组合物和蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种能够在抑制残膜产生的同时形成尺寸精度优异的微细图案、且对铜系层等金属层的蚀刻有用的组合物。一种组合物，其为含有(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％、(B)氯离子0.1～30质量％、(C)下述通式(1)(R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物和蚀刻方法
本专利技术涉及含有规定结构的化合物的组合物和使用了其的蚀刻方法。
技术介绍
作为印刷基板、半导体封装基板等的电路形成方法，已知有后续对基板附加电路图案的加成法、从基板上的金属箔去除无用部分而形成电路图案的减成法(蚀刻法)。当今，在印刷基板的制造中通常采用制造成本低的减成法(蚀刻法)。并且，随着近年来电子设备的高度化和小型化，对于印刷基板也要求图案的微细化，正在开发能够在基板形成微细图案的蚀刻液。例如，专利文献1中，作为蚀刻液而公开了含有铁的氯化物、草酸和乙二胺四聚氧乙烯聚氧丙烯的铜或铜合金用蚀刻液。此外，专利文献2中公开了含有氯化铁、二醇醚类化合物、乙二胺四聚氧乙烯聚氧丙烯、磷酸和盐酸的含铜材料用蚀刻液。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-107286号公报专利文献2：日本特开2009-167459号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，上述专利文献所公开的蚀刻液存在如下问题：难以形成具有期望的尺寸精度的微细图案；或者容易产生成为断线、短路原因的残膜。因此，本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其课题在于，提供能够在抑制残膜产生的同时形成尺寸精度优异的微细图案、且对铜系层等金属层的蚀刻有用的组合物。此外，本专利技术的课题在于提供使用了上述组合物的蚀刻方法。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决上述课题而反复进行了深入研究，结果发现：含有规定成分的组合物能够解决上述问题，从而完成了本专利技术。即，根据本专利技术，提供一种组合物，其是含有(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％、(B)氯离子0.1～30质量％、(C)下述通式(1)所示的数均分子量为550～1400的化合物0.01～10质量％和水的水溶液，前述(B)氯离子相对于前述(A)成分的质量比率(B)/(A)＝0.5～2。(前述通式(1)中，R1表示单键或者碳原子数1～4的直链或支链状的亚烷基；R2和R3各自独立地表示碳原子数1～4的直链或支链状的亚烷基；R4和R5各自独立地表示氢原子或者碳原子数1～4的直链或支链状的烷基；n各自独立地表示前述通式(1)所示的化合物的数均分子量达到550～1400的数值)此外，根据本专利技术，提供一种蚀刻方法，其具有使用上述组合物进行蚀刻的工序。专利技术的效果根据本专利技术，可提供能够在抑制残膜产生的同时形成尺寸精度优异的微细图案、且对铜系层等金属层的蚀刻有用的组合物。此外，根据本专利技术，可提供使用了上述组合物的蚀刻方法。附图说明图1是示意性地示出蚀刻后的试验基板的截面图。具体实施方式以下，针对本专利技术的实施方式进行详细说明。本专利技术的组合物是含有(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分(以下也记作“(A)成分”)、(B)氯离子(以下也记作“(B)成分”)、(C)通式(1)所示的化合物(以下也记作“(C)成分”)和水作为必须成分的水溶液。本专利技术的组合物适合作为用于蚀刻铜系层等金属层的蚀刻液组合物。作为铜系层，可列举出包含银铜合金、铝铜合金等铜合金、以及铜等的层。其中，本专利技术的组合物适合作为用于蚀刻包含铜的铜系层的蚀刻液组合物。作为(A)成分，分别单独使用铜离子和铁离子，或者将它们组合使用。通过配混铜(II)化合物，能够使组合物含有铜离子。即，作为铜离子的供给源，可以使用铜(II)化合物。此外，通过配混铁(III)化合物，能够使组合物含有铁离子。即，作为铁离子的供给源，可以使用铁(III)化合物。作为铜(II)化合物，可列举出例如氯化铜(II)、溴化铜(II)、硫酸铜(II)和氢氧化铜(II)等。作为铁(III)化合物，可列举出例如氯化铁(III)、溴化铁(III)、碘化铁(III)、硫酸铁(III)、硝酸铁(III)和乙酸铁(III)等。这些化合物之中，优选为氯化铜(II)和氯化铁(III)，进一步优选为氯化铜(II)。