本公开提供了一种防着板装置，该防着板装置配置在离子注入机的离子源腔室内部底部，该防着板装置包括防着板本体，所述防着板本体具有朝向所述离子源腔室的顶部的开口，所述开口处设置有防扩散结构；所述防扩散结构用于使得所述离子源腔室内产生的颗粒落入所述防着板本体中，且使颗粒不易从所述防着板本体中扩散出。本公开还提供了一种离子源腔室和离子注入机。
【技术实现步骤摘要】
防着板装置及离子源腔室、离子注入机
本公开实施例涉及半导体工艺设备领域，特别涉及一种防着板装置及离子源腔室、离子注入机。
技术介绍
现有的OLED离子注入机，通过电离BF3或PH3得到所需注入离子B+或P+，在此过程中，存在大量F+等杂质离子和未被引出的B+/P+离子，这些离子在离子源腔室内聚集产生颗粒(Particle)，这些颗粒因重力作用在离子源(IonSource)腔室底部沉积。一方面，在离子注入过程中，沉积的Particle容易发生扩散。如图1所示，扩散的Particle容易随离子束(Beam)一起，掉落在电极板上，对电极板造成污染，从而造成电极板放电恶化，影响电极板的使用寿命以及Beam的均一性和稳定性。同时，如图1所示，扩散的Particle也容易随Beam进入分析磁场(BeamLine)腔室，并在BeamLine中沉积，污染BeamLine中的碳板部件，导致碳板的使用寿命降低，且在BeamLine中沉积的Particle清洁难度大。另外，如图1所示，扩散的Particle也容易随Beam进入工艺腔室(PC)，污染待离子注入的基板表面，严重时会造成AOI(拍图)爆点，附着在基板表面的Particle会遮挡Beam，影响遮挡区域离子注入的稳定性和均一性，从而导致一些基板的点不良的产生。另一方面，现有的离子源腔室，通常需要开腔才能对沉积在底部的Particle进行清洁，流程较为复杂，影响设备的稼动率。
技术实现思路
本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种防着板装置及离子源腔室、离子注入机。第一方面，本公开实施例提供了一种防着板装置，该防着板装置配置在离子注入机的离子源腔室内部底部，该防着板装置包括防着板本体，所述防着板本体具有朝向所述离子源腔室的顶部的开口，所述开口处设置有防扩散结构；所述防扩散结构用于使得所述离子源腔室内产生的颗粒落入所述防着板本体中，且使颗粒不易从所述防着板本体中扩散出。在一些实施例中，所述防扩散结构包括多个间隔设置的阻挡条，所述阻档条朝向所述离子源腔室的顶部的表面的形状为曲面形。在一些实施例中，所述防着板本体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁上分别设置有多个间隔设置的所述阻挡条；针对所述第一侧壁上的每个阻挡条，该阻挡条的一端设置在所述第一侧壁上，且该阻挡条沿垂直于所述防着板本体底部的方向倾斜设置；针对所述第二侧壁上的每个阻挡条，该阻挡条的一端设置在所述第二侧壁上，且该阻挡条沿垂直于所述防着板本体底部的方向倾斜设置。在一些实施例中，所述防着板本体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述阻挡条的一端可拆卸地设置于所述第一侧壁，所述阻挡条的另一端可拆卸地设置于所述第二侧壁。在一些实施例中，所述防扩散结构包括挡板，所述挡板上具有多个均匀分布的过孔。在一些实施例中，所述防着板本体具有多个侧壁，所述防着板本体的至少一个侧壁上具有清洁阀门孔，所述清洁阀门孔用于将所述防着板本体中的颗粒进行清洁处理。在一些实施例中，所述防着板本体的截面形状为U形。在一些实施例中，所述防着板本体的截面形状为倒梯形。在一些实施例中，所述防着板本体的截面形状为漏斗形，其底部具有清洁阀门孔，所述清洁阀门孔用于将所述防着板本体中的颗粒进行清洁处理。第二方面，本公开实施例提供一种离子源腔室，该离子源腔室包括腔室本体和位于腔室本体内部的底部的防着板装置，所述防着板装置采用上述任一实施例所提供的防着板装置。在一些实施例中，所述腔室本体内部的底部的截面形状与所述防着板本体的截面形状相同。第三方面，本公开实施例提供一种离子注入机，该离子注入机包括上述任一实施例所提供的离子源腔室。附图说明图1为离子注入机中产生的颗粒的扩散示意图；图2为本公开实施例提供的一种防着板装置的结构示意图；图3为本公开实施例提供的另一种防着板装置的结构示意图；图4为本公开实施例提供的又一种防着板装置的结构示意图；图5为本公开实施例提供的一种离子源腔室的结构示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本公开实施例的技术方案，下面将结合本公开实施例的附图对本公开实施例所提供的防着板装置及离子源腔室、离子注入机的技术方案进行清楚、完整地描述。