传感器封装制造技术

描述了一种传感器封装(100)，包括：非导电衬底(105)；位于非导电衬底(105)的第一侧(115)处的至少两个导电线圈(110a‑c)，位于非导电衬底(105)的、与该非导电衬底(105)的第一侧相对的第二侧(125)处的评估电路(120)，以及至少两个导电线圈(110a‑c)与评估电路(120)之间的导电连接件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传感器封装
本申请涉及传感器封装，具体而言，涉及用于旋转和/或线性位置感测的感应传感器封装。
技术介绍
用于测量磁场的磁场属性的装置通常被称为磁场传感器或磁传感器。典型地，这些传感器包括被配置成用于感测磁场的属性的传感器元件。例如，霍尔元件、诸如线圈之类的感应元件、或磁阻元件。这些传感器元件也可被称为磁场灵敏元件或感测元件。传感器元件受磁场影响并输出指示感测到的磁场的信号。由此，可使用直接或间接的测量。对于直接测量，例如，可以测量遇到的磁场的磁场强度，而对于间接测量，可以通过测量由磁通量感应出的可量化的属性(例如，感应出的电流或电压)来测量磁通量。然而，传感器的其他元件(即，非感测元件)也受磁场影响。例如，磁场可在诸如导电元件(其电连接传感器的元件)之类的传感器的其他元件中引起涡流，并且可因此影响磁传感器内所包括的集成电路的性能。集成电路典型地执行计算传感器的输出的任务，对集成电路的操作的任何影响会影响传感器的性能和准确性。已知的传感器包括引线框架，该引线框架用于对传感器的不同元件进行布线，并且集成电路被安装在该引线框架上。此类本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器封装(100)，包括：/n非导电衬底(105)；/n至少两个导电线圈(110a-c)，位于所述非导电衬底(105)的第一侧(115)处；/n评估电路(120)，位于所述非导电衬底(105)的、与所述非导电衬底(105)的所述第一侧(115)相对的第二侧(125)处；以及/n所述至少两个导电线圈(110a-c)与所述评估电路(120)之间的导电连接件。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180122 EP 18152828.21.一种传感器封装(100)，包括：
非导电衬底(105)；
至少两个导电线圈(110a-c)，位于所述非导电衬底(105)的第一侧(115)处；
评估电路(120)，位于所述非导电衬底(105)的、与所述非导电衬底(105)的所述第一侧(115)相对的第二侧(125)处；以及
所述至少两个导电线圈(110a-c)与所述评估电路(120)之间的导电连接件。


2.根据权利要求1所述的传感器封装(100)，其中，所述衬底(105)包括电绝缘的、非金属的、和/或低介电损耗的材料。


3.根据前述权利要求中任一项所述的传感器封装(100)，其中，所述衬底(105)被配置成用于赋予实质的结构刚性，或者其中，引线框架被配置成用于赋予结构刚性。


4.根据前述权利要求中任一项所述的传感器封装(100)，其中，所述衬底(100)包括连接垫(130)，所述连接垫(130)在所述衬底(105)的所述第二侧上，用于将所述至少两个导电线圈(110a-c)与所述评估电路(120)连接。


5.根据前述权利要求中任一项所述的传感器封装(100)，其中，所述评估电路(120)作为倒装芯片被安装到所述衬底(105)的所述第二侧(125)上。


6.根据前述权利要求中任一项所述的传感器封装(100)，其中，所述至少两个导电线圈(110a-c)在所述衬底(105)的所述第一侧(115)上至少部分地被集成到所述衬底(105)中。


7.根据前述权利要求中任一项所述的传感器封装(100)，其中，所述至少两个导电线圈(110a-c)在结构上彼此不重叠，或者在结构上至少部分地彼此重叠。


8.根据前述权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·伊犁格斯曼，W·克鲁格，D·伊莱，J·陈，J·吕迪格，S·拜尔，
申请(专利权)人：迈来芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH