一种Ag制造技术

一种Ag

【技术实现步骤摘要】
一种Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法
本专利技术属于光电功能材料制备
，具体涉及一种Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法。
技术介绍
传统化石能源的使用往往伴随着环境与资源存量的问题，新型清洁能源的开发与应用变得越来越迫切。太阳能的有效利用对于能源问题的解决有着超乎寻常的意义，包括将太阳能转化为化学能或电能等。在太阳能电池或光电催化器件中，光阳极都是非常重要的组成部分，而高质量的光阳极便是获得高性能器件的关键。比较常见的无机金属氧化物半导体是光阳极中最为常见的材料，如ZnO、TiO2、SnO2等。ZnO因其易制备、形貌丰富(如：纳米棒、纳米片、纳米线等)、电子迁移率高、能带结构合适等优势已被广泛用作太阳能电池和光电催化的光阳极材料。但金属氧化物(如ZnO、TiO2、SnO2等)普遍存在禁带宽度较宽而导致的光响应范围较窄的不足，而通过将窄禁带的半导体负载在金属氧化物表面来拓宽其光响应范围是一种非常有效的技术手段。材料的禁带宽度决定了材料的吸光范围，禁带宽度为3.2eV的ZnO光响应范围被限制在紫外光区，而拓宽ZnO的光响应范围就需要选择窄禁带宽度的半导体来对其进行修饰。Ag2S的禁带宽度为0.92eV，Sb2S3的禁带宽度为1.70eV，这两种材料的叠加便可以覆盖整个可见光区和部分近红外区，且Ag2S和Sb2S3均具有较高的吸光系数，适宜作为吸光材料来优化ZnO。此外，硫化物(如Ag2S、Sb2S3等)的制备过程普遍较为温和，简单易控。目前基于连续离子层吸附反应法在ZnO纳米结构表面负载Ag2S和Sb2S3，从而组装Ag2S-Sb2S3共敏化的ZnO基光阳极还未见报道，而基于一种简单的方法实现光阳极光响应范围的显著拓宽及吸光强度的大幅增强在光电功能材料领域具有非常重要的研究意义和现实意义。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法。为了达到上述目的，本专利技术提供的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法是首先在ITO(氧化铟锡)导电玻璃表面生成ZnO纳米结构阵列，然后基于连续离子层吸附反应法将上述生成有ZnO纳米结构的ITO玻璃依次在Na2S水溶液、AgNO3水溶液、Na2S水溶液和SbCl3乙醇溶液中分多步进行反应，每一步反应后均需要将ITO导电玻璃进行清洗并用氮气吹干后再进行下一步反应，重复上述反应过程若干次后在鼓风干燥箱中进行烘干，最终在ITO导电玻璃表面制成一层Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极。所述的ZnO纳米结构包括纳米棒、纳米线和纳米片；Na2S水溶液的浓度为0.02-0.1M，反应温度为25-35℃，反应时间为5-20min；AgNO3水溶液的浓度为0.01-0.05M，反应温度为25-35℃，反应时间为2-10min；Na2S水溶液的浓度为0.02-0.1M，反应温度为25-35℃，反应时间为5-20min；SbCl3乙醇溶液浓度为0.013-0.067M，反应温度为25-35℃，反应时间为10-40min；每一步反应后的清洗是在相应的纯溶剂中进行，包括去离子水或乙醇，清洗过程均在室温下进行，清洗时间为20-120s；反应次数为3-10次，具体次数由所需要的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的敏化层厚度而定，敏化层厚度范围在10-60nm之间。本专利技术提供的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极制备方法具有如下特色及优势：结合ZnO与Ag2S和Sb2S3各自的优势，通过不同光响应范围的叠加、与ZnO之间异质结的构筑以及ZnO的高电子抽取/传输速率，使得基于Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的光电器件光响应范围覆盖整个可见光区和部分近红外区(光响应范围可至1300nm)以及高效的载流子分离与传输水平。此外，制备方法简单易控，应用范围广。附图说明图1为实施例1制备的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基纳米层的透射电子显微镜照片。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做详细说明：实施例一：本实施例提供的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法是首先在ITO导电玻璃表面生成ZnO纳米棒阵列，然后基于连续离子层吸附反应法将上述生成有ZnO纳米棒的ITO玻璃在0.1M的Na2S水溶液中于30℃下反应10min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；之后在0.05M的AgNO3水溶液中于30℃下反应5min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；再在0.1M的Na2S水溶液中于30℃下反应10min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；之后在0.067M的SbCl3乙醇溶液中于30℃下反应20min，然后在乙醇中清洗30s后用氮气吹干；重复上述反应过程5次后在鼓风干燥箱中于60℃下烘干30min；最终在ITO导电玻璃表面制成一层敏化层为30nm厚的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极。经测试光响应范围拓宽至1300nm。实施例二：本实施例提供的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法是首先在ITO导电玻璃表面生成ZnO纳米线阵列，然后基于连续离子层吸附反应法将上述生成有ZnO纳米线的ITO玻璃在0.05M的Na2S水溶液中于30℃下反应10min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；之后在0.025M的AgNO3水溶液中于30℃下反应5min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；再在0.05M的Na2S水溶液中于30℃下反应10min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；之后在0.033M的SbCl3乙醇溶液中于30℃下反应20min，然后在乙醇中清洗30s后用氮气吹干；重复上述反应过程5次后在鼓风干燥箱中于60℃下烘干30min；最终在ITO导电玻璃表面制成一层敏化层为10nm厚的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极。经测试光响应范围拓宽至1300nm。实施例三：本实施例提供的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法是首先在ITO导电玻璃表面生成ZnO纳米片阵列，然后基于连续离子层吸附反应法将上述生成有ZnO纳米片的ITO玻璃在0.05M的Na2S水溶液中于30℃下反应10min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；之后在0.025M的AgNO3水溶液中于30℃下反应5min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；再在0.05M的Na2S水溶液中于30℃下反应10min，然后在去离子水中清洗30s后用氮气吹干；之后在0.033M的SbCl3乙醇溶液中于30℃下反应20min，然后在乙醇中清洗30s后用氮气吹干；重复上述反应过程10次后在鼓风干燥箱中于60℃下烘干30min；最终在ITO导电玻璃表面制成一层敏化层为20nm厚的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极。经测试光响应范围拓宽至1300nm。为了验证本专利技术的效果，本专利技术人将上述实施例1制备的Ag2S-Sb2S3共敏化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ag

【技术特征摘要】
1.一种Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法，其特征在于：所述的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法是首先在ITO导电玻璃表面生成ZnO纳米结构阵列，然后基于连续离子层吸附反应法将上述生成有ZnO纳米结构的ITO玻璃依次在Na2S水溶液、AgNO3水溶液、Na2S水溶液和SbCl3乙醇溶液中分多步进行反应，每一步反应后均需要将ITO导电玻璃进行清洗并用氮气吹干后再进行下一步反应，重复上述反应过程若干次后在鼓风干燥箱中进行烘干，最终在ITO导电玻璃表面制成一层Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极。


2.根据权利要求1所述的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光阳极的制备方法，其特征在于：所述的ZnO纳米结构包括纳米棒、纳米线和纳米片。


3.根据权利要求1所述的Ag2S-Sb2S3...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩建华，刘志锋，宋庆功，严慧羽，康建海，郭艳蕊，
申请(专利权)人：中国民航大学，
类型：发明
国别省市：天津;12