【技术实现步骤摘要】
一种侧面发光的LED芯片级封装方法
本专利技术涉及LED封装领域,属于分类号H01L33/00下,具体为一种侧面发光的LED芯片级封装方法。
技术介绍
CSP(ChipScalePackage,芯片级尺寸封装),它由位于中心的倒装芯片、围绕倒装芯片四周的荧光胶组成。使用时直接将CSP光源通过焊料焊接在基板上即可实现出光,省去焊线工序,因而提高了封装效率。CSPLED最显著的优点是光效高,但目前市面上的单面出光的CSP灯珠都存在一些问题:1.现有技术单面CSP光源四周的白胶阻挡了发光芯片的侧面出光,因而光源亮度会降低2.同时,由于白胶阻挡了发光芯片的侧面出光,导致发生出光经多次反射、折射,此过程光转变成热,致使发热量大大增加,降低了光源信赖性、安全性,因而光源寿命缩短。
技术实现思路
基于解决上述问题,本专利技术提供了一种侧面发光的LED芯片级封装方法,包括如下步骤:(1)利用精密排片机将芯片在固晶膜上排列成30×30矩阵,要求芯片排列精度为±5μm,角度偏转<1°,芯片与芯片之间的间距为0.376~0.466μm之间,排晶时,芯片电极朝上,芯片出光面与固晶膜接触;(2)将预制好的B-Stage荧光膜叠置于所述固晶膜和芯片上进行压膜,利用定高片控制总厚度为0.25mm,热压完成后放入150℃氮气烤箱烘烤3h;(3)使用切割刀进行横向和纵向切割,切割时从芯片与芯片的中间划切,所选用的切割机为钻石砂轮切割机,转速10000r/min,切割速度100mm/s;(4)利用预制 ...
【技术保护点】
1.一种侧面发光的LED芯片级封装方法,包括如下步骤:/n(1)利用精密排片机将芯片在固晶膜上排列成30×30矩阵,要求芯片排列精度为±5μm,角度偏转<1°,芯片与芯片之间的间距为0.376~0.466μm之间,排晶时,芯片电极朝上,芯片出光面与固晶膜接触;/n(2)将预制好的B-Stage荧光膜叠置于所述固晶膜和芯片上进行压膜,利用定高片控制总厚度为0.25mm,热压完成后放入150℃氮气烤箱烘烤3h;/n(3)使用切割刀进行横向和纵向切割,切割时从芯片与芯片的中间划切,所选用的切割机为钻石砂轮切割机,转速10000r/min,切割速度100mm/s;/n(4)利用预制好的B-Stage白墙膜叠置于所述荧光膜上进行热压,利用定高片控制总厚度为0.35mm,热压完成后放入150℃氮气烤箱烘烤3h;/n(5)使用切割刀进行横向和纵向切割,横向切割时沿着芯片的侧边缘以使得每个芯片至少一侧未留有白墙膜,纵向切割时从芯片与芯片的中间划切,即将纵向的白墙膜沿中心线分为两部分。/n
【技术特征摘要】
1.一种侧面发光的LED芯片级封装方法,包括如下步骤:
(1)利用精密排片机将芯片在固晶膜上排列成30×30矩阵,要求芯片排列精度为±5μm,角度偏转<1°,芯片与芯片之间的间距为0.376~0.466μm之间,排晶时,芯片电极朝上,芯片出光面与固晶膜接触;
(2)将预制好的B-Stage荧光膜叠置于所述固晶膜和芯片上进行压膜,利用定高片控制总厚度为0.25mm,热压完成后放入150℃氮气烤箱烘烤3h;
(3)使用切割刀进行横向和纵向切割,切割时从芯片与芯片的中间划切,所选用的切割机为钻石砂轮切割机,转速10000r/min,切割速度100mm/s;
(4)利用预制好的B-Stage白墙膜叠置于所述荧光膜上进行热压,利用定高片控制总厚度为0.35mm,热压完成后放入150℃氮气烤箱烘烤3h;
(5)使用切割刀进行横向和纵向切割,横向切割时沿着芯片的侧边缘以使得每个芯片至少一侧未留有白墙膜,纵向切割时从芯片与芯片的中间划切,即将纵向的白墙膜沿中心线分为两部分。
2.一种侧面发光的LED芯片级封装方法,包括以下步骤:
(1)将多个LED芯片固定于固晶膜10上,所述多个LED芯片排列成30×30矩阵,芯片与芯片之间的间距为0.376~0.466μm之间,排晶时,所述多个LED芯片出光面朝上,其电极与固晶膜接触;
(2)将荧光树脂涂覆于所述固晶膜上,并进行半固化;
(3)利用压模工具在所述荧光树脂形成多个横向和纵向沟槽,同时进行粗化处理和固化处理;
(4)将透明防水层压合于所述荧光树脂之上,所述透明防...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗雪方,薛水源,陈文娟,王林燕,
申请(专利权)人:江苏罗化新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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