一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，通过将一颗双N衬底二极管和一颗双P衬底二极管分别放在两个不同基岛上，组成二极管整流桥堆；相比传统的四颗独立二极管整流桥堆，该方案实现更简单、操作更容易、成本更低。

【技术实现步骤摘要】
一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构
本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构。
技术介绍
随着集成电路IC设计、制造行业得到飞速发展，封装技术也得到了大幅提升。封装是整个集成电路制造过程中重要一环，它具有散热和保护功能。封装工艺能够将芯片密封，隔绝外界污染及外力对芯片的破坏。随着技术的进步，在一个封装体中封装单颗芯片已经不能满足需求。在一个封装体中封装多颗芯片，成为了技术发展的方向。芯片面积越来越小，功率越来越大，使用环境越来越极限，散热要求越来越高，市场竞争日益激烈，成本竞争尤为突出。目前驱动电路中输入整流桥、续流二极管和驱动IC分开，属于不同封装元器件，工厂实际生产中需多次上板，导致元器件成本较高、电路板体积较大。请一并参阅图1A-图1B，其中，图1A为现有的输入整流桥的电路结构示意图，图1B为二极管封装形式示意图。如图1A所示，现有的输入整流桥通常使用四颗独立二极管(D1～D4)组成，以对输入的交流电AC进行整流，输出直流电DC。如图1B所示，对于N衬底二极管11，其封装时，底部与引线框架的基岛电连接的为阴极，顶部为阳极(即N衬底)、可以通过金属引线与其它组件电连接，如图1B中a部分所示；对于P衬底二极管12，其封装时，底部与引线框架的基岛电连接的为阳极，顶部为阴极(即P衬底)、可以通过金属引线与其它组件电连接，如图1B中b部分所示。对四颗独立二极管进行封装时，需要多个独立基岛、多次点胶和上芯，方案繁琐、生产产能(UPH)较低、成本较高。
技术实现思路
本技术的目的在于，针对现有技术中存在的技术问题，提供一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，可以为工厂生产中减少元器件，实现物料成本下降、封装结构的电路板体积更小等优点。为实现上述目的，本技术提供了一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，包括：多基岛引线框架，包括第一类引脚以及相互之间电气隔离的第一基岛与第二基岛，所述第一基岛至少和一连筋相连；其中，所述第一类引脚包括第一交流电输入引脚、第二交流电输入引脚、总线引脚以及接地引脚，相邻两引脚之间的间距大于预设距离值，且所述总线引脚与所述第二基岛直接连接；一颗双P衬底二极管，设置于所述第一基岛上，所述双P衬底二极管包括第一阴极、第二阴极以及共用的阳极，其阳极与所述第一基岛电连接、并通过所述第一基岛与所述接地引脚电连接，其第一阴极通过金属引线与所述第一交流电输入引脚电连接，其第二阴极通过金属引线与所述第二交流电输入引脚电连接；所述双P衬底二极管的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线平行或具有一夹角；一颗双N衬底二极管，设置于所述第二基岛上，所述双N衬底二极管包括第一阳极、第二阳极以及共用的阴极；其阴极与所述第二基岛电连接、并通过所述第二基岛与所述总线引脚电连接，其第一阳极通过金属引线与所述第一交流电输入引脚电连接，其第二阳极通过金属引线与所述双P衬底二极管的第二阴极电连接、并通过所述第二阴极与所述第二交流电输入引脚电连接；所述双N衬底二极管的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线平行或具有一夹角。本技术的优点在于：本技术通过将一颗双N衬底二极管和一颗双P衬底二极管分别放在两个不同基岛上，组成二极管整流桥堆，相比传统的四颗独立二极管整流桥堆，该方案实现更简单、操作更容易、成本更低。通过进一步将二极管整流桥堆与驱动IC、续流二极管、MOS管等中的一个或多个合封在一个封装结构内部，提高了芯片集成度、降低了整个电路的成本；封装结构内部各基岛之间电气隔离，引脚与引脚之间间距足够大，可以有效防止高压击穿，进而满足封装或可靠性的要求。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1A，现有的输入整流桥的电路结构示意图；图1B，二极管封装形式示意图。图2，本技术采用多基岛引线框架的芯片封装结构第一实施例的平面结构示意图；图3，本技术采用多基岛引线框架的芯片封装结构第二实施例的平面结构示意图；图4，本技术采用多基岛引线框架的芯片封装结构第三实施例的平面结构示意图；图5，本技术采用多基岛引线框架的芯片封装结构第四实施例的平面结构示意图；图6，本技术采用多基岛引线框架的芯片封装结构第五实施例的平面结构示意图。具体实施方式下面将结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。本技术的说明书和权利要求书以及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排它的包含。本技术通过将一颗双N衬底二极管和一颗双P衬底二极管分别放在两个不同基岛上，组成二极管整流桥堆；相比传统的四颗独立二极管整流桥堆，该方案实现更简单、操作更容易、成本更低。通过进一步将二极管整流桥堆与驱动IC、续流二极管、MOS管等中的一个或多个合封在一个封装结构内部，形成高集成度的合封芯片。其中，双P衬底二极管就是形成在同一P衬底的两个二极管，其包括第一阴极、第二阴极以及共用的阳极；双N衬底二极管就是形成在同一N衬底的两个二极管，其包括第一阳极、第二阳极以及共用的阴极。本技术可采用任何合适的封装标准形成封装结构。在下述实施例中的封装结构，涉及6引脚的封装体选择了SOP-6或ESOP-6封装规格进行示范。其中，SOP-6和ESOP-6封装长度为4.84-4.96mm，宽度为3.84-3.96mm，引脚数量为6个，引脚宽度0.35-0.47mm。采用上述封装规格可以在保持高集成度的前提下，使封装体保持较小的尺寸和承载较高的功率密度。本领域普通技术人员能够理解，本技术之应用并不限于上述封装格式，例如，在下述实施例中，涉及8引脚的封装体结构采用SOP-8封装规格进行示范。在涉及7引脚的封装体结构，则是混合采用了SOP-6和SOP-8的封装规格(即在单侧3引脚的部分采用SOP-6封装规格，单侧4引脚的部分采用SOP-8的封装规格)。在其他实施例中，还可以采用QFN，DFN等等其他封装规格，来实现本技术。请参阅图2，本技术采用多基岛引线框架的芯片封装结构第一实施例的平面结构示意图。在本实施例中，所述封装结构包括一多基岛引线框架、一颗双P衬底二极管31、一颗双N衬底二极管32。具体的，所述多基岛引线框架为双基岛引线框架，双基岛引线框架的封装线采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，包括：/n多基岛引线框架，包括第一类引脚以及相互之间电气隔离的第一基岛与第二基岛，所述第一基岛至少和一连筋相连；其中，所述第一类引脚包括第一交流电输入引脚、第二交流电输入引脚、总线引脚以及接地引脚，相邻两引脚之间的间距大于预设距离值，且所述总线引脚与所述第二基岛直接连接；/n一颗双P衬底二极管，设置于所述第一基岛上，所述双P衬底二极管包括第一阴极、第二阴极以及共用的阳极，其阳极与所述第一基岛电连接、并通过所述第一基岛与所述接地引脚电连接，其第一阴极通过金属引线与所述第一交流电输入引脚电连接，其第二阴极通过金属引线与所述第二交流电输入引脚电连接；所述双P衬底二极管的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线平行或具有一夹角；/n一颗双N衬底二极管，设置于所述第二基岛上，所述双N衬底二极管包括第一阳极、第二阳极以及共用的阴极；其阴极与所述第二基岛电连接、并通过所述第二基岛与所述总线引脚电连接，其第一阳极通过金属引线与所述第一交流电输入引脚电连接，其第二阳极通过金属引线与所述双P衬底二极管的第二阴极电连接、并通过所述第二阴极与所述第二交流电输入引脚电连接；所述双N衬底二极管的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线平行或具有一夹角。/n...

