一种使能控制电路及电子设备制造技术

本申请公开了一种使能控制电路及电子设备，所述使能控制电路包括：电流源产生模块、第三支路和输出模块，所述电流源产生模块包括第一支路和第二支路，所述第三支路中产生的第三电流与第一支路中产生的第一电流互为镜像，由于所述第一支路与所述第二支路同为正温度系数或同为负温度系数，消除了温度变化对于第一支路、第二支路和第三支路中产生的电流的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种使能控制电路及电子设备
本申请涉及电路设计
，更具体地说，涉及一种使能控制电路及电子设备。
技术介绍
在半导体
中，芯片的使能信号端是控制芯片工作或关闭的输入端口，例如当芯片的使能信号端接收到高电平时，芯片开始工作，当芯片的使能信号端接收到低电平时，芯片停止工作。而为芯片的使能信号端提供使能信号的电路称之为使能控制电路，使能控制电路接收工作电源和输入信号，在当输入信号达到设定值之前，使能控制电路不输出有效的使能信号(例如输出低电平)，在当输入信号达到设定值之后，使能控制电路输出有效地使能信号(例如输出高电平)，通常情况下把这个设定值称之为翻转电平(或转折电平)。但专利技术人在实际使用过程中发现，由于温度、器件工艺角等的影响，使得使能控制电路的翻转电平会随着温度的变化而波动，导致现有技术中的部分使能控制电路并不能适用于对于翻转电平的精度要求较高的电路(例如欠压保护电路)。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种使能控制电路和电子设备，以实现提高使能控制电路的翻转电平的精度的目的，降低温度对翻转电平的影响。为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：一种使能控制电路，包括：电流源产生模块、第三支路和输出模块；其中，所述电流源产生模块包括：第一支路和第二支路，所述第一支路的输入端与所述第二支路的输入端电连接，所述第一支路的输入端用于接收工作电源；所述第一支路的输出端与所述第二支路的输出端以及固定电位端电连接，所述固定电位端的电位小于所述工作电源的电位；所述第一支路用于在所述工作电源的电位超过第一预设阈值时，产生第一电流；所述第二支路用于在所述工作电源的电位超过第一预设阈值时，产生与所述第一电流互为镜像的第二电流；所述第一支路与所述第二支路同为正温度系数或同为负温度系数；所述第三支路的第一输入端与所述第一支路的输入端和第二支路的输入端均电连接，用于接收所述工作电源，所述第三支路的第二输入端用于接收输入信号，所述第三支路的输出端与所述输出模块的输入端电连接，所述第三支路的接地端与所述固定电位端电连接；所述第三支路用于在当所述工作电源的电位超过所述第一预设阈值时，产生与所述第一电流互为镜像的第三电流，和用于在所述输入信号的幅值大于或等于第二预设阈值时将所述第三支路的输出端的电位下拉为所述固定电位端的电位；所述输出模块，用于在当所述第三支路的输出端的电位下拉为所述固定电位端的电位时，输出使能信号。可选的，所述第一支路包括第一温度补偿器件；所述第二支路包括第二温度补偿器件；所述第一电流和第二电流的幅值由所述第二温度补偿器件两端的压降与所述第一温度补偿器件的控制端与输出端之间的压降的差值决定，所述第一温度补偿器件和所述第二温度补偿器件均为负温度系数器件或均为正温度系数器件；可选的，所述第三支路包括控制器件；所述控制器件的控制端作为所述第三支路的第二输入端，所述控制器件的输出端作为所述第三支路的接地端；所述控制器件用于在所述输入信号的幅值大于或等于第二预设阈值时将所述第三支路的输出端的电位下拉为所述固定电位端的电位。可选的，所述控制器件与所述第一温度补偿器件为相同工艺的器件。可选的，所述第一支路包括：第一晶体管、第二晶体管、负载单元；其中，所述第一晶体管的控制端与所述第二温度补偿器件的输入端电连接，所述第一晶体管的输出端与所述负载单元的输入端电连接，所述第一晶体管的输入端与所述第二晶体管的控制端以及所述第二晶体管的输出端电连接，所述第二晶体管的输入端为所述第一支路的输入端；所述负载单元的输出端与所述固定电位端电连接；所述第一晶体管为N型耗尽型MOS管，且所述第一晶体管为所述第一温度补偿器件，所述第一温度补偿器件为负温度系数器件；所述第二晶体管为P型增强型MOS管。可选的，所述第二支路包括：第四晶体管和第一二极管；其中，所述第四晶体管的控制端与所述第二晶体管的控制端电连接，所述第四晶体管的输入端与所述第二晶体管的输入端电连接，所述第四晶体管的输出端与所述第一晶体管的控制端以及所述第一二极管的输入端电连接；所述第一二极管的输出端与所述固定电位端电连接，所述第一二极管作为所述第二温度补偿器件，所述第二温度补偿器件为负温度系数器件；所述第四晶体管为P型增强型MOS管。可选的，所述第三支路包括第三晶体管和第五晶体管；其中，所述第三晶体管的控制端与所述第二晶体管的控制端电连接，所述第三晶体管的输入端与所述第二晶体管的输入端电连接，作为所述第三支路的输入端，所述第三晶体管的输出端与所述第五晶体管的输入端电连接；所述第五晶体管的控制端用于接收所述输入信号；所述第五晶体管的输出端与所述固定电位端电连接；所述第三晶体管为P型增强型MOS管，所述第五晶体管为N型增强型MOS管。可选的，所述第一预设阈值为所述第二晶体管的阈值电压；所述第二预设阈值为所述第五晶体管的阈值电压。可选的，所述负载单元包括第一电阻和第二电阻；其中，所述第二电阻的一端与所述第一晶体管的输出端电连接，另一端与所述第一电阻的第一端连接；所述第一电阻的另一端与所述固定电位端电连接；所述第一电阻和第二电阻的连接节点为所述中间电位端；所述第五晶体管的衬底与所述中间电位端电连接，以使所述中间电位端的输出信号为所述第五晶体管提供衬底偏置电位。可选的，所述固定电位端为零电位端。可选的，所述输出模块为反相器。一种电子设备，包括如上述任一项所述的使能控制电路。从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种使能控制电路和电子设备，其中，所述使能控制电路包括：电流源产生模块、第三支路和输出模块，所述电流源产生模块包括第一支路和第二支路，所述第三支路中产生的第三电流与第一支路中产生的第一电流互为镜像，由于所述第一支路与所述第二支路同为正温度系数或同为负温度系数，消除了温度变化对于第一支路、第二支路和第三支路中产生的电流的影响。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中的一种使能控制电路的结构示意图；图2为现有技术中的另一种使能控制电路的结构示意图；图3为本申请的一个实施例提供的一种使能控制电路的结构示意图；图4为本申请的另一个实施例提供的一种使能控制电路的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
中所述，现有技术中的使能控制电路的翻转电平会受到工作电源、温度、器件工艺角的影响而在一定范围内波动，这种波动对于某些高精度应用场景是无法忍受的。因此，对于一些对于翻转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使能控制电路，其特征在于，包括：电流源产生模块、第三支路和输出模块；其中，/n所述电流源产生模块包括：第一支路和第二支路，所述第一支路的输入端与所述第二支路的输入端电连接，所述第一支路的输入端用于接收工作电源；所述第一支路的输出端与所述第二支路的输出端以及固定电位端电连接，所述固定电位端的电位小于所述工作电源的电位；/n所述第一支路用于在所述工作电源的电位超过第一预设阈值时，产生第一电流；/n所述第二支路用于在所述工作电源的电位超过第一预设阈值时，产生与所述第一电流互为镜像的第二电流；所述第一支路与所述第二支路同为正温度系数或同为负温度系数；/n所述第三支路的第一输入端与所述第一支路的输入端和第二支路的输入端均电连接，用于接收所述工作电源，所述第三支路的第二输入端用于接收输入信号，所述第三支路的输出端与所述输出模块的输入端电连接，所述第三支路的接地端与所述固定电位端电连接；/n所述第三支路用于在当所述工作电源的电位超过所述第一预设阈值时，产生与所述第一电流互为镜像的第三电流，和用于在所述输入信号的幅值大于或等于第二预设阈值时将所述第三支路的输出端的电位下拉为所述固定电位端的电位；/n所述输出模块，用于在当所述第三支路的输出端的电位下拉为所述固定电位端的电位时，输出使能信号。/n...

