芯片为主体的驱动电路，实现同步整流MOSFET的导通与关断。通过调整阻容（电阻R1,电阻R2,电阻R3,电容C1）的参数，可调整Vb处的驱动信号的延迟时间、上升时间和下降时间，从而调整MOS管Q2的导通与关断速度，并增强驱动信号的稳定性。同时利用MOSFET驱动芯片的延迟时间短、驱动能力强的特点，同时其输入驱动信号的电压高电平的阈值远小于其供电VCC电压（也是MOSFET的正常驱动电压），可显著提高MOSFET的导通与关断速度、减小导通延迟时间。本专利技术提供的一种同步整流MOSFET驱动控制电路的优点如下：通过提高同步整流MOSFET的导通与关断速度、减小导通延迟时间，从而减小MOSFET体二极管的导通电流时间、减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同步整流MOSFET驱动控制电路，其特征在于：包括控制单元和MOS管Q2，所述控制单元包括信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、驱动电路，所述信号采集及放大电路的输出端与所述阻容分压滤波电路的输入端连接，所述阻容分压滤波电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接，所述驱动电路的输出端与所述MOS管Q2的栅极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种同步整流MOSFET驱动控制电路，其特征在于：包括控制单元和MOS管Q2，所述控制单元包括信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、驱动电路，所述信号采集及放大电路的输出端与所述阻容分压滤波电路的输入端连接，所述阻容分压滤波电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接，所述驱动电路的输出端与所述MOS管Q2的栅极连接。


2.根据权利要求1所述的同步整流MOSFET驱动控制电路，其特征在于：所述驱动电路包括MOSFET驱动集成芯片U1、电阻R4、电阻R5、电阻R6，所述MOSFET驱动集成芯片U1的OUTH引脚与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述MOSFET驱动集成芯片U1的OUTL引脚与所述电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述电阻R6的一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述电阻R6的另一端与所述MOS管Q2的源极连接，所述MOS管Q2的源极接内部电压V_IN，所述MOS管Q2的漏极接外部电压V_OUT。


3.根据权利要求2所述的同步整流MOSFET驱动控制电路，其特征在于：所述信号采集及放大电路包括二极管D1A、二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆家珍，刘志业，
申请(专利权)人：顺科电气技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44