双多晶电容工艺中清洗元件的方法技术

本发明专利技术公开了双多晶电容工艺中清洗元件的方法，该清洗元件的方法包括以下步骤：氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10‑20min、加热温度维持在45‑60℃，得到混合溶液，并静置，冷却；向步骤一得到的混合溶液中加入聚乙二醇、2,3‑环氧乙烷二羧酸高聚合物和三氯乙烯，搅拌，超声过滤，即得氧化清洗液；本发明专利技术所述的双多晶电容工艺中清洗元件的方法，本工艺自制备氧化清洗液，现制现用，能够最大程度的节约材料，同时提高反应活性，使得清洗效果更佳理想，同时本清洗方法采用先氧化后还原的方法，使得清洗更为彻底。

【技术实现步骤摘要】
双多晶电容工艺中清洗元件的方法
本专利技术属于双多晶电容加工
，特别涉及双多晶电容工艺中清洗元件的方法。
技术介绍
双多晶硅自对准晶体管是一种性能优良的微波晶体管，因为它具有比较先进的结构；在其结构中，采用了两种多晶硅。一种多晶硅是n+多晶硅层，这一方面是用来减小发射区的表面复合速度，以提高发射结注入效率，增大电流增益；另一方面是用来制作n+浅发射区(利用n+多晶硅中杂质的外扩散来形成浅发射结)，这可以精确到30nm以内。另外一种多晶硅是p+多晶硅层，利用其中杂质的外扩散来形成p+外基区、并与发射区窗口自对准，这不仅可以减小外基区的电阻，而且也减小了器件的有效总面积，使得集电区-基区之间的电容以及集电区-衬底之间的电容得以减小，这可提高晶体管的频率特性。为了提高双多晶电容内部元件的灵敏度，为此，我们提出双多晶电容工艺中清洗元件的方法。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供双多晶电容工艺中清洗元件的方法，可以有效解决
技术介绍
中的问题。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：双多晶电容工艺中清洗元件的方法，该清洗元件的方法包括以下步骤：步骤一、氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10-20min、加热温度维持在45-60℃，得到混合溶液，并静置，冷却；步骤二、向步骤一得到的混合溶液中加入聚乙二醇、2,3-环氧乙烷二羧酸高聚合物和三氯乙烯，搅拌，超声过滤，即得氧化清洗液；步骤三、将制得的氧化清洗液，分别分类包装，并在2-8℃的温度环境下储存，备用；步骤四、在双多晶电容元件上生长第一层多晶硅之后，且在第一层多晶硅上生长绝缘介质层之前，分别用制得的氧化清洗液清洗双多晶电容元件；第五步：用氧化清洗液清洗之后，在使电子元件经受超声振动的同时用还原清洗液清洗，最终完成双多晶电容元件的清洗。优选的，三乙醇胺油酸皂由三乙醇胺与油酸经酯化而成。优选的，步骤一种冷却时长为2-5min。优选的，还原清洗液为一种亚磺酸衍生物。优选的，超声过滤时，采用超声过滤机过滤，其频率在20KHz以上。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：该双多晶电容工艺中清洗元件的方法，本工艺自制备氧化清洗液，现制现用，能够最大程度的节约材料，同时提高反应活性，使得清洗效果更佳理想，同时本清洗方法采用先氧化后还原的方法，使得清洗更为彻底。具体实施方式为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。该双多晶电容工艺中清洗元件时，首先进行氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10-20min、加热温度维持在45-60℃，得到混合溶液，并静置，冷却；步骤二、向步骤一得到的混合溶液中加入聚乙二醇、2,3-环氧乙烷二羧酸高聚合物和三氯乙烯，搅拌，超声过滤，即得氧化清洗液；步骤三、将制得的氧化清洗液，分别分类包装，并在2-8℃的温度环境下储存，备用；步骤四、在双多晶电容元件上生长第一层多晶硅之后，且在第一层多晶硅上生长绝缘介质层之前，分别用制得的氧化清洗液清洗双多晶电容元件；第五步：用氧化清洗液清洗之后，在使电子元件经受超声振动的同时用还原清洗液清洗，最终完成双多晶电容元件的清洗。三乙醇胺油酸皂由三乙醇胺与油酸经酯化而成；步骤一种冷却时长为2-5min；还原清洗液为一种亚磺酸衍生物；超声过滤时，采用超声过滤机过滤，其频率在20KHz以上。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.双多晶电容工艺中清洗元件的方法，其特征在于，该清洗元件的方法包括以下步骤：/n步骤一、氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10-20min、加热温度维持在45-60℃，得到混合溶液，并静置，冷却；/n步骤二、向步骤一得到的混合溶液中加入聚乙二醇、2,3-环氧乙烷二羧酸高聚合物和三氯乙烯，搅拌，超声过滤，即得氧化清洗液；/n步骤三、将制得的氧化清洗液，分别分类包装，并在2-8℃的温度环境下储存，备用；/n步骤四、在双多晶电容元件上生长第一层多晶硅之后，且在第一层多晶硅上生长绝缘介质层之前，分别用制得的氧化清洗液清洗双多晶电容元件；/n第五步：用氧化清洗液清洗之后，在使电子元件经受超声振动的同时用还原清洗液清洗，最终完成双多晶电容元件的清洗。/n

【技术特征摘要】
1.双多晶电容工艺中清洗元件的方法，其特征在于，该清洗元件的方法包括以下步骤：
步骤一、氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10-20min、加热温度维持在45-60℃，得到混合溶液，并静置，冷却；
步骤二、向步骤一得到的混合溶液中加入聚乙二醇、2,3-环氧乙烷二羧酸高聚合物和三氯乙烯，搅拌，超声过滤，即得氧化清洗液；
步骤三、将制得的氧化清洗液，分别分类包装，并在2-8℃的温度环境下储存，备用；
步骤四、在双多晶电容元件上生长第一层多晶硅之后，且在第一层多晶硅上生长绝缘介质层之前，分别用制得的氧化清洗液清洗双多晶电容元件；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪国源，杨娟娟，朱文闻，
申请(专利权)人：如皋市协创能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32