一种适用于升降压变换器的频率调节电路制造技术

本发明专利技术公开一种适用于升降压变换器的频率调节电路，属于电子模拟电路技术领域。所述适用于升降压变换器的频率调节电路包括NMOS管MN1～MN4、PMOS管MP1～MP4、三极管NPN1～NPN4、电阻R1～R4、二极管D1、电流源I1～I4、运算放大器AMP1和比较器COMP1。本发明专利技术电路针对输入具有瞬时尖峰的应用场合，无需为增加功率管导通时间而将芯片工作频率设置过低，满足电流检测延时对功率管最小导通时间要求；从而可避免大尺寸外围器件的使用，最终降低设计成本。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于升降压变换器的频率调节电路
本专利技术涉及电子模拟电路
，特别涉及一种适用于升降压变换器的频率调节电路。
技术介绍
在功率开关控制电路中，升降压变换器由于具有电路结构简单、效率高、易于控制和输入输出电压可实现任意组合等优势而得到广泛应用。传统升降压变换器电路架构如图1所示。PWM为控制逻辑电平，其控制功率管MN1周期性的开启和关闭。D1为反向续流二极管。MN1开启时，D1关断，外部输入VIN向电感L1充电。MN1关闭时，D1开启且反向续流从输出滤波电容COUT上抽取电流，因此最终输出VOUT-为负压。通常为提升芯片动态响应性能，升降压变换器采用峰值电流模式进行整体环路控制，以维持输出电压稳定。在功率管MN1每个开启周期内，需检测电感电流值，当其上升至设定值时要求立刻关断功率管MN1，直至下个时钟周期到来后再重新开启。图1中比较器AMP0起电流检测作用，在MN1开启阶段，随着电感内电流上升其正负端压差逐渐增大，当电感电流上升至设定值时AMP0即输出高电平立刻关断MN1，等待下一个时钟周期到来后在重新开启MN1。考虑电路内各本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于升降压变换器的频率调节电路，其特征在于，包括NMOS管MN1～MN4、PMOS管MP1～MP4、三极管NPN1～NPN4、电阻R1～R4、二极管D1、电流源I1～I4、运算放大器AMP1和比较器COMP1；其中，/nNMOS管MN1漏端接三极管NPN1基极，栅端接NMOS管MN4栅端，源端接输出端V

【技术特征摘要】
1.一种适用于升降压变换器的频率调节电路，其特征在于，包括NMOS管MN1～MN4、PMOS管MP1～MP4、三极管NPN1～NPN4、电阻R1～R4、二极管D1、电流源I1～I4、运算放大器AMP1和比较器COMP1；其中，
NMOS管MN1漏端接三极管NPN1基极，栅端接NMOS管MN4栅端，源端接输出端VOUT-；NMOS管MN2漏端接电阻R3第一端，栅端接比较器COMP1输出端，源端接第二电阻R2第一端；NMOS管MN3漏端接PMOS管MP3漏端，栅端接运算放大器AMP1输出端，源端接电阻R4第一端；NMOS管MN4漏端接PMOS管MP4漏端，栅端接PMOS管MP4漏端，源端接输出端VOUT-；
PMOS管MP1漏端接其栅端，栅端接三极管NPN4集电极，源端接输入端VIN；PMOS管MP2漏端接电阻R1第一端，栅端接PMOS管MP1栅端，源端接输入端VIN；PMOS管MP3漏端接NMOS管MN3漏端，栅端接PMOS管MP4栅端，源端接输入端VIN；PMOS管MP4漏端接NMOS管MN4栅端，栅端接PMOS管MP3栅端，源端接输入端VIN；
三极管NPN1集电极接电流源I1负端，基极接NMOS管MN1漏端，发射极接输出端VOUT-；三极管NPN2集电极接输入端VIN，基极接电流源I2负端，发射极接NMOS管MN1漏端；三极管NPN3集电极接输入端VIN，基极接NPN三极管NPN2基极，发射极接电流源I4正端；三极管NPN4集电极接PMOS管MP1漏端，基极接电流源I4正端，发射极接输出端VOUT-；
电阻R1第一端接PMOS管MP2漏端，第二端接输出端VOUT-；电阻R2第一端接NMOS管MN2源端，第二端接输出端VOUT-；电阻R3第一端接NMOS管MN2漏端，第二端接输出端VOUT-；电阻R4第一端接NMOS管MN3源端，第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚冬杰，徐晴昊，李现坤，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32