【技术特征摘要】
1.一种使能控制电路，其特征在于，包括：电流源产生模块、第三支路和输出模块；其中，
所述电流源产生模块包括：第一支路和第二支路，所述第一支路的输入端与所述第二支路的输入端电连接，所述第一支路的输入端用于接收工作电源；所述第一支路的输出端与所述第二支路的输出端以及固定电位端电连接，所述固定电位端的电位小于所述工作电源的电位；
所述第一支路用于在所述工作电源的电位超过第一预设阈值时，产生第一电流；
所述第二支路用于在所述工作电源的电位超过第一预设阈值时，产生与所述第一电流互为镜像的第二电流；所述第一支路与所述第二支路同为正温度系数或同为负温度系数；
所述第三支路的第一输入端与所述第一支路的输入端和第二支路的输入端均电连接，用于接收所述工作电源，所述第三支路的第二输入端用于接收输入信号，所述第三支路的输出端与所述输出模块的输入端电连接，所述第三支路的接地端与所述固定电位端电连接；
所述第三支路用于在当所述工作电源的电位超过所述第一预设阈值时，产生与所述第一电流互为镜像的第三电流，和用于在所述输入信号的幅值大于或等于第二预设阈值时将所述第三支路的输出端的电位下拉为所述固定电位端的电位；
所述输出模块，用于在当所述第三支路的输出端的电位下拉为所述固定电位端的电位时，输出使能信号。


2.根据权利要求1所述的使能控制电路，其特征在于，所述第一支路包括第一温度补偿器件；
所述第二支路包括第二温度补偿器件；
所述第一电流和第二电流的幅值由所述第二温度补偿器件两端的压降与所述第一温度补偿器件的控制端与输出端之间的压降的差值决定，所述第一温度补偿器件和所述第二温度补偿器件均为负温度系数器件或均为正温度系数器件。


3.根据权利要求2所述的使能控制电路，其特征在于，所述第三支路包括控制器件；
所述控制器件的控制端作为所述第三支路的第二输入端，所述控制器件的输出端作为所述第三支路的接地端；所述控制器件用于在所述输入信号的幅值大于或等于第二预设阈值时将所述第三支路的输出端的电位下拉为所述固定电位端的电位。


4.根据权利要求3所述的使能控制电路，其特征在于，所述控制器件与所述第一温度补偿器件为相同工艺的器件。


5.根据权利要求3所述的使能控制电路，其特征在于，所述第一支路包括：第一晶体管、第二晶体管、负载单元；其中，
所述第一晶体管的控制端与所述第二温度补偿器件的输入端电连接，所述第一晶体管的输出端与所述负载单元的输入端电连接，所述第一晶体管的输入端与所述第二晶体管的控制端以...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜士才，何永强，罗旭程，杜黎明，程剑涛，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31