【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】环形磁通门电流传感器
本专利技术涉及具有用于闭环应用的次级线圈的环形磁通门电流传感器。
技术介绍
磁通门传感器具有被励磁线圈围绕的可饱和磁芯，该励磁线圈施加交变磁场，所述交变磁场使磁芯交替饱和。在存在外部磁场的情况下，对可饱和磁芯的饱和性施加偏压，这会影响激励信号的对称性。这种不对称与外部磁场的振幅相关，因此可以用来读取外部磁场的振幅。在磁力计中，励磁电流由电子电路处理，该电子电路向围绕磁通门传感器缠绕的次级线圈(也称为补偿线圈)或向耦合到磁通门传感器的磁路生成反馈信号。补偿电流试图抵消外部磁场的影响，因此次级(或补偿)电流代表了磁场的振幅。在电流传感器中，由在初级导体中流动的初级电流(待测量的电流)产生磁场。通常将初级导体定位成穿过由磁场传感器形成的磁路或穿过耦合到磁场传感器的磁路。某些已知的磁通门传感器具有环形形状，该环形形状围绕初级导体穿过的中心孔。磁通门传感器具有高灵敏度并且因此非常适合测量小电流或小振幅的差动电流，但是与基于霍尔效应磁场检测器的开环电流传感器或闭环电流传感器相比，它们的制造和实施成本相对较高...
【技术保护点】
1.一种闭环电流传感器(1)，所述闭环电流传感器包括磁通门感测单元(3)；围绕所述磁通门感测单元缠绕的补偿线圈(7)；以及安装在所述补偿线圈周围的传感器壳体(9)，所述磁通门感测单元包括磁通门壳体(2)、安装在所述磁通门壳体中的环形磁通门磁场检测器(4)和安装在所述磁通门壳体中的磁屏蔽件(6)，所述磁屏蔽件围绕所述磁通门磁场检测器，所述磁通门壳体包括第一和第二中心部分(2a、2b)，每个中心部分均包括径向内侧壁(14)、径向外侧壁(16)和将所述径向内侧壁连接到所述径向外侧壁的底壁(18)，感测器容纳部分(22)形成在所述底壁的第一侧上并且在其中接收所述磁通门磁场检测器，其...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171208 EP 17206067.51.一种闭环电流传感器(1)，所述闭环电流传感器包括磁通门感测单元(3)；围绕所述磁通门感测单元缠绕的补偿线圈(7)；以及安装在所述补偿线圈周围的传感器壳体(9)，所述磁通门感测单元包括磁通门壳体(2)、安装在所述磁通门壳体中的环形磁通门磁场检测器(4)和安装在所述磁通门壳体中的磁屏蔽件(6)，所述磁屏蔽件围绕所述磁通门磁场检测器，所述磁通门壳体包括第一和第二中心部分(2a、2b)，每个中心部分均包括径向内侧壁(14)、径向外侧壁(16)和将所述径向内侧壁连接到所述径向外侧壁的底壁(18)，感测器容纳部分(22)形成在所述底壁的第一侧上并且在其中接收所述磁通门磁场检测器，其特征在于，所述磁屏蔽件包括内环形屏蔽件元件(6a)、外环形屏蔽件元件(6b)、第一轴向端屏蔽件元件(6c)和第二轴向端屏蔽件元件(6c)，所述内环形屏蔽件元件和所述外环形屏蔽件元件安装在所述感测器容纳部分(22)内，所述轴向端屏蔽件元件安装在屏蔽件容置部分(28)中，所述屏蔽件容置部分在所述磁通门壳体中形成在所述底壁的与所述第一侧相对的第二侧上。
2.根据权利要求1所述的闭环电流传感器，其中，所述磁通门壳体的所述第一和第二中心部分是相同的。
3.根据前述权利要求中任一项所述的闭环电流传感器，其中，所述外环形屏蔽件元件和所述内环形屏蔽件元件是基本上圆柱形的管状部件。
4.根据前述权利要求中任一项所述的闭环电流传感器，其中，所述轴向端屏蔽件元件是具有中心通道的大致平面盘形的部件。
5.根据前述权利要求中任一项所述的闭环电流传感器，其中，所述磁通门壳体的每个中心部分包括从所述底壁(18)竖立的多个周向分布的径向引导凸片(24)，所述径向引导凸片构造成接合所述磁通门磁场检测器(4)的相对的径向内侧和径向外侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·克拉埃，
申请(专利权)人：莱姆国际股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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