封装结构及封装方法、电致发光器件、显示设备技术

本发明专利技术是关于一种封装结构及封装方法、电致发光器件、显示设备，涉及显示技术领域。主要采用的技术方案为：一种封装结构，用于对顶发射型电致发光器件封装，其包括：依次层叠设置的第一无机介质层、有机封装层以及第二无机介质层，所述第一无机介质层背离所述有机封装层的一侧用于包覆在所述顶发射型电致发光器件的阴极表面；其中，所述第一无机介质层的厚度大于等于30nm小于等于100nm，所述第一无机介质层与所述阴极、所述顶发射型电致发光器件的电子注入层之间的色散关系满足预设条件。所述封装结构实现了提高电致发光器件发光效率的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及封装方法、电致发光器件、显示设备
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种封装结构及封装方法、电致发光器件、显示设备。
技术介绍
有机发光二极管(英文：OrganicLight-EmittingDiode；简称：OLED)，OLED发光器件具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点被广泛的应用于高端显示设备中。OLED发光器件包括顶发射型和底发射型，其中顶发射型的OLED发光器件的透明电极的性能最为重要。在顶发射结构OLED中，顶部的金属阴极用来出光，近场激子在金属阴极产生表面等离子体激元(SurfacePlasmonPolaritons，SPPs)损耗，在激子转化为光子进而辐射到器件外部期间，会损耗掉一大部分能量，最终只有20％左右的光子到达外部，进而导致OLED发光器件的光学效率较低。所以上述的技术问题还需进一步的解决。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，提供一种新型结构的封装结构及封装方法、电致发光器件、显示设备，使其能够解决OLED发光器件的光学效率较低的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，用于对顶发射型电致发光器件封装，其特征在于，其包括：/n依次层叠设置的第一无机介质层、有机封装层以及第二无机介质层，所述第一无机介质层背离所述有机封装层的一侧用于包覆在所述顶发射型电致发光器件的阴极表面；/n其中，所述第一无机介质层的厚度大于等于30nm小于等于100nm，所述第一无机介质层与所述阴极、所述顶发射型电致发光器件的电子注入层之间的色散关系满足预设条件。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，用于对顶发射型电致发光器件封装，其特征在于，其包括：
依次层叠设置的第一无机介质层、有机封装层以及第二无机介质层，所述第一无机介质层背离所述有机封装层的一侧用于包覆在所述顶发射型电致发光器件的阴极表面；
其中，所述第一无机介质层的厚度大于等于30nm小于等于100nm，所述第一无机介质层与所述阴极、所述顶发射型电致发光器件的电子注入层之间的色散关系满足预设条件。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述第一无机介质层的色散关系满足如下公式：



其中，k1为所述阴极的模内波矢量、k2为所述顶发射型电致发光器件的电子注入层的模内波矢量、k3为所述第一无机介质层的模内波矢量、ε1为所述阴极的光学介电常数、ε2为所述顶发射型电致发光器件的电子注入层的光学介电常数、ε3为所述第一无机介质层的光学介电常数、a为所述阴极的厚度。


3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述第一无机介质层的水蒸气透过率小于等于1×10-4g/m2d。


4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述第一无机介质层的材质为氧化铝、氧化硅、氮化硅中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述第一无机介质层的厚度为50nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：黄清雨，刘文祺，陈福栋，焦志强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11