表面处理铜箔制造技术

表面处理铜箔，其具有0.4至2.2μm

【技术实现步骤摘要】
表面处理铜箔
本公开涉及具有受控的表面特性的电解铜箔。本公开也涉及电路板等，其显现电子信号的低传输损耗，且包括该电解铜箔作为其组件。
技术介绍
对于传输大量数据的需求日益增长，需要不断提高电路板上组件之间的传输速度。为达成这些速度，频率范围必需从低于1MHz增加至1GHz、10GHz甚或更高。于这些较高范围内，电流主要在接近导体表面处流动，这是由于众所周知的“集肤效应(skineffect)”所导致，即高频电流密度于导体表面处为最高且朝向中心呈指数衰减的趋势。集肤深度(skindepth)，承载大约67％的信号，与频率的平方根成反比。因此，于1MHz的集肤深度为65.2μm，于1GHz的集肤深度为2.1μm，而于10GHz的集肤深度仅为0.7μm。在较高频率下，导体的表面形貌或粗糙度变得愈发重要，因为大约或大于集肤深度的粗糙度将对信号传输造成影响。加剧劣化的一个因素为，印刷电路板中的导体表面通常特意地进行粗糙化，以增强导体与电路板的层压结构中使用的树脂层的粘合特性。通常而言，粗糙化表面的表面粗糙度Rz约为数微米，且其会影响GHz范围内的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理铜箔，包含：/n电解铜箔，其包括辊筒面及沉积面；以及/n处理层，设置在所述辊筒面上，并提供表面处理面，/n其中，所述处理层包含粗化粒子层，以及，其中，所述表面处理面具有0.4至2.2μm

【技术特征摘要】
20190201 US 62/800263;20191016 US 16/6547231.一种表面处理铜箔，包含：
电解铜箔，其包括辊筒面及沉积面；以及
处理层，设置在所述辊筒面上，并提供表面处理面，
其中，所述处理层包含粗化粒子层，以及，其中，所述表面处理面具有0.4至2.2μm3/μm2范围内的空隙体积(Vv)以及小于或等于0.4μm的算术平均波度(Wa)。


2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面具有0.1至0.4μm范围内的算术平均波度(Wa)。


3.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面具有0.4至2μm3/μm2范围内的核心部空隙体积(Vvc)。


4.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面具有0.01至0.1μm3/μm2范围内的波谷部空隙体积(Vvv)。


5.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面于光波长700nm的反射率为28％至76％范围内。


6.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面于光波长700nm的反射率为大于40％。


7.根据权利要求6所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面于光波长700nm的反射率为40...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖建铭，赖耀生，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71