这些化合物可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。本专利技术的组合物中的(A)成分的浓度为0.1～25质量％，优选为0.5～23质量％、进一步优选为1～20质量％。(A)成分的浓度可根据被蚀刻物的厚度、宽度等来适当调整。关于(A)成分的浓度，在单独使用铜离子或铁离子的情况下是指铜离子的浓度或铁离子的浓度。此外，在组合(混合)使用铜离子和铁离子的情况下是指铜离子的浓度与铁离子的浓度之和。例如，含有10质量％的氯化铜(II)时，(A)成分的浓度为约4.7质量％。此外，在含有10质量％的氯化铜(II)且含有10质量％的氯化铁(III)时，(A)成分的浓度为约8.2质量％。此外，铁离子的浓度优选小于5质量％。作为(B)成分的供给源，可以使用氯化氢、氯化钠、氯化钙、氯化钾、氯化钡、氯化铵、氯化铁(III)、氯化铜(II)、氯化锰(II)、氯化钴(II)、氯化铈(III)和氯化锌(II)等。其中，从容易控制蚀刻速度和容易控制布线图案形状等的理由出发，优选为氯化氢、氯化铁(III)、氯化铜(II)，进一步优选为氯化氢。本专利技术的组合物中的(B)成分的浓度为0.1～30质量％，优选为0.5～28质量％、进一步优选为1～25质量％。(B)成分的浓度可根据被蚀刻物的厚度、宽度等来适当调整。若(B)成分的浓度小于0.1质量％，则有时蚀刻速度变得不充分。另一方面，即使(B)成分的浓度超过30质量％，有时也难以进一步提高蚀刻速度，且反而容易发生装置构件的腐蚀等不良情况。本专利技术的组合物中，(B)成分相对于(A)成分的质量比率(B)/(A)＝0.5～2，优选为0.6～1.8，特别优选为0.65～1.7，最优选为0.7～1.4。若(B)/(A)的值超过2，则无法形成尺寸精度优异的微细布线图案。另一方面，若(B)/(A)的值小于0.5，则有时蚀刻速度变得不充分。(C)成分是下述通式(1)所示的数均分子量为550～1400的化合物。(前述通式(1)中，R1表示单键或者碳原子数1～4的直链或支链状的亚烷基；R2和R3各自独立地表示碳原子数1～4的直链或支链状的亚烷基；R4和R5各自独立地表示氢原子或者碳原子数1～4的直链或支链状的烷基；n各自独立地表示前述通式(1)所示的化合物的数均分子量达到550～1400的数值)作为R1、R2和R3所示的碳原子数1～4的直链或支链状的亚烷基，可列举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、甲基亚乙基、亚丁基、乙基亚乙基、1-甲基亚丙基和2-甲基亚丙基。作为R4和R5所示的碳原子数1～4的直链或支链状的烷基，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基。作为(C)成分，通式(1)中的R1为亚乙基、R2和R3为甲基亚乙基、R4和R5为氢原子且数均分子量为650～1300的化合物容易控制蚀刻速度、容易抑制侧部蚀刻，故而优选。其中，(C)成分的数均分子量特别优选为750～1200。作为通式(1)所示的化合物的优选具体例，可列举出下述化学式No.1～No.36所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物，其为含有下述成分的水溶液：/n(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％；/n(B)氯离子0.1～30质量％；/n(C)下述通式(1)所示的数均分子量为550～1400的化合物0.01～10质量％；以及/n水，/n所述(B)氯离子相对于所述(A)成分的质量比率(B)/(A)＝0.5～2，/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180105 JP 2018-0006541.一种组合物，其为含有下述成分的水溶液：
(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％；
(B)氯离子0.1～30质量％；
(C)下述通式(1)所示的数均分子量为550～1400的化合物0.01～10质量％；以及
水，
所述(B)氯离子相对于所述(A)成分的质量比率(B)/(A)＝0.5～2，



所述通式(1)中，R1表示单键或者碳原子数1～4的直链或支链状的亚烷基；R2和R3各自独立地表示碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：正元祐次，阿部徹司，齐藤康太，千叶广之，
申请(专利权)人：株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：日本;JP