离子注入方法及离子注入机技术

本发明专利技术公开了一种离子注入方法，包括步骤：步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上；步骤二、采用点状离子束流对晶圆进行离子注入，包括分步骤：步骤21、点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流；步骤22、对晶圆进行旋转，采用扫描离子束流对旋转的晶圆进行离子注入从而在晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。本发明专利技术能实现对离子注入分布进行精确控制以及提高离子注入的均匀性。

Ion implantation method and ion implanter

【技术实现步骤摘要】
离子注入方法及离子注入机
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种离子注入方法；本专利技术还涉及一种离子注入机。
技术介绍
在半导体集成电路制造中，除了采用扩散工艺进行掺杂之外，还采用离子注入工艺进行掺杂。离子注入工艺通过离子注入机实现，离子注入机通常包括：离子源，引出电极，离子分析器，加速管和工艺室等组成。离子分析器用于选定所需要的离子类型，选定的离子经过加速管加速后形成离子束流引入到工艺室中实现对放置在工艺室中的晶圆进行离子注入。离子注入机具有扫描(Scan)装置，以实现对晶圆的不同位置进行注入。通过超结扫描(superscan)非均匀性离子注入可以改善器件电性的波动(variation)。现有技术中，要得到多径带(multi-radialzone)即环形区或者扇形分布的注入分布图形(map)，主要采用点状离子束流(spotbeam)和带状离子束流(ribbonbeam)两种方式。对于spotbeam，通过改变扫描频率实现离子注入浓度控制，同时晶圆上下运动得到所需map；对于ribbonbeam，通过改变晶圆上下移动速率，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入方法，其特征在于，包括步骤：/n步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上；/n步骤二、采用点状离子束流对所述晶圆进行离子注入，包括如下分步骤：/n步骤21、所述点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流，所述扫描离子束流是所述点状离子束流经过所述扫描装置在横向上扫描形成，所述扫描离子束流的横向宽度大于等于所述晶圆的半径，所述扫描离子束流在各横向位置注入浓度通过所述扫描装置控制；/n步骤22、对所述晶圆进行旋转，采用所述扫描离子束流对旋转的所述晶圆进行离子注入从而在所述晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子注入方法，其特征在于，包括步骤：
步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上；
步骤二、采用点状离子束流对所述晶圆进行离子注入，包括如下分步骤：
步骤21、所述点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流，所述扫描离子束流是所述点状离子束流经过所述扫描装置在横向上扫描形成，所述扫描离子束流的横向宽度大于等于所述晶圆的半径，所述扫描离子束流在各横向位置注入浓度通过所述扫描装置控制；
步骤22、对所述晶圆进行旋转，采用所述扫描离子束流对旋转的所述晶圆进行离子注入从而在所述晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。


2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：步骤21中，所述扫描离子束流在各横向位置注入浓度通过控制所述点状离子束流在对应的横向位置区域段的扫描频率实现。


3.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于：步骤22中，所述扫描离子束流在所述晶圆上的横向投影穿过所述晶圆的圆心。


4.如权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于：步骤22中，所述扫描离子束流和所述晶圆表面垂直或倾斜相交。


5.如权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于：步骤22中，同一所述环形离子注入区或扇形离子注入区的掺杂浓度相同且是由所述扫描离子束流上的同一个横向位置段的离子束流注入而成。


6.如权利要求5所述的离子注入方法，其特征在于：所述环形离子注入区或扇形离子注入区的掺杂浓度和掺杂浓度的均匀性通过所述晶圆的转速控制。


7.如权利要求5所述的离子注入方法，其特征在于：所述环形离子注入区或扇形离子注入区的掺杂浓度通过所述点状离子速流大小控制。


8.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：步骤22中，所述晶圆的旋转方向为顺时针或逆时针。


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【专利技术属性】
技术研发人员：周真真，刘厥扬，胡展源，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31