一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层及其制法制造技术

本发明专利技术涉及环氧树脂电磁屏蔽技术领域，且公开了一种二硫化钼‑钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，包括以下配方原料及组分：改性MoS

【技术实现步骤摘要】
一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层及其制法
本专利技术涉及环氧树脂电磁屏蔽
，具体为一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层及其制法。
技术介绍
随着由于广播、微波技术和电子信息技术的快速发展，电磁污染已经成为广泛存在与人们的日常生活中，长期接触电磁辐射和电磁波会对人体的免疫系统、生殖系统等造成紊乱，诱发免疫功能下降、记忆力减退等疾病，并且电磁辐射会干扰通信系统、引起易爆物质和电爆兵器控制失灵等，开发吸波损耗大，吸波频带宽，质量轻的电磁屏蔽材料是解决电磁污染问题的有效途径。目前的电磁屏蔽材料主要有陶瓷系吸波材料、铁系吸波材料和碳系吸波材料等，其中铁氧体如锰锌铁氧体、钡铁氧体等具有优异的磁性能，是一种具有广泛应用前景的磁损耗电磁屏蔽材料，可以将钡铁氧体作为无机填充剂，对有机聚合物材料如丙烯酸树脂、环氧树脂等进行填充改性，赋予材料一定的电磁屏蔽功能，但是单一钡铁氧体的阻抗匹配性能较差，很难通过磁损耗完全屏蔽电磁波和电磁辐射，并且纳米钡铁氧体与环氧树脂的相容性较差，在基体材料中溶液发生团聚和沉降，会影响环氧树脂的力学性能。(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层及其制法，解决了钡铁氧体的阻抗匹配性能和电磁屏蔽性能不高的问题，同时解决了纳米钡铁氧体在环氧树脂容易形成团聚和沉降的问题。(二)技术方案为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，包括以下原料及组分：改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体、环氧树脂、酸酐固化剂、消泡剂，质量比为20-60:100:50-80:0.5-2。优选的，所述二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层制备方法包括以下步骤：(1)向反应瓶中加入蒸馏水溶剂、氯化铁、氯化钡和氯化镍、搅拌均匀后加入氢氧化钠，在30-50℃下匀速搅拌反应4-6h，将溶液过滤除去溶剂，使用乙醇洗涤沉淀产物并干燥，置于管式电阻炉中，升温速率为10-20℃/min，升温至900-1000℃，保温煅烧2-3h，制备得到纳米Ni掺杂钡铁氧体。(2)向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和纳米Ni掺杂钡铁氧体，超声分散均匀后加入表面活性剂十二烷基硫酸钠、(NH4)6Mo7O24和硫脲，搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜中，并置于反应釜烘箱中，加热至170-190℃，反应20-30h，将溶液过滤、使用蒸馏水和乙醇洗涤固体沉淀产物并干燥，制备得到缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体。(3)向反应瓶中加入乙醇和蒸馏水混合溶剂，加入缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体，超声分散均匀后加入硅烷偶联剂，在60-80℃下匀速搅拌反应5-10h，过滤除去溶剂，使用乙醇洗涤固体产物并干燥，制备得到环氧基团修饰的改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体。(4)向反应瓶中加入丙酮溶剂和环氧基团修饰的改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体，超声分散均匀后加入环氧树脂、酸酐固化剂和消泡剂，搅拌均匀后将物料置于模具中流延成膜，进行干燥、压片和热固化成膜过程，制备得到二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层。优选的，所述步骤(1)中的氯化铁、氯化钡、氯化镍和氢氧化钠的物质的量比为11.2-11.7:1:0.3-0.8:13-20，Ni掺杂钡铁氧体的化学分子式为BaNi0.3-0.8Fe11.2-11.7O19。优选的，所述纳米Ni掺杂钡铁氧体、表面活性剂十二烷基硫酸钠、(NH4)6Mo7O24和硫脲的质量比为0.6-1.2:0.8-2:10:15-20。优选的，所述步骤(2)中的反应釜烘箱包括内部固定连接有转动装置、转动装置活动连接有旋转轴、旋转轴固定连接有底座、底座上方设置有反应釜、底座固定连接有弹簧板、弹簧板固定连接有弹簧、弹簧固定连接有限位卡板。优选的，所述步骤(3)中的硅烷偶联剂为3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷或3-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷的任意一种，与缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体的质量比为6-10:1。(三)有益的技术效果与现有技术相比，本专利技术具备以下有益的技术效果：该一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，通过共沉淀法和高温煅烧，制备得到纳米形貌的Ni掺杂钡铁氧体BaNi0.3-0.8Fe11.2-11.7O19，Ni2+占据了部分Fe3+晶格，增加了钡铁氧体的介电实部和介电虚部，降低了矫顽力，促进硬磁性钡铁氧体向软磁M型钡铁氧体转变，整体提高了Ni掺杂钡铁氧体的磁性能和磁损耗功能。该一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，以纳米Ni掺杂钡铁氧体作为载体，通过(NH4)6Mo7O24和硫脲的物料比，制备得到缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体，缺陷型MoS2纳米花具有超高的比表面积，边缘处缺陷结构在热溶剂生长过程中，引入了大量的羟基活性反应位点，很容易与环氧硅烷偶联剂反应，得到环氧基团修饰的改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体，酸酐固化剂同时与改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体的环氧基团，以及环氧树脂的环氧基团进行开环交联固化反应，通过化学键共价接枝作用，改善了MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体与环氧树脂的分散性，避免了MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体在环氧树脂基体中团聚和沉降的现象。该一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，MoS2纳米花均匀生长在Ni掺杂钡铁氧体的表面，MoS2具有优异的介电性能和介电损耗性能，MoS2纳米花和Ni掺杂钡铁氧体之间会形成界面极化作用和介电弛豫，同时入射电磁波会在二维结构的MoS2纳米花的花瓣状片层之间不断反射和衰减，在协同作用下使MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体表现出优异的阻抗匹配，使环氧树脂涂层通过介电损耗和磁损耗，有效吸收和衰减电磁波。附图说明图1是气反应釜烘箱正面示意图；图2是底座放大示意图；图3是限位卡板调节示意图。1-反应釜烘箱；2-转动装置；3-旋转轴；4-底座；5-反应釜；6-弹簧板；7-弹簧；8-限位卡板。具体实施方式为实现上述目的，本专利技术提供如下具体实施方式和实施例：一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，包括以下原料及组分：改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体、环氧树脂、酸酐固化剂、消泡剂，质量比为20-60:100:50-80:0.5-2。优选的，所述二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层制备方法包括以下步骤：(1)向反应瓶中加入蒸馏水溶剂、氯化铁、氯化钡和氯化镍、搅拌均匀后加入氢氧化钠，四者物质的量比为11.2-11.7:1:0.3-0.8:13-20，在30-50℃下匀速搅拌反应4-6h，将溶液过滤除去溶剂，使用乙醇洗涤沉淀产物并干燥，置于管式电阻炉中，升温速率为10-20℃/min，升温至900-1000℃，保温煅烧2-3h，制备得到纳米Ni掺杂钡铁氧体，化学分子式为BaNi0.3-0.8Fe11.2-11.7O19。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，包括以下原料及组分，其特征在于：改性MoS

