一种抗静电硅胶保护膜制造技术

本发明专利技术公开了一种抗静电硅胶保护膜，包括离型膜、抗静电硅胶层和聚脂薄膜；所述抗静电硅胶层的原料包括：羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金；其中，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程包括：S1、将硅胶活化后加入乙醇、KH‑550偶联剂，在惰性气氛下升温至60‑80℃反应得到改性硅胶；S2、将改性硅胶和羟乙基纤维素溶于甲苯中，加入六亚甲基二异氰酸酯升温至90‑120℃反应得到羟乙基纤维素改性硅胶。本发明专利技术采用羟乙基纤维素对硅胶进行改性处理，羟乙基纤维素的引入提高了碳纳米材料在硅胶中的分散效果，有效防止了碳纳米材料的团聚现象，得到的硅胶膜具有很好的抗静电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种抗静电硅胶保护膜
本专利技术膜材料涉及
，尤其涉及一种抗静电硅胶保护膜。
技术介绍
抗静电硅胶保护模是一款主要应用于保护电子产品的屏幕保护膜，现在主流的硅胶保护膜是PET硅胶屏幕保护膜，适用于手机.电脑.各类屏幕显示器表面保护面膜镜，面玻璃等等表面防刮防尘防辐射等保护面膜，该保护膜选用独特的环保静电吸附硅胶层技术，让你的电子产品屏幕全方位的受到硅胶保护膜的保护。传统工艺一般是用PET(聚酯薄膜)涂硅胶制成硅胶保护膜，制成的硅胶保护膜并不抗静电，硅胶制品属于绝缘制品，在日常的使用过程中或者是在加工生产之后容易携带静电荷，这是因为硅胶与空气、机械设备摩擦的缘故。静电轻则会使硅胶出现沾灰现象，对附近的毛发、颗粒产生吸附作用；重则会引发火灾和静电事故。在面对硅胶的静电问题，传统方法以添加抗静电液来生产硅胶抗静电保护膜，此种方法不能保证抗静电的性能，部分产品存放一段时间后抗静电新能消失，也有部分抗静电液会与硅胶胶层反应，导致保护膜报废。碳纳米材料是一类性能优异的抗静电材料，被广泛的应用于膜材料中，但碳纳米材料在硅胶体系中容易发生团聚，大大降低了对硅胶膜的改性效果。现有通过对碳纳米材料的改性虽然能够改善分散性，但是同时也会影响碳纳米材料的结构和形貌如长径比等，对其导电性能带来不利的影响。因此，如何在不影响碳纳米材料本身性能的同时改善碳纳米材料在硅胶胶水中的分散均匀度从而提高其对硅胶抗静电性能改善效果是本领域需要解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提出了一种抗静电硅胶保护膜，采用羟乙基纤维素对硅胶进行改性处理，羟乙基纤维素的引入提高了碳纳米材料在硅胶中的分散效果，有效防止了碳纳米材料的团聚现象，提高了硅胶膜的抗静电性能。本专利技术提出的一种抗静电硅胶保护膜，包括离型膜、抗静电硅胶层和聚脂薄膜；所述抗静电硅胶层的原料包括：羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金；其中，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程包括：S1、将硅胶活化后加入乙醇、KH-550偶联剂，在惰性气氛下升温至60-80℃反应得到改性硅胶；S2、将改性硅胶和羟乙基纤维素溶于甲苯中，加入六亚甲基二异氰酸酯升温至90-120℃反应得到羟乙基纤维素改性硅胶。优选地，羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金的重量比为40-60：60-70：0.1-0.5：0.5-1.5：0.5-1。优选地，羟乙基纤维素改性硅胶和碳纳米材料的重量比为50：0.2-0.4。优选地，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S1中，反应时间为12-24h。优选地，步骤S1中，升温至70℃。优选地，步骤S1中，硅胶、KH-550偶联剂质量体积比以g：ml计为1-2：1-2。优选地，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S1中，硅胶采用酸活化，具体步骤为：将硅胶与酸溶液混合均匀，升温至70-90℃反应6-8h，过滤，干燥得到活化硅胶；其中，酸溶液中酸的浓度为20-40wt％。优选地，酸为盐酸或硝酸。优选地，干燥为100-120℃。优选地，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S2中，改性硅胶、羟乙基纤维素和六亚甲基二异氰酸酯的质量体积比以g：g：ml计为8-10：3-5：0.5-2。优选地，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S2中，反应时间为6-10h。优选地，步骤S2中，升温至100℃。优选地，碳纳米材料为碳纳米管和/或碳纳米纤维。优选地，碳纳米材料为碳纳米管。优选地，碳纳米材料为单壁碳纳米管。优选地，溶剂为乙酸乙酯。优选地，硅胶锚固剂为偶联剂型锚固剂。优选地，硅胶锚固剂为有机硅烷偶联剂。优选地，抗静电硅胶层的制备过程包括：将改性硅胶、碳纳米材料、溶剂搅拌混合，依次加入硅胶锚固剂、铂金，搅拌均匀，静置消泡，涂布得到抗静电硅胶层。本专利技术对传统硅胶保护膜进行了改性，将硅胶利用偶联剂改性后，利用六亚甲基二异氰酸酯中的异氰酸基与改性硅胶中的氨基以及羟乙基纤维素中的羟基反应，从而将纤维素引入硅胶分子中得到羟乙基纤维素改性硅胶。