配对图形的插入方法、设备和存储介质技术

技术编号:25346501 阅读:64 留言:0更新日期:2020-08-21 17:05
本申请公开了一种配对图形的插入方法、设备和存储介质,包括:在集成电路版图插入第一配对图形;沿插入方向,在距离第一配对图形预定距离的位置插入第二配对图形,第二配对图形是与第一配对图形在形状上匹配的图形;当第一配对图形和第二配对图形中存在任一配对图形不满足配对图形插入标准时,沿移动方向移动第一配对图形和第二配对图形,直至第一配对图形和第二配对图形满足配对图形插入标准。本申请通过在集成电路版图中插入在形状上相互匹配的第一配对图形和第二配对图形,通过移动第一配对图形和第二配对图形以满足配对图形标准,在实现了在集成电路版图中自动插入配对图形的基础上,降低了配对图形的插入错误几率。

【技术实现步骤摘要】
配对图形的插入方法、设备和存储介质
本申请涉及集成电路制造
,具体涉及一种集成电路版图设计中的配对图形的插入方法、设备和存储介质。
技术介绍
参考图1,其示出了集成电路版图中的配对图形(rotationpattern)的示意图。如图1所示,在曝光单元(shot)111上设置有配对图形121,在曝光单元112上设置有配对图形122,其中,配对图形121和配对图形122是能够拼合为一个完成图像的图形对。当确定配对图形121和配对图形122能够拼合时,才能确定曝光单元111和曝光单元112曝光准确。相关技术中,通常是通过人工的方式在曝光单元中插入配对图形,效率较低且错误率较高。例如,参考图2,其示出了通过人工方式在曝光单元210中插入配对图形221和配对图形222的示意图。如图2所示,配对图形221距离曝光单元210的划片(dicing)标记的距离为w1,配对图形222距离曝光单元210的划片标记的距离为w2,其中,由于人工判断失误,w1小于配对图形插入标准中的距离阈值。
技术实现思路
申请提供了一种配对图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种配对图形的插入方法,其特征在于,包括:/n在集成电路版图中插入第一配对图形;/n沿插入方向,在距离所述第一配对图形预定距离的位置插入第二配对图形,所述第二配对图形是与所述第一配对图形在形状上匹配的图形;/n当所述第一配对图形和所述第二配对图形中存在任一配对图形不满足所述配对图形插入标准时,沿移动方向移动所述第一配对图形和所述第二配对图形,直至所述第一配对图形和所述第二配对图形满足所述配对图形插入标准;/n其中,所述配对图形插入标准包括配对图形不与其它配对图形具有交叠区域且配对图形和划片标记的距离大于距离阈值,所述移动方向垂直于所述插入方向。/n

【技术特征摘要】
1.一种配对图形的插入方法,其特征在于,包括:
在集成电路版图中插入第一配对图形;
沿插入方向,在距离所述第一配对图形预定距离的位置插入第二配对图形,所述第二配对图形是与所述第一配对图形在形状上匹配的图形;
当所述第一配对图形和所述第二配对图形中存在任一配对图形不满足所述配对图形插入标准时,沿移动方向移动所述第一配对图形和所述第二配对图形,直至所述第一配对图形和所述第二配对图形满足所述配对图形插入标准;
其中,所述配对图形插入标准包括配对图形不与其它配对图形具有交叠区域且配对图形和划片标记的距离大于距离阈值,所述移动方向垂直于所述插入方向。


2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述沿移动方向移动所述第一配对图形和所述第二配对图形,直至所述第一配对图形和所述第二配对图形满足所述配对图形插入标准,包括:
检测所述第二配对图形是否满足所述配对图形标准;
当所述第二配对图形不满足所述配对图形标准时,沿所述移动方向移动所述第二配对图形,直至所述第二配对图形满足所述配对图形标准;
将所述第一配对图形沿所述移动方向移动第一距离,检测所述第一配对图形是否满足所述配对图形标准,所述第一距离为所述第二配对图形的移动距离;
当所述第一配对图形不满足所述配对图形标准时,沿所述移动方向移动所述第一配对图形,直至所述第一配对图形满足所述配对图形标准;
将所述第二配对图形沿所述移动方向移动第二距离,检测所述第二配对图形是否满足所述配对图形标准,所述第二距离为所述第一配对图形的移动距离;
重复上述步骤,直至所述第一配对图形和所述第二配对图形满足所述配对图形插入标准。


3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述检测所述第二配对图形是否满足所述配对图形标准,包括:
检测所述第二配对图形是否与其它图形具有交叠区域;
计算所述第二配对图形与沿所述移动方向上最近距离的划片标记的第一间距;
检测所述第一间距是否小于距离阈值;
当所述第二配对图形与所述其它图形具有交叠区域,和/或,当所述第一间距小于所述距离阈值时,确定所述第二配对图形不满足所述配对图形标准。


4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:张兴洲
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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