集成芯片结构及电源模块制造技术

本实用新型专利技术涉及一种集成芯片结构及电源模块。该芯片结构包括直流芯片、续流二极管芯片、至少具有两个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，直流芯片和二极管芯片分别设置于不同基导上，直流芯片的高压供电端与连接芯片结构高压供电引脚的二极管芯片的阴极连接，直流芯片的漏极端和二极管芯片的阳极分别通过金属引线连接至芯片结构的漏极引脚，其中，直流芯片的高压供电端和二极管芯片的击穿电压相匹配。通过将二极管芯片与直流芯片集成在同一芯片结构内，减少LED电源模块的外围器件的数量，提高芯片结构的集成度，同时直流芯片的高压供电端与二极管芯片的击穿电压相匹配，有效确保了产品性能，提高了产品的市场竞争力，降低电源模块的失效率。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片结构及电源模块
本技术涉及电子器件
，特别是涉及有一种集成芯片结构及一种电源模块。
技术介绍
终端客户依市场实际需求生产不同功率、不同输出电流的LED灯，在性能可保证的前提下，对LED电源模块的集成芯片的选型还要考虑成本因素。一般瓦数P≤18W及输出电流I≤120mA的LED灯，终端客户在选型时LED电源模块的集成芯片均为内部只有控制逻辑电路和高压功率MOS器件的集成芯片结构，在应用时需要在外部接上续流二极管才能正常工作，同时在应用过程中因不同厂家生产的二极管与集成芯片结构存在匹配差异，导致电源模块的失效率较高，且终端客户在设计时系统体积较大，电源模块的外围元器件数量较多，相应的材料成本及人工成本高。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述电源模块的失效率较高的问题，提供一种新的集成芯片结构及一种电源模块。一种集成芯片结构，包括塑封体，所述塑封体内设置有直流芯片、续流二极管芯片、至少具有两个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，所述直流芯片和所述续流二极管芯片分别设置于引线框架上的第一基导和第二基导上，所述直流芯片的高压供电端连接所述续流二极管芯片的阴极，所述续流二极管芯片的阴极连接集成芯片结构的高压供电引脚，所述直流芯片的漏极端和所述续流二极管芯片的阳极分别通过金属引线连接至集成芯片结构的漏极引脚，其中，所述直流芯片的高压供电端和所述续流二极管芯片的击穿电压相匹配。在其中一个实施例中，所述直流芯片为包含控制逻辑电路及功率MOS器件的芯片。在其中一个实施例中，所述续流二极管芯片的阳极通过两根金属引线连接至集成芯片结构的漏极引脚。在其中一个实施例中，所述直流芯片上通过金属引线引出的高压供电端与所述第二基导连接。在其中一个实施例中，所述引线框架上与第二基导直接相连的两个相邻引脚为集成芯片结构的高压供电引脚，所述引线框架上位于第二基导另一侧的一个引脚为集成芯片结构的漏极引脚，所述引线框架上与第一基导直接相连的一个引脚为集成芯片结构的片选信号引脚，所述引线框架上位于第一基导另一侧的一个引脚为集成芯片结构的接地引脚。在其中一个实施例中，所述集成芯片结构的高压供电引脚与片选信号引脚位于所述引线框架的同一侧。在其中一个实施例中，所述直流芯片和所述续流二极管芯片均通过导电胶或锡膏分别与第一基导和第二基导相连接。在其中一个实施例中，所述续流二极管芯片的击穿电压大于等于700伏特且小于等于720伏特，所述续流二极管芯片的反向恢复时间小于等于30纳秒。在其中一个实施例中，所述续流二极管芯片为N型衬底的芯片，所述金属引线为铜线。上述集成芯片结构，包括塑封体，所述塑封体内设置有直流芯片、续流二极管芯片、至少具有两个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，所述直流芯片和所述续流二极管芯片分别设置于所述引线框架上的第一基导和第二基导上，所述直流芯片的高压供电端连接所述续流二极管芯片的阴极，所述续流二极管芯片的阴极连接所述集成芯片结构的高压供电引脚，所述直流芯片的漏极端和所述续流二极管芯片的阳极分别通过金属引线连接至所述集成芯片结构的漏极引脚，其中，所述直流芯片的高压供电端和所述续流二极管芯片的击穿电压相匹配。通过将续流二极管芯片与直流芯片集成在同一个集成芯片结构内，减少LED电源模块的外围元器件的数量，提高了芯片结构的集成度，同时直流芯片的高压供电端与续流二极管芯片的击穿电压相匹配，有效地确保了产品性能，提高了产品的市场竞争力，降低电源模块的失效率。一种电源模块，包括整流桥电路、第一滤波电容、储能电感、第二滤波电容、负载，所述电源模块还包括上述任一项所述的集成芯片结构。上述电源模块，包括整流桥电路、第一滤波电容、储能电感、第二滤波电容、负载、集成芯片结构。