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一种带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料及其制备方法、应用技术

技术编号:25381036 阅读:37 留言:0更新日期:2020-08-25 22:50
本发明专利技术公开了一种带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料的制备方法,包括如下步骤:向含有聚乙烯吡咯烷酮的前驱体ZnSe·0.5N

【技术实现步骤摘要】
一种带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料及其制备方法、应用
本专利技术涉及光敏材料
,尤其涉及一种带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料及其制备方法、应用。
技术介绍
能源是生物活动的命脉,能源的生产、利用和供应是未来几十年的挑战之一。当下面临着化石能源的短缺以及化石能源使用后造成的环境污染两大尖锐问题。因此寻找和利用可再生能源是摆脱对化石能源的依赖的重要举措。太阳能作为一种取之不尽用之不竭的能源逐渐进入科学家的视野,如太阳能在太阳能电池、光催化、光电化学以及光电传感等领域的应用。但是目前对于太阳能的利用面临着低利用率的问题。光电传感器是一种将光信号转换为电信号的器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上,物质的电子吸收光子的能量而发生相应的电效应现象。光电传感器的性能基本上与半导体基光敏材料本身以及他们的微观结构有关。因此,目前的研究聚焦于合理设计和合成创新的光敏材料。纳米半导体基光敏材料具有宏观材料所没有的特性,它们表现出较高的表面积与体积比,有效的增加了太阳能在光催化、光电化学和光电传感中的吸附。但是半导体基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:向含有聚乙烯吡咯烷酮的前驱体ZnSe·0.5N

【技术特征摘要】
1.一种带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:向含有聚乙烯吡咯烷酮的前驱体ZnSe·0.5N2H4纳米带溶液中滴加Pb(NO3)2溶液混匀,升温并保温,然后离心取沉淀,洗涤,干燥,煅烧得到带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料。


2.根据权利要求1所述带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料的制备方法,其特征在于,升温至50-90℃并保温8-14h。


3.根据权利要求1或2所述带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料的制备方法,其特征在于,在惰性气体氛围中煅烧;优选地,在氮气氛围中煅烧;优选地,煅烧温度为400-450℃,煅烧时间为15-30min。


4.根据权利要求1-3任一项所述带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料的制备方法,其特征在于,Pb(NO3)2与ZnSe·0.5N2H4的摩尔比为0.5-3:2;优选地,前驱体ZnSe·0.5N2H4纳米带与聚乙烯吡咯烷酮的重量比为3:5-20。


5.根据权利要求1-4任一项所述带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料的制备方法,其特征在于,前驱体ZnSe·0.5N2H4纳米带溶液和Pb(NO3)2溶液的溶剂均为乙二醇;优选地,依次用乙醇、水进行洗涤;优选地,搅拌1-2h混匀。


6.根据权利要求1-5任一项所述带状PbSe/ZnSe异质结纳米材料的制备方法,其特征在于,前驱体ZnSe·0.5N2H...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭正康萍
申请(专利权)人:安徽大学
类型:发明
国别省市:安徽;34

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