一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料、其制备方法及应用技术

技术编号:25340436 阅读:50 留言:0更新日期:2020-08-21 16:55
本发明专利技术提供一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料,化学式为Tm

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料、其制备方法及应用
本专利技术属于微波铁氧体晶体材料制备
,尤其涉及一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料及其制备方法。
技术介绍
铁氧体微波器件(如电调谐滤波器、限幅器、移相器、环行器等)具有承载功率高、损耗低等优点,长期以来在相控阵雷达、电子对抗以及高能物理粒子加速器、移动通信、人造卫星、电视等军用和民用方面发挥着重要作用。随着铁氧体微波器件向高频化、轻型化等方向发展,对应用于其中的铁氧体提出了更多新要求如饱和磁化强度符合特定要求、温度稳定性高等以获得更好的通信质量和更低廉的生产成本。石榴石型铁氧体是铁氧体结构的一种,其具有优越的介电特性、较窄的共振线宽、较大的法拉第旋转角、较小的光吸收。较小的磁损耗和优良的适应能力使其被应用于国防、卫星通讯等多个领域,成为现今物理材料研究中一类重要的亚铁磁性材料。因此开发成分简单、成本低廉、性能优良的TmIG铁氧体材料对于满足当前市场的需求具有广阔前景。
技术实现思路
作为本申请的一个方面,提供一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料,其特征在于,化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料,其特征在于,化学式为/nTm

【技术特征摘要】
20191205 CN 20191123233931.一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料,其特征在于,化学式为
Tm3-xCexFe5-yCryO12
其中,0≤x≤0.12,0≤y≤0.3;
Ce3+取代晶体中Tm3+的格位,Cr3+取代晶体中Fe3+的格位。


2.根据权利要求1所述的掺杂TmIG铁氧体晶体材料,其特征在于,
优选地,所述掺杂TmIG铁氧体晶体材料的平均粒径为40~60nm;
优选地,所述掺杂TmIG铁氧体晶体材料的饱和磁化强度为16~19emu/g。


3.权利要求1~2任一项所述掺杂TmIG铁氧体晶体材料的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
获取含有Tm源、Ce源、Fe源和Cr源的混合液,加入柠檬酸,调节pH为1~3,反应,得到溶胶;所述溶胶经干燥,研磨,烧结得到所述掺杂TmIG铁氧体材料。


4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
所述Tm源选自Tm(NO3)3、Tm2O3中的至少一种;
所述Fe源选自Fe(NO3)3、Fe2O3中的至少一种;
所述Ce源选自Ce(...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴少凡李艳王帅华徐刘伟
申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所
类型:发明
国别省市:福建;35

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