【技术特征摘要】
1.一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，包括以下原料及组分，其特征在于：改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体、环氧树脂、酸酐固化剂、消泡剂，质量比为20-60:100:50-80:0.5-2。


2.根据权利要求1所述的一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层，其特征在于：所述二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层制备方法包括以下步骤：
(1)向蒸馏水溶剂中加入氯化铁、氯化钡和氯化镍、搅拌均匀后加入氢氧化钠，在30-50℃下反应4-6h，过滤、洗涤并干燥，置于管式电阻炉中，升温速率为10-20℃/min，升温至900-1000℃，保温煅烧2-3h，制备得到纳米Ni掺杂钡铁氧体；
(2)向蒸馏水溶剂中加入纳米Ni掺杂钡铁氧体，超声分散均匀后加入表面活性剂十二烷基硫酸钠、(NH4)6Mo7O24和硫脲，搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜中，并置于反应釜烘箱中，加热至170-190℃，反应20-30h，过滤、洗涤并干燥，制备得到缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体；
(3)向乙醇和蒸馏水混合溶剂中加入缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体，超声分散均匀后加入硅烷偶联剂，在60-80℃下反应5-10h，过滤溶剂、洗涤并干燥，制备得到环氧基团修饰的改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体；
(4)向丙酮溶剂中加入环氧基团修饰的改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体，超声分散均匀后加入环氧树脂、酸酐固...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇华，
申请(专利权)人：杨勇华，
类型：发明
国别省市：山东;37