一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基板包括：衬底及位于衬底一侧的像素电路层；触控信号线，位于像素电路层背离衬底一侧；色阻层，位于触控信号线背离衬底一侧；电极层，位于色阻层背离衬底一侧；电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第二电极背离衬底一侧或者第一电极与第二电极同层设置；配向层，位于电极层背离衬底一侧；第一黑矩阵，位于配向层与触控信号线之间，第一黑矩阵包括多个开口；开口所在区域为像素开口区；触控信号线与配向层之间的至少一层膜层，在触控信号线对应的第一黑矩阵所在位置形成有凹槽结构。该阵列基板能够提高配向层的平坦性，改善显示不均。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是一种将阵列基板和彩膜基板对位成盒后，在盒内注入液晶的显示器。随着人们需求的提高，为了提高液晶显示器的显示品质，避免阵列基板和彩膜基板对位成盒时的偏差影响液晶显示器的开口率和出现漏光的问题，出现了将色阻层设置于阵列基板上(ColorFilteronArray，COA)技术。在目前的COA基板中，由于触控信号线具有一定的厚度，触控信号线对应的黑矩阵背离衬底一侧的膜层会出现凸起，从而导致配向层的厚度不均匀，进而在显示时具有明显的亮暗不均现象。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以提高配向层的平坦性，从而改善显示不均。第一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：衬底及位于所述衬底一侧的像素电路层；触控信号线，位于所述像素电路层背离所述衬底一侧；色阻层，位于所述触控信号线背离所述衬底一侧；电极层，位于所述色阻层背离所述衬底一侧；所述电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第二电极背离所述衬底一侧或者所述第一电极与所述第二电极同层设置；配向层，位于所述电极层背离所述衬底一侧；第一黑矩阵，位于所述配向层与所述触控信号线之间，所述第一黑矩阵包括多个开口；所述触控信号线与所述配向层之间的至少一层膜层，在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置形成有凹槽结构。第二方面，本专利技术实施例提供一种显示面板，包括第一方面提供的任一种阵列基板；还包括对置基板和液晶层；所述对置基板和所述阵列基板相对设置，所述阵列基板设置有所述配向层的一侧朝向所述对置基板；所述阵列基板和所述对置基板之间设置有所述液晶层。第三方面，本专利技术实施例提供一种显示装置，包括：第二方面提供的任一种显示面板。本专利技术实施例提供的技术方案，通过触控信号线位于像素电路层背离衬底一侧，色阻层位于触控信号线背离衬底一侧，第一黑矩阵位于配向层与触控信号线之间，则第一黑矩阵位于触控信号线背离衬底一侧，电极层，位于色阻层背离衬底一侧；电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第二电极背离所述衬底一侧或者第一电极与第二电极同层设置；由于触控信号线存在一定的高度，会导致触控信号线所在位置的触控信号线靠近衬底一侧的表面所在的平面与第一电极靠近衬底一侧的表面所在的平面之间的膜层更厚，通过在触控信号线与配向层之间的至少一层膜层，触控信号线对应的第一黑矩阵所在位置形成凹槽结构，能够减小触控信号线所在位置的触控信号线靠近衬底一侧的表面所在的平面与第一电极背离衬底一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，涂布配向液后，减小配向液的流动性，防止触控信号线处的配向液回流至开口处，从而提高配向层厚度的均匀性，进而改善显示不均的现象。附图说明为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为图1所示阵列基板沿剖面线AA’方向的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2为图1所示阵列基板沿剖面线AA’方向的剖面结构示意图。结合图1和图2所示，阵列基板100包括：衬底110及位于衬底110一侧的像素电路层120。触控信号线130，位于像素电路层120背离衬底110一侧。色阻层140，位于触控信号线130背离衬底110一侧。电极层150，位于色阻层140背离衬底110一侧；电极层150包括第一电极151和第二电极，第一电极151位于第二电极背离衬底110一侧或者第一电极151与第二电极同层设置。配向层160，位于电极层150背离衬底110一侧。第一黑矩阵170，位于配向层160与触控信号线130之间，第一黑矩阵170包括多个开口171。触控信号线130与配向层160之间的至少一层膜层，在第一黑矩阵170所在位置形成有凹槽结构180。示例性的，如图1和图2所示，第一电极151为像素电极，第二电极为公共电极(图中未示出)，衬底110上设置有缓冲层，像素电路层120设置于缓冲层背离衬底110一侧，包括栅极(图中未示出)、源极121和漏极122，栅极与栅极驱动信号电连接(图中未示出)，用于导通源极121和漏极122；源极121与数据信号电连接(图中未示出)，用于向像素电路层120提供数据电压信号；漏极122与第一电极151电连接，用于向像素电极提供数据电压信号，像素电极与公共电极之间产生电场，用来驱动液晶分子偏转以进行画面显示。