【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点,已被列为极具发展前景的下一代显示技术。现有OLED显示基板一般采用SiO制作层间绝缘层,因为SiN中含氢会对沟道造成负漂影响,SiO的键能大,所需轰击能量高,并且层间绝缘层的厚度一般为550nm以上,故而在对层间绝缘层进行构图形成过孔时,需要较长的时间对层间绝缘层进行干刻,较长时间的干刻会造成层间绝缘层上的光刻胶硬化,后续无法完全剥离掉光刻胶,导致显示基板上残留光刻胶颗粒,影响显示基板的良率;并且在干刻过程中由于过孔内副产物堆积会导致刻蚀停止,另外还会使得干刻设备工作时间过长,缩短了干刻设备的使用周期。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种显示基板及 ...
【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:/n位于衬底基板上的第一导电图形;/n位于所述第一导电图形远离所述衬底基板一侧的保护结构;/n覆盖所述第一导电图形和所述保护结构的绝缘层,其中,所述保护结构的干法刻蚀速率大于所述绝缘层的干法刻蚀速率;/n位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的第二导电图形,所述第二导电图形通过贯穿所述绝缘层和所述保护结构的过孔结构与所述第一导电图形连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
位于衬底基板上的第一导电图形;
位于所述第一导电图形远离所述衬底基板一侧的保护结构;
覆盖所述第一导电图形和所述保护结构的绝缘层,其中,所述保护结构的干法刻蚀速率大于所述绝缘层的干法刻蚀速率;
位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的第二导电图形,所述第二导电图形通过贯穿所述绝缘层和所述保护结构的过孔结构与所述第一导电图形连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述保护结构采用硬化后的光阻材料。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述第一导电图形为经过导体化处理的有源层,所述第二导电图形为薄膜晶体管的源极和漏极;和/或
所述第二导电图形为数据线,所述第二导电图形为与所述数据线并联的导电走线。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述保护结构为柱状,所述保护结构的直径比所述过孔结构的直径大3~5um。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘层的厚度为0.55~0.7um,所述保护结构的厚度为0.5~0.7um。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制作方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘军,张扬,苏同上,丁录科,黄勇潮,程磊磊,闫梁臣,周斌,李伟,倪柳松,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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