一种新型硅单晶炉腔室焊接结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，包括主炉体和内壁体，所述主炉体上端焊接固定有上法兰，且主炉体下端焊接固定有下法兰，所述内壁体设置于主炉体内侧，且主炉体内部镶嵌设置有密封圈，所述密封圈设置有预留凹槽，且预留凹槽另一侧设置有进水口，所述主炉体一侧开设有预留开槽。该新型硅单晶炉腔室焊接结构，在下法兰背面上加工宽12mm、深20mm的预留开槽，第一是为了通冷却水冷却法兰，二是焊接时离子弧不会穿透，在焊接内壁板的位置加工mm凸台高于法兰背面，这样整体焊缝就高于法兰背面，有利于焊接保护气体保护，除净焊接区的污渍和油脂，焊缝位置不开坡口，焊接时不添加填充金属（焊丝），直接熔融金属母材。

【技术实现步骤摘要】
一种新型硅单晶炉腔室焊接结构
本技术涉及单晶硅炉腔室焊接结构
，具体为一种新型硅单晶炉腔室焊接结构。
技术介绍
单晶硅炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备，单晶硅生长炉是生产太阳能电池所需单晶硅的拉晶装置，它主要由副室、翻板箱、炉盖、主炉室、下炉室、炉底板六大部分组成；随着单晶硅太阳能电池需求的不断增加，市场竞争也日趋激烈，提高单晶硅炉设备的生产效率和降低制造成本越来越受到重视，本技术专利能大大提高单晶硅炉中的主炉室生产效率。市场上的单晶硅炉腔室焊接结构，焊接部件需加工焊接坡口，增加加工工序，加工成本增加，焊接厚板坡口较大，需多道焊接才能焊满坡口，过程需加丝，焊接效率低，热影响区大，焊接后法兰变形较大，焊接后需整形，留的精加工余量也需多于等离子弧焊，背面需清根处理，再焊接，增加焊接工序，且清根后焊接焊缝质量不可控的问题，为此，我们提出一种新型硅单晶炉腔室焊接结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，以解决上述
技术介绍
中提出的单晶硅炉腔室焊接结构，焊接部件需加工焊接坡口，增加加工工序，加工成本增加，焊接厚板坡口较大，需多道焊接才能焊满坡口，过程需加丝，焊接效率低，热影响区大，焊接后法兰变形较大，焊接后需整形，留的精加工余量也需多于等离子弧焊，背面需清根处理，再焊接，增加焊接工序，且清根后焊接焊缝质量不可控的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，包括主炉体和内壁体，所述主炉体上端焊接固定有上法兰，且主炉体下端焊接固定有下法兰，所述内壁体设置于主炉体内侧，且主炉体内部镶嵌设置有密封圈，所述密封圈设置有预留凹槽，且预留凹槽另一侧设置有进水口，所述主炉体一侧开设有预留开槽。优选的，所述上法兰通过主炉体与下法兰构成固定结构，且上法兰和下法兰关于主炉体的纵向中心线呈对称结构。优选的，所述密封圈的外侧与主炉体的内侧紧密贴合，且主炉体的横向中心线与主炉体的横向中心线完全重合。优选的，所述预留凹槽的纵向中心线与下法兰的纵向中心线重合于同一条直线，且密封圈通过预留凹槽与主炉体构成卡合结构。优选的，所述预留开槽的口径宽12mm、深20mm，且预留开槽关于主炉体的纵向中心线呈对称结构。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：1、本技术通过上法兰和下法兰与内壁体焊接采用自动等离子弧焊，无需加工坡口，背面不加衬垫，背部充入氩气保护，单面焊一次能焊透金属的整体厚度，缩短焊接时间，提高了焊接效率。2、本技术主炉体上下两端的上法兰和下法兰设有低于法兰面的预留凹槽，用于冷却水循环流动，冷却深入上法兰和下法兰的内部位置，保护密封圈不会因为高温熔化，出现泄露真空现象，提高该单晶炉腔室焊接结构的稳定性。3、本技术在下法兰背面上加工宽12mm、深20mm的预留开槽，第一是为了通冷却水冷却法兰，二是焊接时离子弧不会穿透，在焊接内壁板的位置加工mm凸台高于法兰背面，这样整体焊缝就高于法兰背面，有利于焊接保护气体保护，除净焊接区的污渍和油脂，焊缝位置不开坡口，焊接时不添加填充金属（焊丝），直接熔融金属母材，焊接完成后去除氧化色。附图说明图1为本技术正视半剖结构示意图；图2为本技术后视半剖结构示意图；图3为本技术图2中A处放大结构示意图。