所述集成芯片结构包括塑封体，所述塑封体内设置有直流芯片、续流二极管芯片、至少具有两个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，所述直流芯片和所述续流二极管芯片分别设置于所述引线框架上的第一基导和第二基导上，所述直流芯片的高压供电端连接所述续流二极管芯片的阴极，所述续流二极管芯片的阴极连接所述集成芯片结构的高压供电引脚，所述直流芯片的漏极端和所述续流二极管芯片的阳极分别通过金属引线连接至所述集成芯片结构的漏极引脚，其中，所述直流芯片的高压供电端和所述续流二极管芯片的击穿电压相匹配。通过将续流二极管芯片与直流芯片集成在同一个集成芯片结构内，减少LED电源模块的外围元器件的数量，提高了芯片结构的集成度，同时直流芯片的高压供电端与续流二极管芯片的击穿电压相匹配，有效地确保了产品性能，提高了产品的市场竞争力，降低了电源模块的失效率。附图说明图1为一实施例中集成芯片结构的结构框图；图2为一实施例中电源模块的电路图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“竖直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本技术。本文所使用的属于“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。示例性的市场上应用的LED电源模块的集成芯片内部只有控制器和高压MOS器件，需要外接一个续流二极管才能正常工作，同时不同厂家生产的续流二极管和电源模块的集成芯片结构存在一定的参数匹配差异，即二极管生产厂家虽然有对二极管芯片的参数进行控制，但因各个二级管在生产时选取的硅片材料及生产工艺都存在一定的差别，从而导致二极管的参数范围存在一定的波动性，导致将二极管与集成芯片结构相连使用后，电源模块的失效率较高，并且终端客户使用该电源模块时系统体积大，相应的材料成本及人工成本高，并且电源模块中的外围元器件数量较多。如图1所示，在一实施例中，提供一种集成芯片结构，包括塑封体，所述塑封体内设置有直流芯片102、续流二极管芯片104、至少具有两个基导和多个引脚的引线框架100、多条金属引线106，直流芯片102和续流二极管芯片104分别设置于引线框架上的第一基导108和第二基导110上，直流芯片102的高压供电端连接续流二极管芯片104的阴极，续流二极管芯片104的阴极连接集成芯片结构的高压供电引脚，直流芯片102的漏极端和续流二极管芯片104的阳极分别通过金属引线106连接至集成芯片结构的漏极引脚，其中，直流芯片102本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片结构，包括塑封体，所述塑封体内设置有直流芯片、续流二极管芯片、至少具有两个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，所述直流芯片和所述续流二极管芯片分别设置于所述引线框架上的第一基导和第二基导上，所述直流芯片的高压供电端连接所述续流二极管芯片的阴极，所述续流二极管芯片的阴极连接所述集成芯片结构的高压供电引脚，所述直流芯片的漏极端和所述续流二极管芯片的阳极分别通过金属引线连接至所述集成芯片结构的漏极引脚，其中，所述直流芯片的高压供电端和所述续流二极管芯片相匹配。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片结构，包括塑封体，所述塑封体内设置有直流芯片、续流二极管芯片、至少具有两个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，所述直流芯片和所述续流二极管芯片分别设置于所述引线框架上的第一基导和第二基导上，所述直流芯片的高压供电端连接所述续流二极管芯片的阴极，所述续流二极管芯片的阴极连接所述集成芯片结构的高压供电引脚，所述直流芯片的漏极端和所述续流二极管芯片的阳极分别通过金属引线连接至所述集成芯片结构的漏极引脚，其中，所述直流芯片的高压供电端和所述续流二极管芯片相匹配。


2.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述直流芯片为包含控制逻辑电路及功率MOS器件的芯片。


3.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述续流二极管芯片的阳极通过两根金属引线连接至所述集成芯片结构的漏极引脚。


4.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述直流芯片上通过金属引线引出的高压供电端与所述第二基导连接。


5.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述引线框架上与第二基导直接相连的两个相邻引脚为所述集成芯片结构的高压供电...

【专利技术属性】
技术研发人员：全新，廖志强，冯润渊，
申请(专利权)人：深圳市晶导电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44