自适应脉冲序列控制的PCCM Buck变换器制造技术

本发明专利技术公开了一种自适应脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，包括：主电路、自适应脉冲生成电路和脉冲选择电路；其中，所述自适应脉冲生成电路包括：电压转电流电路和脉冲生成电路；所述电压转电流电路包括：第三电压比较器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻。本发明专利技术通过上述连接方式，实现自适应脉冲宽度的控制信号，使得控制信号的脉冲宽度随着输出电压的变化而变化，从而扩大电路输出电压范围，使电路在大输出电压时保持PCCM状态。此外，该电路根据不用的输出电压改变控制信号的脉冲宽度，以减小电压纹波。

【技术实现步骤摘要】
自适应脉冲序列控制的PCCMBuck变换器
本申请涉及集成电路
，尤其涉及一种自适应脉冲序列控制的PCCMBuck变换器。
技术介绍
脉宽调制(PWM)已被广泛应用于过去几年中对开关DC-DC转换器的控制。但是，对于传统的PWM转换器，很难同时实现系统稳定性和快速响应。为了缓解这个问题，新的控制方案被提出。脉冲序列(PT)是一种用于开关的新控制技术DC-DC转换器，可实现输出电压通过生成由两个占空比不同的控制脉冲。脉冲列与传统PWM相比，该技术具有多个优势控制技术，例如设计的简单性和实施，以及出色的瞬态性能。此外，脉冲序列控制开关DC-DC转换器能以固定的开关频率工作并方便地实现软开关。传统的PT控制使用固定的脉冲来控制电路，在高输出电压时，有输入功率不足的缺陷。变换器工作在连续导通模式(CCM)时能减小电流纹波，从而降低开关噪声。另外，CCM对于大电流应用更有利，因为它可以比运行在电流不连续传导模式(DCM)模式转换器提供更多的电流。然而，DCM转换器通常具有比CCM转换器快得多的瞬态响应和环路增益。结合CCM和DCM的优势，伪本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自适应脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，其特征在于，包括：主电路、自适应脉冲生成电路和脉冲选择电路；其中，所述自适应脉冲生成电路包括：电压转电流电路和脉冲生成电路；/n所述电压转电流电路包括：第三电压比较器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻；/n所述第三电压比较器的输出与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第三电压比较器的正向输入端接入第一基准电压，所述第三电压比较器的反向输入端与第一NMOS管的源极以及第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端接地；/n所述第一PMOS管和所述第二PMOS管以...

【技术特征摘要】
1.一种自适应脉冲序列控制的PCCMBuck变换器，其特征在于，包括：主电路、自适应脉冲生成电路和脉冲选择电路；其中，所述自适应脉冲生成电路包括：电压转电流电路和脉冲生成电路；
所述电压转电流电路包括：第三电压比较器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻；
所述第三电压比较器的输出与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第三电压比较器的正向输入端接入第一基准电压，所述第三电压比较器的反向输入端与第一NMOS管的源极以及第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端接地；
所述第一PMOS管和所述第二PMOS管以电流镜结构连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极以及所述第一NMOS管的漏极连接；
所述第二NMOS管与所述第三NMOS管以电流镜结构连接，所处第二NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接；
所述第三PMOS管和所述第四PMOS管以电流镜结构连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极连接；
所述第四PMOS管的漏极连接到所述电压转电流电路的电流输出端。


2.如权利要求1所述的一种自适应脉冲序列控制的PCCMBuck变换器，其特征在于，所述脉冲生成电路包括：
第一RS触发器、第二RS触发器、第四电压比较器、第五电压比较器、第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第二电容以及第三电容；
所述第一RS触发器的R输入端、所述第二RS触发器的R输入端接入周期脉冲信号，所述第一RS触发器的S输入端与所述第四电压比较器的输出端连接，所述第二RS触发器的R输入端与所述第五电压比较器的输出端连接；
所述第一RS触发器的原输出端与所述第五PMOS管的栅极以及所述第四NMOS管的栅极连接，所述第一RS触发器的非输出端连接到所述自适应脉冲生成电路的第一输出端，所述第二RS触发器的原输出端与所述第六PMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的栅极连接，所述第二RS触发器的非输出端连接到所述自适应脉冲生成电路的第二输出端；
所述第五PMOS管的源极接入所述电压转电流电路的电流输出端，所述第五PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极、所述第二电容的一端以及所述第四电压比较器的反向输入端连接，所述第四NMOS管的源极以及所述第二电容的另一端接地；
所述第六PMOS管的源极与电流源连接，第六PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极、所述第三电容的一端以及所述第五电压比较器的反向输入端连接，所述第五NMOS管的源极所述第三电容的另一端接地；
所述第四电压比较...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾衍瀚，陈涌楠，杨敬慈，林奕涵，陈俊凯，吴添贤，
申请(专利权)人：广州大学，
类型：发明
国别省市：广东;44