【技术实现步骤摘要】
一种避免二次损伤的侧脑室穿刺定位仪
本技术涉及医疗设备
，具体是指一种避免二次损伤的侧脑室穿刺定位仪。
技术介绍
脑室穿刺（VC）是脑积水的重要治疗方法，定位仪的主要作用是针对脑积水进行术前的定位。在进行侧脑室穿刺手术时，首先消毒铺巾，接着在额角的位置钻孔，即冠状缝前2cm，中线旁开2~3cm处，然后在孔面上放置定位仪，以指导引流管穿刺，定位仪的导轨平行于冠状面。在穿刺入脑室后，由于引流管上有垂直适配器的存在，无法直接取下，需要将将引流管拔出后才能将现有穿刺仪取下，再次沿原穿刺路径植入引流管，这无疑增加了手术步骤，对大脑造成了二次穿刺损伤，同时也延长了手术时间，增加感染和癫痫发生的风险。现有穿刺仪基座的导轨可滑动范围较大，在有限宽度的基座上，可利用的滑动宽度相对较小，滑动一定距离对应的角度较大，精度相对较低，降低了医生在安全范围内的可操作性，提高了手术风险，亟需进一步改进。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种既能提升医生可操作性，增加导轨精度和利用率，又能避免二次损伤，减少手术操...
【技术保护点】
1.一种避免二次损伤的侧脑室穿刺定位仪，其特征在于，包括基座（1），所述基座（1）包括下部的基座环（11）和两条弧形的平行导轨，所述导轨（12）与基座环（11）垂直设置，所述导轨（12）的表面设置有刻度线；两条导轨（12）之间安置有导管（2），所述导管（2）的头部（21）与导轨（12）下部卡接，导管（2）上嵌套有滑块（3），所述滑块（3）下部与导轨（12）上部贴合，滑块（3）表面设置有与导轨（12）表面刻度线相配合的指针（33）；所述导管（2）上还设置有锁紧件（4）；所述导管（2）一侧设置有开口，置于导管（2）上的滑块（3）和锁紧件（4）均设置有与导管（2）开口位置相匹配的...
【技术特征摘要】
1.一种避免二次损伤的侧脑室穿刺定位仪，其特征在于，包括基座（1），所述基座（1）包括下部的基座环（11）和两条弧形的平行导轨，所述导轨（12）与基座环（11）垂直设置，所述导轨（12）的表面设置有刻度线；两条导轨（12）之间安置有导管（2），所述导管（2）的头部（21）与导轨（12）下部卡接，导管（2）上嵌套有滑块（3），所述滑块（3）下部与导轨（12）上部贴合，滑块（3）表面设置有与导轨（12）表面刻度线相配合的指针（33）；所述导管（2）上还设置有锁紧件（4）；所述导管（2）一侧设置有开口，置于导管（2）上的滑块（3）和锁紧件（4）均设置有与导管（2）开口位置相匹配的开口，置于导管（2）内的引流管能够通过导管（2）、滑块（3）、锁紧件（4）的开口取出。
2.根据权利要求1所述的一种避免二次损伤的侧脑室穿刺定位仪，其特征在于，所述基座（1）中导轨（12）的弧度为120°，所述导轨（12）表面的刻度线的刻度区间为-60~+60°，且刻度线的最小刻度为5°，其中5°单倍刻度线为半线，10°倍数刻度线为全线。
3.根据权利要求1或2所述的一种避免二次损伤的侧脑室穿刺定位仪，其特征在于，所述基座环（11）下部设置有至少三个均匀分布的支撑脚（13），其中一个支撑脚（13）置于两条导轨（12）之间。
4.根据权利要求1或2所述的一种避免二次损伤的侧脑室穿刺定位仪，其特征在于，所述导管（2）从下至上依次包...
【专利技术属性】
技术研发人员：周杰，陈文梅，苏琳，王科，宋利，李慎杰，
申请(专利权)人：西南医科大学附属医院，
类型：新型
国别省市：四川;51
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