在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例，但是所述示例实施例可以以不同形式来体现且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。本文所使用的术语仅用于描述特定实施例，且不意欲限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。将理解的是，虽然本文可以使用术语第一、第二等来描述各种元件/结构，但这些元件/结构不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件/结构和另一元件/结构。除非另外限定，否则本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本领域普通技术人员通常理解的含义相同。还将理解，诸如那些在常用字典中限定的那些术语应当被解释为具有与其在相关技术以及本公开的背景下的含义一致的含义，且将不解释为具有理想化或过度形式上的含义，除非本文明确如此限定。图2为本公开实施例提供的一种防着板装置的结构示意图，如图2所示，该防着板装置配置在离子注入机的离子源腔室内部底部，该防着板装置包括：防着板本体10，该防着板本体10具有朝向离子源腔室的顶部的开口30，开口30处设置有防扩散结构，防扩散结构用于使得离子源腔室内产生的颗粒落入防着板本体10中，且使颗粒不易从防着板本体10中扩散出。在实际应用中，防着板本体10位于离子源腔室的内部底部，防着板本体10和位于其开口30处的防扩散结构形成半封闭腔室结构，该半封闭腔室结构能够使得使离子源腔室内产生的颗粒(Particle)顺利落入防着板本体10内部，并防止防着板本体10内部的Particle发生扩散至离子源腔室的上部，从而达到收集离子源腔室的Particle的效果，并防止沉积的Particle发生扩散造成离子源腔室污染的问题。在防止板装置的防扩散结构的作用下，在离子注入过程中，能够有效防止沉积在防着板本体10中的Particle扩散至电极板，有效减少了电极板的Particle的累积，有效改善了电极板放电，提高了离子束(Beam)的稳定性和均一性，保证了电极板使用寿命。同时，还有效防止Particle扩散至分析磁场腔室，有效减少了分析磁场腔室(BeamLine)中Particle的累积，提高了BeamLine中碳板部件的使用寿命，减少PM(设备维护)频率。另外，还有效防止Particle本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种防着板装置，其配置在离子注入机的离子源腔室内部底部，其特征在于，其包括防着板本体，所述防着板本体具有朝向所述离子源腔室的顶部的开口，所述开口处设置有防扩散结构；/n所述防扩散结构用于使得所述离子源腔室内产生的颗粒落入所述防着板本体中，且使颗粒不易从所述防着板本体中扩散出。/n
【技术特征摘要】
1.一种防着板装置，其配置在离子注入机的离子源腔室内部底部，其特征在于，其包括防着板本体，所述防着板本体具有朝向所述离子源腔室的顶部的开口，所述开口处设置有防扩散结构；
所述防扩散结构用于使得所述离子源腔室内产生的颗粒落入所述防着板本体中，且使颗粒不易从所述防着板本体中扩散出。
2.根据权利要求1所述的防着板装置，其特征在于，所述防扩散结构包括多个间隔设置的阻挡条，所述阻档条朝向所述离子源腔室的顶部的表面的形状为曲面形。
3.根据权利要求2所述的防着板装置，其特征在于，所述防着板本体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁上分别设置有多个间隔设置的所述阻挡条；
针对所述第一侧壁上的每个阻挡条，该阻挡条的一端设置在所述第一侧壁上，且该阻挡条沿垂直于所述防着板本体底部的方向倾斜设置；
针对所述第二侧壁上的每个阻挡条，该阻挡条的一端设置在所述第二侧壁上，且该阻挡条沿垂直于所述防着板本体底部的方向倾斜设置。
4.根据权利要求2所述的防着板装置，其特征在于，所述防着板本体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述阻挡条的一端可拆卸地设置于所述第一侧壁，所述阻挡条的另一端可拆卸地设置于所述第二侧壁。
5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李振伟，卫家，李儒健，闫立，陈博陶，李俊，谭超，公绪磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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