【技术实现步骤摘要】
防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置
本专利技术涉及一种电路结构及应用该电路的电子装置，且特别涉及一种防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置。
技术介绍
现有影像撷取装置撷取目标的影像，并通过所撷取的影像分析目标与影像撷取装置的距离。然而，在场景内，可能有近物也有远物。当测距装置所设定的曝光时间短时，影像中的近物较为清楚，但远物就不清楚。反之，当测距装置所设定的曝光时间长时，影像中的远物变得清楚，但近物就会过曝光。因此，如何提供一防过曝光机制是本领域业者努力目标之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种防过曝光机制的电路结构及应用该电路的电子装置，以提高所撷取的影像的品质。根据本专利技术的一实施例，提出一种防过曝光电路结构。防过曝光电路结构包括一第一电容、一第二电容、一光电二极管、一第一开关及一控制电路。光电二极管(photodiode)耦接于第一电容及第二电容。第一开关串联于光电二极管。控制电路耦接第一开关，以操作在：当该第一电容的电存量或该第二电容的电存量低于一预设量时，控制该第一开
【技术保护点】
1.一种防过曝光电路结构，其特征在于，包括：/n一第一电容；/n一第二电容；/n一光电二极管，耦接于该第一电容及该第二电容；/n一第一开关，串联于该光电二极管；以及/n一控制电路，耦接该第一开关，以操作在：/n当该第一电容的电存量或该第二电容的电存量低于一预设量时，控制该第一开关呈断路状态。/n
【技术特征摘要】
20190219 US 62/807,2461.一种防过曝光电路结构，其特征在于，包括：
一第一电容；
一第二电容；
一光电二极管，耦接于该第一电容及该第二电容；
一第一开关，串联于该光电二极管；以及
一控制电路，耦接该第一开关，以操作在：
当该第一电容的电存量或该第二电容的电存量低于一预设量时，控制该第一开关呈断路状态。
2.如权利要求1所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该控制电路至少包含一比较器，该比较器的一输出端耦接该第一开关，该比较器的一输入端耦接一参考电压，而该比较器的另一输入端耦接该第一电容或该第二电容的电压。
3.如权利要求1所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该控制电路包括：
一第一比较器，该第一比较器的一输入端耦接一参考电压，而该第一比较器的另一输入端耦接该第一电容的电压；
一第二比较器，该第二比较器的一输入端耦接一参考电压，而该第二比较器的另一输入端耦接该第二电容的电压；以及
一逻辑栅极，包括一栅极输出端、一第一栅极输入端及一第二栅极输入端；
其中，该栅极输出端耦接该开关，该第一输出端耦接该第一栅极输入端，而该第二输出端耦接该第二栅极输入端。
4.如权利要求3所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该第一开关为一金氧半场效晶体管，该逻辑栅极的该栅极输出端耦接于该第一开关的栅极。
5.如权利要求1所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该第一电容、该第二电容、该光电二极管与该第一开关组成一像素单元，该防过曝光电路结构包括多个该像素单元，该些像素单元的该些第一开关耦接于该控制电路。
6.如权利要求5所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该些像素单元彼此相邻。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏守德，陈韦志，
申请(专利权)人：光宝电子广州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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