【技术实现步骤摘要】
低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备及应用
本专利技术属于光催化剂制备
，尤其是涉及一种低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备及应用。
技术介绍
能源危机和环境污染问题已成为21世纪人类面临和亟待解决的重大问题。合理利用可再生新能源和环境污染治理对发展国民经济、实现可持续发展战略具有重大的意义。太阳能具有廉价、清洁、可再生等优点，高效地利用、转化和存储太阳能是实现可持续发展战略的重要途径。半导体光催化技术以太阳能的转化、存储和利用为核心，不仅可以将太阳能转化为氢能，彻底解决化石能源枯竭的问题。同时还可以将太阳能作为能量供给对自然环境中有毒有害的物质进行高效降解消除，有望解决人类赖以生存的生态环境问题。半导体光催化的核心技术是光催化材料。经过近50多年的研究，人们已经累计开发了多种半导体材料如TiO2等，然而，TiO2属于宽带隙半导体（Eg=～3.2eV），仅在紫外光范围有响应，而太阳光中紫外光部分不足总能量的5%，其主要能量集中于400～700nm的可见光（～46%），因此研制可见光响应的光催...
【技术保护点】
1.一种低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备方法，其特征在于，将钯锚连在表面含有氧缺陷的钼酸铋半导体上，以制备得到低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂。/n
【技术特征摘要】
1.一种低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备方法，其特征在于，将钯锚连在表面含有氧缺陷的钼酸铋半导体上，以制备得到低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂。
2.根据权利要求1所述的一种低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：制备钼酸铋基催化材料，记为BMO；
S2：制备表面氧缺陷修饰钼酸铋基复合光催化材料，将表面氧缺陷引入经S1制备得到的纯钼酸铋基催化材料的表面，得到富含表面氧缺陷的Bi2MoO6-x材料，记为BMO-SOVs；
S3：利用S2制备得到的表面氧缺陷修饰钼酸铋基光催化材料，在其表面原位还原钯前驱体，Pd4+还原沉积得到所述低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂，记为Pd/BMO-SOVs光催化剂。
3.根据权利要求2所述的一种低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备方法，其特征在于，所述S1的具体步骤为：
将硝酸铋与钼酸钠溶于乙二醇中，搅拌得到无色澄清溶液，后向上述溶液中滴加乙醇，搅拌20-40分钟，将混合液进行均相溶剂热反应，冷却后离心洗涤并干燥，得到BMO。
4.根据权利要求3所述的一种低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤S1中的所述均相溶剂热反应中，反应温度为160-180℃，反应时间为12-16h。
5.根据权利要求3所述的一种低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备方法，其特征在于，所述S1中的干燥，其干...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓龙，孙照丽，于建强，汪妍，
申请(专利权)人：青岛大学，
类型：发明
国别省市：山东;37
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