羟乙基纤维素改性硅胶中羟乙基纤维素的引入提高了硅胶胶水的黏度，在旋转搅拌作用下，产生黏性剪切力，克服了碳纳米材料分子之间的摩擦力和表面张力，使得碳纳米材料容易散开；同时乙基纤维素改性硅胶中柔性分子链有效地将分散开的碳纳米材料分子隔离，有效避免了二次团聚的发生，使得碳纳米材料在硅胶中具有很好的分散作用。且对碳纳米材料自身结构没有受到影响，其导电和耐热性能得以保持，从而有效提高了硅胶膜的抗静电性能，同时利于改善保护膜的耐热性。具体实施方式本专利技术提出的一种抗静电硅胶保护膜，包括离型膜、抗静电硅胶层和聚脂薄膜；所述抗静电硅胶层的原料包括：羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金；其中，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程包括：S1、将硅胶活化后加入乙醇、KH-550偶联剂，在惰性气氛下升温至60-80℃反应得到改性硅胶；S2、将改性硅胶和羟乙基纤维素溶于甲苯中，加入六亚甲基二异氰酸酯升温至90-120℃反应得到羟乙基纤维素改性硅胶。下面，通过具体实施例对本专利技术的技术方案进行详细说明。实施例1一种抗静电硅胶保护膜，包括离型膜、抗静电硅胶层和聚脂薄膜；所述抗静电硅胶层的原料包括：羟乙基纤维素改性硅胶、乙酸乙酯、碳纳米管、硅胶锚固剂、铂金，其中，改性硅胶、乙酸乙酯、碳纳米管、硅胶锚固剂、铂金的重量比为40：60：0.1：0.5：0.5；其中，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程包括：S1、将硅胶活化后加入乙醇、KH-550偶联剂，在惰性气氛下升温至60℃反应24h得到改性硅胶；其中，硅胶、KH-550偶联剂质量体积比以g：ml计为1：1；S2、将改性硅胶和羟乙基纤维素溶于甲苯中，加入六亚甲基二异氰酸酯升温至90℃反应10h得到羟乙基纤维素改性硅胶；其中，改性硅胶、羟乙基纤维素和六亚甲基二异氰酸酯的质量体积比以g：g：ml计为8：3：0.5。实施例2一种抗静电硅胶保护膜，包括离型膜、抗静电硅胶层和聚脂薄膜；所述抗静电硅胶层的原料包括：羟乙基纤维素改性硅胶、乙酸乙酯、碳纳米纤维、硅胶锚固剂、铂金，其中，改性硅胶、乙酸乙酯、碳纳米纤维、偶联剂型锚固剂、铂金的重量比为60：70：0.5：1.5：1；其中，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程包括：S1、将硅胶与浓度为20wt％的盐酸溶液混合均匀，升温至70℃反应8h，过滤，在100℃下干燥得到活化硅胶，向活化硅胶中加入乙醇、KH-550偶联剂，在惰性气氛下升温至80℃反应12h得到改性硅胶；其中，硅胶、KH-550偶联剂质量体积比以g：ml计为2：1；S2、将改性硅胶和羟乙基纤维素溶于甲苯中，加入六亚甲基二异氰酸酯升温至120℃反应6h得到羟乙基纤维素改性硅胶；其中，改性硅胶、羟乙基纤维素和六亚甲基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，包括离型膜、抗静电硅胶层和聚脂薄膜；所述抗静电硅胶层的原料包括：羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金；/n其中，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程包括：/nS1、将硅胶活化后加入乙醇、KH-550偶联剂，在惰性气氛下升温至60-80℃反应得到改性硅胶；/nS2、将改性硅胶和羟乙基纤维素溶于甲苯中，加入六亚甲基二异氰酸酯升温至90-120℃反应得到羟乙基纤维素改性硅胶。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，包括离型膜、抗静电硅胶层和聚脂薄膜；所述抗静电硅胶层的原料包括：羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金；
其中，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程包括：
S1、将硅胶活化后加入乙醇、KH-550偶联剂，在惰性气氛下升温至60-80℃反应得到改性硅胶；
S2、将改性硅胶和羟乙基纤维素溶于甲苯中，加入六亚甲基二异氰酸酯升温至90-120℃反应得到羟乙基纤维素改性硅胶。


2.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金的重量比为40-60：60-70：0.1-0.5：0.5-1.5：0.5-1；优选地，羟乙基纤维素改性硅胶和碳纳米材料的重量比为50：0.2-0.4。


3.根据权利要求1或2所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S1中，反应时间为12-24h；优选地，步骤S1中，升温至70℃；优选地，步骤S1中，硅胶、KH-550偶联剂质量体积比以g：ml计为1-2：1-2。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S1中，硅胶采用酸活化，具体步骤为：将硅胶与酸溶液混合均匀，升温至70-90℃反应6-8h，过滤，干燥...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺平，李财生，钟永旺，王志军，沈敦海，
申请(专利权)人：安徽格林开思茂光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34