在第一电极151背离衬底110一侧涂布配向液，经过固化后形成配向层160，配向层160用于给液晶分子提供一个预倾角，使液晶分子的旋转方向一致。第一黑矩阵170设置于配向层160与触控信号线130之间的任意一层膜层上，第一黑矩阵170的开口171用于透过光束，透过开口171的光束用于画面显示，即开口171所在区域为像素开口区。需要说明的是，第一电极151和第二电极152可以同层设置，如图5和图6所示；第一电极151和第二电极152还可以异层设置，如图7和图8所示。在其他实施方式中，还可以是第一电极151为公共电极，且公共电极与漏极绝缘，第二电极为像素电极。现有技术中，触控信号线130存在一定的高度，会导致触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层更厚，，涂覆配向液后，触控信号线130处的配向液由于所处位置较高，会回流至开口171处，并在开口171处的部分区域堆积，因此，增加了部分开口171处的配向层160的膜面厚度，造成配本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底及位于所述衬底一侧的像素电路层；/n触控信号线，位于所述像素电路层背离所述衬底一侧；/n色阻层，位于所述触控信号线背离所述衬底一侧；/n电极层，位于所述色阻层背离所述衬底一侧；所述电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第二电极背离所述衬底一侧或者所述第一电极与所述第二电极同层设置；/n配向层，位于所述电极层背离所述衬底一侧；/n第一黑矩阵，位于所述配向层与所述触控信号线之间，所述第一黑矩阵包括多个开口；/n所述触控信号线与所述配向层之间的至少一层膜层，在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置形成有凹槽结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底及位于所述衬底一侧的像素电路层；
触控信号线，位于所述像素电路层背离所述衬底一侧；
色阻层，位于所述触控信号线背离所述衬底一侧；
电极层，位于所述色阻层背离所述衬底一侧；所述电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第二电极背离所述衬底一侧或者所述第一电极与所述第二电极同层设置；
配向层，位于所述电极层背离所述衬底一侧；
第一黑矩阵，位于所述配向层与所述触控信号线之间，所述第一黑矩阵包括多个开口；
所述触控信号线与所述配向层之间的至少一层膜层，在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置形成有凹槽结构。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一黑矩阵位于所述色阻层背离所述衬底的一侧表面；所述色阻层在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置设置有所述凹槽结构。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一绝缘层；所述第一绝缘层位于所述电极层与所述色阻层之间；所述第一绝缘层在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置设置有所述凹槽结构。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层包括像素电极和公共电极；所述公共电极位于所述第一绝缘层背离所述衬底一侧；所述像素电极为所述第一电极，所述公共电极为所述第二电极；
所述公共电极以及所述第一绝缘层在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置设置有所述凹槽结构；
所述凹槽结构贯穿所述公共电极，且所述凹槽结构的深度小于等于所述公共电极和所述第一绝缘层的厚度之和。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层；
所述第二绝缘层位于所述像素电极和公共电极之间；
所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述公共电极在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置设置有所述凹槽结构；且所述凹槽结构的深度小于等于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述公共电极的厚度之和。
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【专利技术属性】
技术研发人员：凌安恺，罗曼，陈秋岸，沈柏平，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35