【技术特征摘要】
20191213 CN 20191127863231.一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，包括：
多基岛引线框架，包括第一类引脚以及相互之间电气隔离的第一基岛与第二基岛，所述第一基岛至少和一连筋相连；其中，所述第一类引脚包括第一交流电输入引脚、第二交流电输入引脚、总线引脚以及接地引脚，相邻两引脚之间的间距大于预设距离值，且所述总线引脚与所述第二基岛直接连接；
一颗双P衬底二极管，设置于所述第一基岛上，所述双P衬底二极管包括第一阴极、第二阴极以及共用的阳极，其阳极与所述第一基岛电连接、并通过所述第一基岛与所述接地引脚电连接，其第一阴极通过金属引线与所述第一交流电输入引脚电连接，其第二阴极通过金属引线与所述第二交流电输入引脚电连接；所述双P衬底二极管的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线平行或具有一夹角；
一颗双N衬底二极管，设置于所述第二基岛上，所述双N衬底二极管包括第一阳极、第二阳极以及共用的阴极；其阴极与所述第二基岛电连接、并通过所述第二基岛与所述总线引脚电连接，其第一阳极通过金属引线与所述第一交流电输入引脚电连接，其第二阳极通过金属引线与所述双P衬底二极管的第二阴极电连接、并通过所述第二阴极与所述第二交流电输入引脚电连接；所述双N衬底二极管的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线平行或具有一夹角。


2.如权利要求1所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述双P衬底二极管与所述双N衬底二极管均采用粘结剂分别粘贴于相应的基岛上。


3.如权利要求1所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述接地引脚与所述第一基岛直接连接；或所述第一基岛为打凹结构，且所述第一基岛打凹后作为所述接地引脚。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李阳德，周占荣，徐鹏，
申请(专利权)人：上海晶丰明源半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31