一种去耦芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种去耦芯片，包括四个呈田字分布的金属开口谐振环，四个金属开口谐振环相互连接在一起，集成在一个芯片上，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上。所述金属开口谐振环的内部还分别增加一节金属线，金属线与金属开口谐振环内侧端部之间通过PIN二极管连接，通过实现PIN二极管的通断，实现金属开口谐振环工作频段的调谐。本发明专利技术通过设计特殊结构的谐振环，并通过低温共烧陶瓷(LTCC)技术，集成芯片，该芯片在一定的频带内产生单负特性，用于天线之间去耦。同时在芯片内部添加PIN二极管，可以调节芯片的工作频段。

【技术实现步骤摘要】
一种去耦芯片
本专利技术涉及天线去耦领域，特别涉及一种用于天线之间去耦的去耦芯片。
技术介绍
随着移动通信系统的快速发展，射频频谱资源日益短缺，如何提供更高质量、更快速的通信服务成为第五代移动通信系统(5G)中的研究热点。在此背景下，已经提出许久的多输入多输出(MIMO)通信技术成为了5G系统中的关键技术。多输入多输出(MIMO)技术是指在发射端和接收端同时使用多个发射天线和接收天线，使信号通过发射端和接收端的多个天线发射和接收。因此，多输入多输出技术能够在不额外增加通信频带和发射功率的情况下，实现高速、大容量的数据传输，显著的提高系统数据吞吐率和信道容量。在多输入多输出(MIMO)系统中，天线起着至关重要的作用，因为天线的特征固有地包含在发射器和接收器之间的通信信道中。MIMO技术是基于天线阵列而言的，随着对信道容量需求的不断增长，大规模MIMO技术将会成为5G系统的核心，并且紧凑密集的阵列将促进这一进程。然而，无论是5G基站，或是移动终端中，由于空间限制，随着天线数量的增加，天线单元之间的间距相对较小，造成单元之间会形成强烈本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种去耦芯片，其特征在于，包括四个呈田字分布的金属开口谐振环，四个金属开口谐振环相互连接在一起，集成在一个芯片上，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上。/n

【技术特征摘要】
1.一种去耦芯片，其特征在于，包括四个呈田字分布的金属开口谐振环，四个金属开口谐振环相互连接在一起，集成在一个芯片上，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上。


2.根据权利要求1所述的去耦芯片，其特征在于，所述金属开口谐振环的内部还分别增加一节金属线，金属线与金属开口谐振环内侧端部之间通过PIN二极管连接，通过实现PIN二极管的通断，实现金属开口谐振环工作频段的调谐。


3.根据权利要求2所述的去耦芯片，其特征在于，所述PIN二极管处于关闭状态时，去耦芯片工作频段在820-960MHz，当PIN二极管处于开启状态时，工作频段向低频偏移，此时工作频段变为700-820MHz。


4.根据权利要求1或2所述的去耦芯片，其特征在于，所述田字分布的金属开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鲁豫，王璟珂，刘洋，
申请(专利权)人：西安朗普达通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61