【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制备负载型混杂茂金属催化剂的方法
相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月8日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0015903号以及于2019年2月1日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0013833号的权益,其公开的内容通过引用全部并入本文。本公开涉及一种用于制备负载型混杂茂金属催化剂的方法和使用该负载型混杂茂金属催化剂制备聚烯烃的方法。
技术介绍
烯烃的聚合过程通常分为高压过程、溶液过程、淤浆过程、气相过程等,并且已经进行了各种努力而通过将各种茂金属催化剂应用于聚合过程来制备具有期望性质的烯烃聚合物。用于使用淤浆和气相聚合过程制备聚乙烯的方法的茂金属催化剂应牢固地固定在合适的载体上,以免在反应器中因浸出而产生结垢。特别是,由于聚合物的堆积密度与反应器中的产率密切相关,所以不仅催化剂的活性,而且在聚合物的堆积密度应该是高的。通常在制备负载型茂金属催化剂中,不仅使用高活性茂金属催化剂来提高催化活性,而且要增加负载在载体上的铝氧烷(助催化剂)的量。然而,在高活性负载型催化剂的情况下,聚合首先发生在载体的表面上,并且所得的聚合物是结晶的,从而抑制了单体的扩散。因此,形成了中空聚合物并且通常降低了堆积密度。为了解决该问题,已经尝试通过在低温和低压下预先进行预聚合来控制向乙烯等单体的载体内部的扩散速率,但是存在安装额外的聚合反应器的问题。此外,存在一种通过用氯化铝等处理载体表面上的羟基来提高负载效率的负载方法,但是该方法增加了催化剂的制备成本,并且由于副 ...
【技术保护点】
1.一种制备负载型混杂茂金属催化剂的方法,包括以下步骤:/n将至少一种第一茂金属化合物负载在氧化硅载体上;/n通过使负载有第一茂金属化合物的氧化硅载体与至少一种基于铝的助催化剂化合物接触来负载基于铝的助催化剂化合物;和/n将至少一种第二茂金属化合物负载在负载有基于铝的助催化剂的氧化硅载体上;/n其中,所述的基于铝的助催化剂通过分开输入的方法被负载在氧化硅载体上,其中,在100℃至150℃的温度下首先添加全部输入的50重量%至90重量%,其次在-5℃至40℃的温度下添加全部输入的剩余部分。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180208 KR 10-2018-0015903;20190201 KR 10-2019-001.一种制备负载型混杂茂金属催化剂的方法,包括以下步骤:
将至少一种第一茂金属化合物负载在氧化硅载体上;
通过使负载有第一茂金属化合物的氧化硅载体与至少一种基于铝的助催化剂化合物接触来负载基于铝的助催化剂化合物;和
将至少一种第二茂金属化合物负载在负载有基于铝的助催化剂的氧化硅载体上;
其中,所述的基于铝的助催化剂通过分开输入的方法被负载在氧化硅载体上,其中,在100℃至150℃的温度下首先添加全部输入的50重量%至90重量%,其次在-5℃至40℃的温度下添加全部输入的剩余部分。
2.根据权利要求1所述的制备负载型混杂茂金属催化剂的方法,其中,基于1g的氧化硅载体,第一茂金属化合物或第二茂金属化合物的负载量分别是0.01mmol/g至1mmol/g。
3.根据权利要求1所述的制备负载型混杂茂金属催化剂的方法,其中,第一茂金属化合物和第二茂金属化合物分别由以下化学式1至5之一表示:
[化学式1]
(Cp1Ra)n(Cp2Rb)M1Z13-n
在化学式1中,
M1是第4族过渡金属;
Cp1和Cp2彼此相同或不同,并且各自独立地选自环戊二烯基、茚基、4,5,6,7-四氢-1-茚基和芴基,并且其可以被C1-C20烃取代;
Ra和Rb彼此相同或不同,并且各自独立地为氢、C1-C20烷基、C1-C10烷氧基、C2-C20烷氧基烷基、C6-C20芳基、C6-C10芳氧基、C2-C20烯基、C7-C40烷基芳基、C7-C40芳基烷基、C8-C40芳基烯基或C2-C10炔基,条件是Ra和Rb中的至少一个不是氢;
Z1各自独立地是卤素、C1-C20烷基、C2-C10烯基、C7-C40烷基芳基、C7-C40芳基烷基、C6-C20芳基、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的氨基、C2-C20烷基烷氧基或C7-C40芳基烷氧基;以及
n为1或0;
[化学式2]
(Cp3Rc)mB1(Cp4Rd)M2Z23-m
在化学式2中,
M2是第4族过渡金属;
Cp3和Cp4彼此相同或不同,并且各自独立地选自环戊二烯基、茚基、4,5,6,7-四氢-1-茚基和芴基,并且其可以被C1-C20烃取代;
Rc和Rd彼此相同或不同,并且各自独立地为氢、C1-C20烷基、C1-C10烷氧基、C2-C20烷氧基烷基、C6-C20芳基、C6-C10芳氧基、C2-C20烯基、C7-C40烷基芳基、C7-C40芳基烷基、C8-C40芳基烯基或C2-C10炔基;
Z2各自独立地是卤素、C1-C20烷基、C2-C10烯基、C7-C40烷基芳基、C7-C40芳基烷基、C6-C20芳基、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的氨基、C2-C20烷基烷氧基或C7-C40芳基烷氧基;
B1是使Cp3Rc环和Cp4Rd环交联或使一个Cp4Rd环交联到M2的一个或多个包括碳、锗、硅、磷或氮原子的自由基或其组合;以及
m为1或0;
[化学式3]
(Cp5Re)B2(J)M3Z32
在化学式3中,
M3是第4族过渡金属;
Cp5选自环戊二烯基、茚基、4,5,6,7-四氢-1-茚基和芴基,并且其可以被C1-C20烃取代;
Re是氢、C1-C20烷基、C1-C10烷氧基、C2-C20烷氧基烷基、C6-C20芳基、C6-C10芳氧基、C2-C20烯基、C7-C40烷基芳基、C7-C40芳基烷基、C8-C40芳基烯基或C2-C10炔基;
Z3各自独立地为卤素、C1-C20烷基、C2-C10烯基、C7-C40烷基芳基、C7-C40芳基烷基、C6-C20芳基、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的氨基、C2-C20烷基烷氧基或C7-C40芳基烷氧基;
B2是使Cp5Re环与J交联的一个或多个包括碳、锗、硅、磷或氮原子的自由基或其组合;以及
J选自NRf、O、PRf和S,其中Rf各自独立地为C1-C20烷基、芳基、取代的烷基或取代的芳基,
[化学式4]
在化学式4中,
R1至R4和R1'至R4'彼此相同或不同,并且各自独立地为氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C6-C20芳基、C7-C20烷基芳基、C7-C20芳基烷基或C1-C20胺基,以及R1至R4和R1'至R4'的两个或更多个相邻基团可以彼此连接形成一个或多个脂族环、芳族环或杂环;
Q1和Q2彼此相同或不同,并且各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C6-C20芳基、C6-C10芳氧基、C2-C20烯基、C7-C40烷基芳基或C7-C40芳基烷基;
B3为C2-C20亚烷基、C3-C20亚环烷基、C6-C20亚芳基、C7-C40烷基亚芳基或C7-C40的芳基亚烷基;
M4是第4族过渡金属;以及
Z4和Z5彼此相同或不同,并且各自独立地为...
【专利技术属性】
技术研发人员:权眩志,李承美,金葡殷,李琪树,
申请(专利权)人:LG化学株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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