图中：1、主炉体；2、上法兰；3、下法兰；4、内壁体；5、密封圈；6、预留凹槽；7、进水口；8、预留开槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，包括主炉体1、上法兰2、下法兰3、内壁体4、密封圈5、预留凹槽6、进水口7和预留开槽8，主炉体1上端焊接固定有上法兰2，上法兰2通过主炉体1与下法兰3构成固定结构，且上法兰2和下法兰3关于主炉体1的纵向中心线呈对称结构，上法兰2和下法兰3与内壁体4焊接采用自动等离子弧焊，无需加工坡口，背面不加衬垫，背部充入氩气保护，单面焊一次能焊透金属的整体厚度，缩短焊接时间，提高了焊接效率，主炉体1下端焊接固定有下法兰3，内壁体4设置于主炉体1内侧，且主炉体1内部镶嵌设置有密封圈5，密封圈5的外侧与主炉体1的内侧紧密贴合，且主炉体1的横向中心线与主炉体1的横向中心线完全重合，主炉体1上下两端的上法兰2和下法兰3设有低于法兰面的预留凹槽6，用于冷却水循环流动，冷却深入上法兰2和下法兰3的内部位置，保护密封圈5不会因为高温熔化，出现泄露真空现象，提高该单晶炉腔室焊接结构的稳定性，密封圈5设置有预留凹槽6，且预留凹槽6另一侧设置有进水口7，预留凹槽6的纵向中心线与下法兰3的纵向中心线重合于同一条直线，且密封圈5通过预留凹槽6与主炉体1构成卡合结构，主炉体1一侧开设有预留开槽8，预留开槽8的口径宽12mm、深20mm，且预留开槽8关于主炉体1的纵向中心线呈对称结构，在下法兰3背面上加工宽12mm、深20mm的预留开槽8，第一是为了通冷却水冷却法兰，二是焊接时离子弧不会穿透，在焊接内壁板的位置加工5mm凸台高于法兰背面，这样整体焊缝就高于法兰背面，有利于焊接保护气体保护，除净焊接区的污渍和油脂，焊缝位置不开坡口，焊接时不添加填充金属（焊丝），直接熔融金属母材，焊接完成后去除氧化色。工作原理：对于这一种新型硅单晶炉腔室焊接结构首先上法兰2和下法兰3与内壁体4焊接采用自动等离子弧焊，无需加工坡口，背面不加衬垫，背部充入氩气保护，单面焊一次能焊透金属的整体厚度，缩短焊接时间，提高了焊接效率，主炉体1上下两端的上法兰2和下法兰3设有低于法兰面的预留凹槽6，用于冷却水循环流动，通过进水口7将冷却水导入预留凹槽6，冷却深入上法兰2和下法兰3的内部位置，保护密封圈5不会因为高温熔化，出现泄露真空现象，提高该单晶炉腔室焊接结构的稳定性，在下法兰3背面上加工宽12mm、深20mm的预留开槽8，第一是为了通冷却水冷却法兰，二是焊接时离子弧不会穿透，在焊接内壁板的位置加工5mm凸台高于法兰背面，这样整体焊缝就高于法兰背面，有利于焊接保护气体保护，除净焊接区的污渍和油脂，焊缝位置不开坡口，焊接时不添加填充金属（焊丝），直接熔融金属母材，焊接完成后去除氧化色，就这样完成整个新型硅单晶炉腔室焊接结构的使用过程。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，包括主炉体（1）和内壁体（4），其特征在于：所述主炉体（1）上端焊接固定有上法兰（2），且主炉体（1）下端焊接固定有下法兰（3），所述内壁体（4）设置于主炉体（1）内侧，且主炉体（1）内部镶嵌设置有密封圈（5），所述密封圈（5）设置有预留凹槽（6），且预留凹槽（6）另一侧设置有进水口（7），所述主炉体（1）一侧开设有预留开槽（8）。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，包括主炉体（1）和内壁体（4），其特征在于：所述主炉体（1）上端焊接固定有上法兰（2），且主炉体（1）下端焊接固定有下法兰（3），所述内壁体（4）设置于主炉体（1）内侧，且主炉体（1）内部镶嵌设置有密封圈（5），所述密封圈（5）设置有预留凹槽（6），且预留凹槽（6）另一侧设置有进水口（7），所述主炉体（1）一侧开设有预留开槽（8）。


2.根据权利要求1所述的一种新型硅单晶炉腔室焊接结构，其特征在于：所述上法兰（2）通过主炉体（1）与下法兰（3）构成固定结构，且上法兰（2）和下法兰（3）关于主炉体（1）的纵向中心线呈对称结构。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭凌宇，戴永丰，谭明，
申请(专利权)人：浙江德弘机电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33