一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路制造技术

本发明专利技术公开了一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管；所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区结点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接；本发明专利技术彻底消除静电释放器件部分带来的对地寄生电容，从而大大降低高频信号传输衰减。

【技术实现步骤摘要】
一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路
本专利技术涉及半导体集成电路器件
，更具体的说是涉及一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路。
技术介绍
目前，高速开关集成电路(IC)是在移动便携式设备中广泛用到的一类集成电路，例如移动产业处理器接口开关、USB2.0、USB3.0开关等等。但是，高速开关通道的静电释放器件保护方案通常都是二极管保护方案，现有技术的保护方案参见附图1所示，其中1为高速开关的输入节点，2为输出节点，5为NMOS开关管，6为与NMOS开关管5并联的PMOS开关管，它们的源漏端就分别接在了1和2电路节点上，3为输入端的静电释放器件保护器件，4为输出端的静电释放器件保护器件，7和8分别为NMOS源和漏端到NMOS体端的寄生二极管，9为NMOS体端节点。10和11分别为NMOS源和漏端到PMOS体端的寄生二极管，12为PMOS体端节点。当正常工作，高速信号经过图1开关通路时，从输入结点到输出结点的路径上，会直接产生开关管对地寄生电容和额外的3和4的静电释放器件保护器件寄生电容，从而影响电路的整体性能。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，其特征在于，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管；/n所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区结点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，其特征在于，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管；
所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区结点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接。


2.根据权利要求1所述的一种消除静电释放器件寄生电容的高速...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕宇强，鞠建宏，倪胜中，
申请(专利权)人：帝奥微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31