铁氧体组合物和层叠电子部件制造技术

本发明专利技术得到特别是直流叠加特性和交流电阻良好的铁氧体组合物等。该铁氧体组合物包含由尖晶石铁氧体构成的主相颗粒、第一副相颗粒、第二副相颗粒和粒界。主相颗粒的至少一部分具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分。具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分的主相颗粒存在10％以上。第一副相颗粒含有Zn

【技术实现步骤摘要】
铁氧体组合物和层叠电子部件
本专利技术涉及铁氧体组合物和层叠电子部件。
技术介绍
近年来，为了提高通信距离和敏感度，在ICT设备的NFC电路中流通的交流电流大电流化。而且，要求与大电流对应的噪声除去产品。作为噪声除去产品，可以列举绕组类型的铁氧体电感器、层叠类型的铁氧体电感器等，在上述的大电流的使用环境中，考虑噪声除去特性的程度，使用了绕组类型的铁氧体电感器。但是，要求即使是层叠类型的铁氧体电感器也具有与绕组类型的铁氧体电感器同等以上的噪声除去特性。在专利文献1和专利文献2中，记载了通过控制组成而具有优异特性的铁氧体组合物和层叠电子部件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第5582279号公报专利文献2：日本特开2013－060332号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，目前要求具有更优异的特性的铁氧体组合物和层叠电子部件。本专利技术是鉴于这样的实际情况而作出的，其目的在于得到改善了直流叠加特性和交流电阻的铁氧体组合物等。用于解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁氧体组合物，其特征在于：/n包含由尖晶石铁氧体构成的主相颗粒、第一副相颗粒、第二副相颗粒和粒界，/n所述主相颗粒的至少一部分具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分，/n具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分的主相颗粒存在10％以上，/n所述第一副相颗粒含有Zn

【技术特征摘要】
20190129 JP 2019-013181;20200109 JP 2020-0021801.一种铁氧体组合物，其特征在于：
包含由尖晶石铁氧体构成的主相颗粒、第一副相颗粒、第二副相颗粒和粒界，
所述主相颗粒的至少一部分具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分，
具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分的主相颗粒存在10％以上，
所述第一副相颗粒含有Zn2SiO4，
所述第二副相颗粒含有SiO2，
所述第一副相颗粒与所述第二副相颗粒的合计面积比例为30.5％以上。


2.如权利要求1所述的铁氧体组合物，其特征在于：
将所述具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分的主相颗粒的内部中Zn的浓度的最小值设为A1、将Zn的浓度的最大值设为A2，A2/A1的平均值为1.10以上。


3.如权利要求1或2所述的铁氧体组合物，其特征在于：
所述粒界含有SiO2。


4.如权利要求1或2所述的铁氧体组合物，其特征在于：
具有主成分和副成分，
作为所述主成分，含有以Fe2O3换算为10.0～50.0摩尔％的Fe的化合物、以CuO换算为3.0～14.0摩尔％的Cu的化合物、以ZnO换算为10...

【专利技术属性】
技术研发人员：芝山武志，铃木孝志，高桥幸雄，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP